本发明涉及显示技术背板线路蚀刻技术领域，特别涉及应用于铜钼的蚀刻液。
背景技术：
随着显示器尺寸的增大，栅极及源漏极金属配线通常使用铜金属，与以往技术中的铝配线方法相比，可以将线宽做的更低，更加适合高分辨率面板的制作；但是铜与玻璃基板及绝缘膜的贴附性较低，易扩散进入有源层等问题，所以通常使用钼、钛、钼钛等作为下部薄膜金属；目前大部分铜蚀刻液为传统含氟蚀刻液，容易腐蚀玻璃以及相关的电子元器件。含氟蚀刻液对玻璃以及电子元器件的腐蚀不可逆，不利于在生产过程中的重工。
技术实现要素：
为解决现有技术中目前大部分铜蚀刻液为传统含氟蚀刻液，容易腐蚀玻璃以及相关的电子元器件的缺陷，本发明提供一种应用于薄膜晶体管线路的无氟铜钼蚀刻液。
一种应用于薄膜晶体管线路的无氟铜钼蚀刻液，由下列组分按质量比例在室温下混合配制而成：30～70份的过氧化氢、0.1～10份的无机酸、0.5～20份的有机酸、0.1～30份的有机碱、0.1～2份的刻蚀稳定剂以及余量水。
进一步的，所述的无机酸为硫酸、盐酸、磷酸、硝酸中的一种或者多种。
进一步的，所述的有机酸为柠檬酸、苹果酸、乙醇酸、草酸、乙二酸、丙二酸、丁二酸、酒石酸、甘氨酸、琥珀酸中的一种或者多种。
进一步的，所述的刻蚀稳定剂为咪唑啉季铵盐、苯并三唑、三唑氮钠、疏基苯并三氮唑、苯并三氮唑、5-氨基-1H-四氮唑、((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)乙醇、1-((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)-2-丙醇、1-((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)-1-异丙醇、1-((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)-1-异丙醇、1-((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)-1-丁醇、1-((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)-2-丁醇的一种或者多种。
进一步的，所述的有机碱为乙醇胺、异丙醇胺、丁醇胺、多乙基多胺的一种或者多种。
优选的，一种应用于薄膜晶体管线路的无氟铜钼蚀刻液，包过12g异丙醇胺、6g柠檬酸、0.5g硫酸、4g丁二酸、0.5g的((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)乙醇、45g过氧化氢和300g水。
优选的，一种应用于薄膜晶体管线路的无氟铜钼蚀刻液，包过由下列组分按质量比例在室温下混合配制而成：20g异丙醇胺、4g苹果酸、0.6g磷酸、4g丙二酸、0.7g的1-((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)-1-异丙醇、60g过氧化氢和300g水。
有益效果：本发明的铜钼蚀刻液无氟，对铜钼层蚀刻均匀、速率适中且减小了废液处理成本以及处理难度。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1：采用实施例1的无氟铜钼蚀刻液薄膜晶体管背板线路蚀刻后状态的SEM图；
图2：采用实施例2的无氟铜钼蚀刻液薄膜晶体管背板线路蚀刻后状态的SEM图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
将12g异丙醇胺、6g柠檬酸、0.5g硫酸、4g丁二酸、0.5g的((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)乙醇溶解于300g水中，加入45g过氧化氢，混合均匀，充分溶解，作为蚀刻液。图1为本实施例的氟铜钼蚀刻液薄膜晶体管背板线路蚀刻后状态的SEM测试结果，由图1可知，线路蚀刻良好，没有金属钼残。
实施例2
将20g异丙醇胺、4g苹果酸、0.6g磷酸、4g丙二酸、0.7g的1-((1H-四氮唑-5-乙基)氨基)-1-异丙醇溶解于300g水中，加入60g过氧化氢，混合均匀，充分溶解，作为蚀刻液。
图2为本实施例的氟铜钼蚀刻液薄膜晶体管背板线路蚀刻后状态的SEM测试结果，由图2可知，线路蚀刻良好，没有金属钼残。
实施例3
将20g多乙基多胺、4g丁二酸、0.6g硝酸、4g酒石酸、0.7g的5-氨基-1H-四氮唑溶解于300g水中，加入40g过氧化氢，混合均匀，充分溶解，作为蚀刻液。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。