一种具有结构梯度的AlTiN涂层及切削刀具的制作方法

文档序号:15730934发布日期:2018-10-23 17:16阅读:271来源:国知局

本实用新型属于硬质镀膜领域,尤其涉及一种具有结构梯度的AlTiN涂层及切削刀具。



背景技术:

近年来,刀具切削技术整向高速干式切削方向发展,干式切削是为了保护环境、降低成本而有意识地不使用切削液,在无冷液条件下进行切削加工的切削加工方法。干式切削不是简单地停止使用切削液,而是要在停止使用切削液的同时,保证高效率、高产品质量、高的刀具耐用度以及切削过程的可靠性,这就需要使用性能优良的干切削刀具。干切削不仅要要求刀具材料具有极高的红硬性和热韧性,还必须拥有良好的耐磨性、耐热冲击和抗粘结性,对刀具进行涂层处理,是提高刀具性能的重要途径。实际上,涂层有类似冷却液的功能,它可以产生一层保护层,把刀具与切削热隔离开来,使热量很少传递到刀具,从而能在较长的时间内保持刀尖的坚硬与锋利,在干切削技术中,刀具涂层发挥着非常重要的作用。

AlTiN涂层具有高硬度、高耐磨性以及优异的抗高温氧化性功能,适用于高速切削高合金钢、钛合金、不锈钢等材料。在刀具表面制备AlTiN涂层时,其工作温度在400-500℃,而AlTiN的硬度、弹性模量和热膨胀系数与硬质合金基体有较大差异,冷却后,或者后期刀具加工使用过程中,涂层和基体之间容易因为应力过大导致涂层脱落。传统的方法是在AlTiN涂层和硬质合金基体之间增加一层TiN涂层,TiN硬度介于两者之间,作为过渡层使用,避免顶层AlTiN与基体差异过大,容易导致涂层脱落。而传统方法制备的AlTiN层是一个整体的均匀的材料整体,AlTiN层和TiN层之间,晶格固溶度依然存在较大的差异,这带来两个问题:1、AlTiN层和TiN层之间晶格畸变承受能力存在突变,刀具使用过程中必然导致两层界面结合处弱;2、AlTiN层和TiN层容易存在空洞。这两个问题都会导致刀具使用中,涂层抗剥落能力差。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足,提供了一种具有结构梯度的AlTiN涂层及切削刀具,AlTiN涂层表面具有较好的硬度和抗氧化性,且结构致密,能增强AlTiN涂层与切削刀具的结合力,提升AlTiN涂层的抗剥落能力,提高切削刀具的使用寿命。

本实用新型的技术方案是:一种具有结构梯度的AlTiN涂层,包括TiN过渡层、AlTiN梯度层和AlTiN稳定层,所述TiN过渡层底部附着于基体的表面,所述AlTiN梯度层的底部附着于所述TiN过渡层的顶部,所述AlTiN稳定层的底部附着于所述AlTiN梯度层的顶部。

具体地,所述TiN过渡层、所述AlTiN梯度层和所述AlTiN稳定层的总厚度的范围在0.3-5.5μm内。

具体地,所述TiN过渡层、所述AlTiN梯度层和所述AlTiN稳定层的总厚度的范围在0.5-4.5μm内。

具体地,所述TiN过渡层的厚度的范围在0.03-0.45μm内。

具体地,所述TiN过渡层的厚度的范围在0.05-0.4μm内。

本实用新型还提供了一种切削刀具,包括刀具本体,所述刀具本体的一端设置有切削部,所述切削部设置有AlTiN涂层,所述AlTiN涂层包括TiN过渡层、AlTiN梯度层和AlTiN稳定层,所述TiN过渡层底部附着于所述切削部的表面,所述AlTiN梯度层的底部附着于所述TiN过渡层的顶部,所述AlTiN稳定层的底部附着于所述AlTiN梯度层的顶部。

具体地,所述TiN过渡层、所述AlTiN梯度层和所述AlTiN稳定层的总厚度的范围在0.3-5.5μm内。

具体地,所述TiN过渡层、所述AlTiN梯度层和所述AlTiN稳定层的总厚度的范围在0.5-4.5μm内。

具体地,所述TiN过渡层的厚度的范围在0.03-0.45μm内。

具体地,所述TiN过渡层的厚度的范围在0.05-0.4μm内。

本实用新型所提供的一种具有结构梯度的AlTiN涂层及切削刀具,该AlTiN涂层表面具有较好的硬度和抗氧化性,其结构致密,能增强涂层与切削刀具的结合力,提升AlTiN涂层的抗剥落能力,提高切削刀具的使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的一种具有结构梯度的AlTiN涂层的结构示意图;

图2是本实用新型实施例提供的一种具有结构梯度的AlTiN涂层的制备方法的制备流程图;

图3是本实用新型实施例提供的一种具有结构梯度的AlTiN涂层中AlTiN沉积步骤中弧电流变化示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

