技术特征：
技术总结
一种柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的制备方法，先将铜箔柔性衬底和Sb掺杂的SnO2即ATO靶材装入脉冲激光沉积系统的靶头上；再将脉冲激光沉积系统的本底真空度抽至3.0×10‑3Pa以下，沉积得到50～1000nm厚的ATO薄膜层；再将BTS和BZT靶材分别装入脉冲激光沉积系统的靶头上，沉积得到100～500nm的BTS、BZT和BTS薄膜层，然后取出制品，在BTS薄膜和底电极ATO层表面上制备金属电极，实现柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的整体制备。本发明介电调谐率≥50％@100kHz，介电损耗≤0.01，在柔性曲率半径为5.0mm时，性能变化率≤10％，器件性能优良，适合在柔性电子技术中应用。
技术研发人员：于仕辉;刘荣闯;赵乐;李玲霞;孙永涛
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2018.03.28
技术公布日：2018.09.14