技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。随着衬底处理温度变高，提高工艺的再现性·稳定性。本发明具有：将形成有有机材料膜的衬底收容在处理室内的工序，向所述衬底供给含有金属的气体的工序，向所述衬底供给第一含氧气体和稀释气体的工序，所述稀释气体包括第二含氧气体和非活性气体中的至少任一种，重复工序，对下述工序进行重复：供给所述含有金属的气体的工序，供给所述第一含氧气体和所述稀释气体的工序，及在所述重复工序中，使所述第一含氧气体的供给流量与所述稀释气体的供给流量相等或大于所述稀释气体的供给流量。
技术研发人员：山本克彦;大桥直史
受保护的技术使用者：株式会社日立国际电气
技术研发日：2017.06.29
技术公布日：2018.09.14