技术总结
本发明公开了一种TiZrVHf四元吸气剂薄膜，包括Ti、Zr、V、Hf四种元素且原子个数比为(0.9～1.1):(0.9～1.1):(0.9～1.1):(0.9～1.1)；TiZrVHf四元吸气剂薄膜包括依次在基体管道内壁生长的致密层和柱状层，致密层为薄膜表面平整，在电子显微镜下无明显晶粒的结构；柱状层为薄膜表面粗糙，在电子显微镜下具有明显晶粒的结构，柱状层具有较大表面积，具有较大的吸气面积，使得单位基体管道面积的抽气速率显著增加。本发明属于吸气剂薄膜技术领域，该TiZrVHf四元吸气剂薄膜能够在低温下激活，具有较强附着力和较长使用寿命，能够有效提高粒子加速器真空度，降低二次电子发射系数。
技术研发人员：马永胜
受保护的技术使用者：中国科学院高能物理研究所
技术研发日：2018.06.06
技术公布日：2018.09.14