本申请涉及一种导电陶瓷涂层的制备方法。
背景技术：
众所周知，通常陶瓷不导电，是良好的绝缘体。例如在氧化物陶瓷中，原子的外层电子通常受到原子核的吸引力，被束缚在各自原子的周围，不能自由运动。所以氧化物陶瓷通常是不导电的绝缘体。然而，某些氧化物陶瓷加热时，处于原子外层的电子可以获得足够的能量，以便克服原子核对它的吸引力，而成为可以自由运动的自由电子，这种陶瓷就变成导电陶瓷。现在已经研制出多种可在高温环境下应用的高温电子导电陶瓷材料：碳化硅陶瓷的最高使用温度为1450℃，二硅化钼陶瓷的最高使用温度为1650℃，氧化锆陶瓷的最高使用温度为2000℃，氧化钍陶瓷的最高使用温度高达2500℃。此外，还有离子导电陶瓷和半导体陶瓷，各有千秋，各具不同的功能。具有质子导电性的陶瓷目前已发现许多种，但作为实用材料，要求在较宽的温度和湿度范围内具有稳定的物理和化学性能，导电率高、适于高温工作及成本低等。目前有实用价值的主要是SrCeO3系高温型质子导电陶瓷。
申请内容
本申请要解决的技术问题是提供一种导电陶瓷涂层的制备方法。
为了解决上述技术问题，本申请提供了一种导电陶瓷涂层的制备方法，其特征在于，所述的导电陶瓷涂层的原料以质量分计包括，凹土粉末2～3份；铁氧体陶瓷粉末7～9份；碳粉1～2份，所述的制备方法包括以下步骤，(1)将以上原料按配比混合均匀并烘干处理；(2)将烘干后的原料喷涂在金属基体表面，在金属基体表面形成涂层；(3)使用火焰枪喷射金属基体的涂层，使金属机体的表面层与所述的涂层熔接。
优选地，所述的原料以质量分计，包括，凹土粉末2份；铁氧体陶瓷粉末8份；碳粉1.5份。
优选地，所述的凹土粉末为高粘凹土粉末。
优选地，所述陶瓷层是分子式为MeFe2O4的铁氧体陶瓷材料，其中，Me是Mn2+，Zn2+，Cu2+，Ni2+，Mg2+，Co2+和Li+0.5Fe3+0.5中的一种。
优选地，在步骤(2)中，首先在金属基体表面涂抹水玻璃，然后在喷涂原料粉末。
优选地，在步骤(1)中，烘干温度为100～150℃。
优选地，在步骤(3)中，火焰枪为炔氧焰火焰枪，所述的火焰枪的温度为1500～2000℃。
优选地，所述的导电陶瓷层的厚度为0.1～0.3mm。
本申请的一种导电陶瓷涂层的制备方法，原材料中增加了碳粉和凹土，增加了导电陶瓷涂层的导电率，另外使用火焰枪喷射金属基体的涂层，提高了涂层的结合强度。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本申请作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本申请并能予以实施，但所举实施例不作为对本申请的限定。
按表1中的配比原料制备导电陶瓷涂层，所述的制备方法包括以下步骤，(1)将以上原料按配比混合均匀并烘干处理，烘干温度为100～150℃；(2)将烘干后的原料喷涂在金属基体表面，在金属基体表面形成涂层；(3)使用火焰枪喷射金属基体的涂层，使金属机体的表面层与所述的涂层熔接，火焰枪为炔氧焰火焰枪，所述的火焰枪的温度为1500～2000℃。所述的导电陶瓷层的厚度为0.1～0.3mm。
在常温常压下所测的各个配比的参数如下表所示。
表1
如表1所示，原材料中增加了碳粉和凹土，增加了导电陶瓷涂层的导电率和表面硬度，另外使用火焰枪喷射金属基体的涂层，提高了涂层的结合强度。
以上所述实施例仅是为充分说明本申请而所举的较佳的实施例，本申请的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本申请基础上所作的等同替代或变换，均在本申请的保护范围之内。本申请的保护范围以权利要求书为准。