本发明涉及蒸镀技术领域，特别涉及一种掩膜板及其制备方法。
背景技术：
目前，有机电致发光显示器(OLED，Organic Light Emitting Display)主要包括白光OLED(WOLED)和红、绿、蓝像素并置型(RGB-SBS，Side-By-Side)OLED，其中，RGB-SBS型OLED产品具有亮度损失小及色域高的优点，因此，在微显示领域，尤其是虚拟现实(VR)和增强现实(AR)显示领域中，RGB-SBS型OLED是一种必然的趋势。
现有技术中，RGB-SBS型OLED产品主要采用精细金属掩膜板(FMM)分别蒸镀R、G、B像素来制备。然而，对于像素(PPI)较高的RGB-SBS型OLED产品，例如微显示OLED产品，由于其需要的精细蒸镀掩膜板的精度往往比较高，开口尺寸比较小，因此，在掩膜板使用过程中，很容易导致掩膜板开口堵塞，从而使产品品质受损。
技术实现要素：
本发明公开了一种掩膜板及其制备方法，用于避免掩膜板的开口堵塞，提高蒸镀产品良率。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种掩膜板，包括掩膜本体和形成在所述掩膜本体上的涂层；其中：
所述涂层对有机材料的吸附性比所述掩膜本体对有机材料的吸附性差。
上述掩膜板，由于其掩膜本体表面具有涂层，且该涂层对有机材料的吸附性比较差，进而，在利用该掩膜板进行蒸镀时，蒸镀材料不易吸附于该掩膜板上，因此，该掩膜板的开口不易发生堵塞，使用寿命较长；具体地，该掩膜板可以具有较高的精度和较小的图案开口，尤其适合制备高PPI的OLED产品，可以提高产品的蒸镀良率。
一种可选的实施例中，所述涂层包括金属涂层或者特氟龙涂层。
一种可选的实施例中，所述涂层包围所述掩膜本体，所述掩膜本体的开口尺寸与所述掩膜板的实际开口尺寸之差等于所述涂层厚度的两倍。
一种可选的实施例中，所述涂层形成在所述掩膜本体朝向蒸镀装置的一侧。
一种掩膜板的制备方法，包括：
制备掩膜本体；
在掩膜本体上形成涂层，所述涂层对有机材料的吸附性比所述掩膜本体对有机材料的吸附性差。
一种可选的实施例中，所述涂层包括金属涂层或者特氟龙涂层。
一种可选的实施例中，所述在掩膜本体上形成涂层，包括：
在掩膜本体表面电镀涂层，所述涂层包围所述掩膜本体，其中，所述掩膜本体的开口尺寸与所述掩膜板的实际开口尺寸之差等于所述涂层厚度的两倍。
一种可选的实施例中，所述掩膜本体的开口尺寸为5um；所述涂层的厚度为0.5um。
一种可选的实施例中，所述在掩膜本体上形成涂层，包括：
在掩膜本体朝向蒸镀装置的一侧表面喷涂涂层。
一种可选的实施例中，所述涂层的厚度为2-5um。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的一种掩膜板的结构示意图；
图2为本发明另一实施例提供的一种掩膜板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种掩膜板的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1～图3。
如图1和图2所示，本发明实施例提供了一种掩膜板1，包括掩膜本体2和形成在掩膜本体2上的涂层3；其中：
涂层3对有机材料的吸附性比掩膜本体2对有机材料的吸附性差。
上述掩膜板1，由于其掩膜本体2表面具有涂层3，且该涂层3对有机材料的吸附性比较差，进而，在利用该掩膜板1进行蒸镀时，蒸镀材料不易吸附于该掩膜板1上，因此，该掩膜板1的开口不易发生堵塞，从而该掩膜板1使用寿命较长；具体地，该掩膜板1可以具有较高的精度和较小的图案开口，尤其适合制备高PPI的OLED产品，可以提高产品的蒸镀良率。
如图1和图2所示，一种具体的实施例中，掩膜本体2可以为金属材料，也可以为半导体材料，如硅或者砷化镓。
如图1所示，一种具体的实施例中，涂层3可以包括金属涂层31。由于有机材料在金属涂层31上的附着性较差，即金属涂层31不容易黏着有机物，存在较小的有机物沉积性，因此，可以减少掩膜板1对有机物的吸附，进而减少掩膜板1开口堵塞的问题。
