本实用新型涉及真空镀膜技术领域，具体涉及一种磁场可调的磁控溅射镀膜阴极机构。
背景技术：
大面积磁控溅射技术广泛应用于光学、半导体、光电显示、纳米材料、集成线路和建筑装饰等行业的镀膜作业。其中，磁控溅射镀膜阴极机构是镀膜的关键机构，用于将靶材上分离的原子或分子溅射到基材上。
现有的磁控溅射镀膜阴极机构上用于提供磁场的部件为永磁体，磁场大小不能改变。但是在镀膜过程中随着时间推移，靶材会逐渐消耗，溅射靶面的位置会发生变化，溅射靶面处的磁场大小随之改变，最终造成镀膜厚度不匀。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种磁场可调的磁控溅射镀膜阴极机构。
为实现上述实用新型目的，本实用新型采用如下技术方案：
一种磁场可调的磁控溅射镀膜阴极机构，包括溅射阴极底座，所述溅射阴极底座上固定设有第一永磁体和第二永磁体，以提供固定磁场，所述第一永磁体为四根永磁体拼接成的矩形框状，所述第二永磁体为长条状且位于第一永磁体中心位置，所述第一永磁体的S极朝向溅射阴极底座设置，第二永磁体的N极朝向溅射阴极底座设置；
还包括若干磁力线圈，所述磁力线圈靠近所述第二永磁体且沿长度方向间隔均匀设置在所述第二永磁体两侧，所述磁力线圈的轴线垂直于所述溅射阴极底座设置，以调节磁场大小。
进一步的，所述第一永磁体和所述第二永磁体粘接固定在所述溅射阴极底座上。
相对于现有技术，本实用新型的技术效果在于：
本实用新型在靠近第二永磁体的位置设有若干个可以调节磁场大小的磁力线圈，靶材消耗后通过磁力线圈调整溅射靶面处的磁场大小，可以使镀膜厚度更加均匀。
附图说明
图1是本实用新型实施方式中一种磁场可调的磁控溅射镀膜阴极机构的结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图所示的具体实施方式对本实用新型进行详细描述。但这些实施方式并不限制本实用新型，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本实用新型的保护范围内。
以下提供本实用新型的一种实施方式：
请参见图1，一种磁场可调的磁控溅射镀膜阴极机构，包括溅射阴极底座1，所述溅射阴极底座1上固定设有第一永磁体2和第二永磁体3，以提供固定磁场，所述第一永磁体2为四根永磁体拼接成的矩形框状，所述第二永磁体3为长条状且位于第一永磁体2中心位置，所述第一永磁体2的S极朝向溅射阴极底座1设置(也即是第一永磁体2的N极朝向靶材设置)，第二永磁体3的N极朝向溅射阴极底座1设置(也即是第二永磁体3的S极朝向靶材设置)；
还包括若干磁力线圈6，所述磁力线圈6靠近所述第二永磁体3且沿长度方向间隔均匀设置在所述第二永磁体3两侧，所述磁力线圈6的轴线垂直于所述溅射阴极底座1设置，以调节磁场大小。
使用时靶材与溅射阴极底座1平行相对设置，第一永磁体2、第二永磁体3、磁力线圈6位于靶材和溅射阴极底座1之间。靶材远离溅射阴极底座1的一侧表面为溅射靶面。在镀膜过程中，随着靶材的消耗，溅射靶面距离第一永磁体2和第二永磁体3的距离变近，溅射靶面处的磁场大小随之变大。所以可通过观察溅射靶面距离第一永磁体2和第二永磁体3的距离(也即是靶材的厚度)判断溅射靶面处的磁场大小。当溅射靶面处磁场变大时可以为磁力线圈6通上直流电，使磁力线圈6的极性与第二永磁体3相反，以此削弱溅射靶面处的磁场，进而保证镀膜过程中溅射靶面处磁场大小的一致性，有益于保障镀膜均匀度。
各个磁力线圈6单独可控，以应对靶材厚薄不均的情况。
进一步的，所述第一永磁体2和所述第二永磁体3粘接固定在所述溅射阴极底座1上。
相对于现有技术，本实用新型的技术效果在于：
本实用新型在靠近第二永磁体3的位置设有若干个可以调节磁场大小的磁力线圈6，靶材消耗后通过磁力线圈6调整溅射靶面处的磁场大小，可以使镀膜厚度更加均匀。
最后应说明的是：以上实施方式仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施方式对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施方式所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施方式技术方案的精神和范围。