技术特征：
技术总结
本发明公开一种基于PECVD的增强型石墨烯薄膜镀膜设备及方法，该设备的多个真空室包括依次连接的放卷室、多个镀膜室和收卷室；每个镀膜室中，泡沫镍基材的上下两侧分别设有射频放电板和等离子体磁控增强装置；其方法是在各镀膜室中，开启射频放电板进行放电，产生等离子体，等离子体磁控增强装置在射频放电板下方形成一个闭环回路磁场，等离子体在磁场作用下进行螺旋旋转运动，从而增大等离子体密度，在泡沫镍基材表面沉积膜层。本发明实现等离子气体的化学反应速度增大，沉积的膜层厚度也大大增加，可达到传统镀膜设备所制得膜厚的4～8倍。同时，泡沫镍基材表面温度可上升至600℃以上，增强了石墨烯成膜条件，提高了石墨烯成膜的速度。
技术研发人员：朱建明
受保护的技术使用者：肇庆市科润真空设备有限公司
技术研发日：2017.08.03
技术公布日：2017.09.29