另外，由于OLED基板4对于有机材料的吸附性比较好，且在进行蒸镀前，OLED基板4上往往可能已覆盖有有机层，而有机材料与有机材料间的亲和性很好，因此，蒸镀基板4对有机材料的吸附性会比掩膜板1更好；进而，同等条件下，有机材料在具有涂层3的掩膜板1上和在蒸镀基板4上的沉积比差异较大，例如，有机材料在具有金属涂层31的掩膜板1上和在蒸镀基板4上的沉积比可以达到1：5，因此，有机材料更容易吸附于蒸镀基板4上，不易吸附在具有金属涂层31的掩膜板1上。
如图2所示，另一种具体的实施例中，涂层3可以包括特氟龙涂层32。
特氟龙(聚四氟乙烯)这种材料具有抗各种有机溶剂的特点，即特氟龙不容易黏着有机物，存在较小的有机物沉积性，因此，可以减少掩膜板1对有机物的吸附，进而减少掩膜板1开口堵塞的问题。另外，特氟龙属于柔性材料，且具有抗酸抗碱性，因此可以缓解掩膜板1较薄易碎的问题，并可以保护掩膜板1不受腐蚀。
如图1和图2所示，一种可选的实施例中，掩膜板1的涂层3可以采用电镀或喷涂等多种方式形成。
如图1所示，一种具体的实施例，本发明实施例的掩膜板1中，涂层3可以包围掩膜本体2的表面，即涂层3可以将掩膜本体2的开口边缘包覆，例如，可以在掩膜本体2的表面电镀金属涂层31。具体地，本发明实施例的掩膜板1中，掩膜本体2的开口尺寸与掩膜板1的实际开口尺寸之差等于涂层3厚度的两倍，即掩膜本体2的开口尺寸需比实际掩膜板1产品的开口尺寸略大一些，比如，实际掩膜板1产品的开口尺寸是4um，掩膜本体2的开口尺寸可以为5um，此时，涂层3厚度则为0.5um。
如图2所示，另一种具体的实施例中，涂层3可以形成在掩膜本体2朝向蒸镀装置的一侧，例如，可以在掩膜本体2朝向蒸镀装置的一侧喷涂特氟龙涂层32。此时，涂层3不包覆掩膜本体2的开口边缘，掩膜本体2的开口尺寸与掩膜板1产品的实际开口尺寸等同。
如图3所示，本发明实施例还提供了一种掩膜板的制备方法，该方法包括以下步骤：
步骤S101，制备掩膜本体；
步骤S102，在掩膜本体上形成涂层，该涂层对有机材料的吸附性比掩膜本体对有机材料的吸附性差。
通过上述方法制备的掩膜板，由于其掩膜本体表面具有涂层，且该涂层对有机材料的吸附性比较差，进而，在利用该掩膜板进行蒸镀时，蒸镀材料不易吸附于该掩膜板上，因此，该掩膜板的开口不易发生堵塞，使用寿命较长；具体地，该掩膜板可以具有较高的精度和较小的图案开口，尤其适合制备高PPI的OLED产品，可以提高产品的蒸镀良率。
如图1和图2所示，一种具体的实施例中，掩膜本体2可以为金属材料，也可以为半导体材料，如硅或者砷化镓。
如图1所示，一种具体的实施例中，涂层3可以包括金属涂层31。由于有机材料在金属涂层31上的附着性较差，即金属涂层31不容易黏着有机物，存在较小的有机物沉积性，因此，可以减少掩膜板1对有机物的吸附，进而减少掩膜板1开口堵塞的问题。
如图2所示，另一种具体的实施例中，涂层3可以包括特氟龙涂层32。
特氟龙(聚四氟乙烯)这种材料具有抗各种有机溶剂的特点，即特氟龙不容易黏着有机物，存在较小的有机物沉积性，因此，可以减少掩膜板1对有机物的吸附，进而减少掩膜板1开口堵塞的问题。另外，特氟龙属于柔性材料，且具有抗酸抗碱性，因此可以缓解掩膜板1较薄易碎的问题，并可以保护掩膜板1不受腐蚀。
如图1和图2所示，一种可选的实施例中，掩膜板1的涂层3可以采用电镀或喷涂等多种方式形成。
如图1所示，一种具体的实施例中，步骤S101中制备的掩膜本体2的开口尺寸大于掩膜板1的实际开口需求尺寸；进一步地，步骤S102，在掩膜本体2上形成涂层3，可以包括：
在掩膜本体2表面电镀金属涂层31，该金属涂层31包覆掩膜本体2，并且，掩膜本体2的开口尺寸与掩膜板1的实际开口尺寸之差等于金属涂层31厚度的两倍。
一种可选的实施例中，掩膜本体2的开口尺寸为5um；金属涂层的厚度为0.5um；掩膜板1的实际开口尺寸为4um。
如图2所示，另一种具体的实施例中，步骤S102，在掩膜本体2上形成涂层3，可以包括：
在掩膜本体2朝向蒸镀装置的一侧喷涂特氟龙以形成特氟龙涂层31。
一种可选的实施例中，特氟龙涂层31的厚度可以为2-5um。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。