技术特征：
技术总结
本发明公开了一种利用弯曲形变调控钛酸钡单晶薄膜剩余极化与矫顽场的方法，主要解决现有技术调控铁电材料铁电性能耗能大的问题。其技术方案是：1.使用脉冲激光沉积技术，在氧化镁做牺牲层的钛酸锶衬底上生长单晶钛酸钡薄膜；2.在钛酸钡薄膜表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用硫酸铵溶液除去氧化镁薄膜；3.将钛酸钡薄膜转移到后续所需的柔性衬底上，再固定在凸模或凹模上，通过改变凸模或凹模的曲率半径使得钛酸钡薄膜发生连续应变，实现钛酸钡薄膜剩余极化与矫顽场的连续变化，从而改善其铁电性质。本发明通过弯曲应力连续调控钛酸钡单晶薄膜剩余极化与矫顽场，耗能小，且不增加器件尺寸，可用于制作柔性电场强度传感器及存储器。
技术研发人员：陆小力;姚会娟;王涛;黄玉瑶;吴飞虎;张进成;郝跃
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2018.04.10
技术公布日：2018.09.14