还需要说明的是,本实用新型实施例中的左、右、上、下等方位用语,仅是互为相对概念或是以产品的正常使用状态为参考的,而不应该认为是具有限制性的。

如图1所示,本实用新型实施例提供的一种具有结构梯度的AlTiN涂层,包括TiN过渡层1、AlTiN梯度层2和AlTiN稳定层3,所述TiN过渡层1底部附着于基体4的表面,所述AlTiN梯度层2的底部附着于所述TiN过渡层1的顶部,所述AlTiN稳定层3的底部附着于所述AlTiN梯度层2的顶部,基体4自下向上依次是TiN过渡层1、AlTiN梯度层2和AlTiN稳定层3,其中,所述AlTiN梯度层2中Ti含量自底部向顶部递减,所述AlTiN梯度层2中Al含量自底部向顶部递增,所述AlTiN稳定层3中Ti、Al含量稳定且高于或等于所述AlTiN梯度层2顶部的Ti、Al含量。在AlTiN涂层中,Al以固溶的形式存在于TiN晶格中,若Al含量高,其固溶程度越高,则晶格畸变抵抗力越大,表现为AlTiN涂层硬度耐磨性好,若Al含量低,其固溶程度低,晶格可产生的畸变程度高,表现为AlTiN涂层的韧性好。制备所述AlTiN涂层时,在AlTiN梯度层2和基体4之间设置有TiN过渡层1,且TiN过渡层1的硬度介于两者之间,起到过渡作用,避免AlTiN梯度层2与切削刀具的切削部差异过大容易导致AlTiN涂层脱落,其中,AlTiN梯度层2在厚度方向上Ti和Al含量的比例是变化的,AlTiN梯度层2的底部Al含量低,与TiN过渡层1的亲和性好,可消除TiN过渡层11与AlTiN梯度层2结合处存在空洞,增强TiN过渡层1与AlTiN梯度层2的结合强度,提升AlTiN涂层的抗剥落能力,而AlTiN稳定层3具有高Al含量,保证AlTiN稳定层3具有较好的硬度和抗氧化性,耐磨性能好。

具体地,所述TiN过渡层1、所述AlTiN梯度层2和所述AlTiN稳定层3的总厚度的范围在0.3-5.5μm内。

具体地,所述TiN过渡层1、所述AlTiN梯度层2和所述AlTiN稳定层3的总厚度的范围在0.5-4.5μm内。

本实用新型实施例中,TiN过渡层1、AlTiN梯度层2和AlTiN稳定层3的总厚度的优选范围在1-4μm内。

具体地,所述TiN过渡层1的厚度的范围在0.03-0.45μm内。

具体地,所述TiN过渡层1的厚度的范围在0.05-0.4μm内。

本实用新型实施例中,TiN过渡层1的厚度的优选范围在0.1-0.3μm内,即AlTiN梯度层2和AlTiN稳定层3的总厚度的优选范围在0.7-3.9μm内。

实际应用中,该具有结构梯度的AlTiN涂层可应用于各种金属;也可以应用于陶瓷材料表面。

本实用新型还提供了一种切削刀具,包括刀具本体(图未标示出),所述刀具本体(图未标示出)的一端设置有切削部,所述切削部设置有AlTiN涂层,所述AlTiN涂层包括TiN过渡层1、AlTiN梯度层2和AlTiN稳定层3,所述TiN过渡层1底部附着于所述切削部的表面,所述AlTiN梯度层2的底部附着于所述TiN过渡层1的顶部,所述AlTiN稳定层3的底部附着于所述AlTiN梯度层2的顶部,刀具本体自下向上依次是TiN过渡层1、AlTiN梯度层2和AlTiN稳定层3。该切削刀具在工作时,高Al含量的AlTiN稳定层3能提供硬度保证,AlTiN涂层表层往刀具本体方向Al含量逐渐降低,晶格固溶度降低,晶格畸变能力提高,变现为AlTiN涂层的韧性逐渐增强,抗剥落能力提升,提高切削刀具的使用寿命。

如图2所示,本实用新型还提供了一种具有结构梯度的AlTiN涂层的制备方法,制备上述的具有结构梯度的AlTiN涂层,包括以下步骤:

S1.将硬质合金基体4装夹在PVD(物理气相沉积)涂层炉体内的导电转架上,导电转架与炉腔绝缘,炉腔本身接地,所述导电转架自转转速受到齿轮比例控制,所述导电转架自转转速为7-14rpm,所述导电转架公转转速为2-8rpm,通过加热设备对所述PVD(物理气相沉积)涂层炉的炉腔加热至470-500℃,同时通过机械泵和分子泵对所述PVD(物理气相沉积)涂层炉抽真空至10^-3Pa;

S2.调整所述PVD(物理气相沉积)涂层炉的炉腔温度降低至450-460℃,对所述导电转架施加偏压600-900V并维持该偏压保持不变,此时炉腔为零电势,往所述PVD(物理气相沉积)涂层炉腔通入气流量为250-350sccm的氩气,氩气在电势差的作用下电离成为Ar+,并在电场的作用下撞击硬质合金基体4表面,对所述硬质合金基体4进行氩气刻蚀,所述氩气刻蚀持续时间为9-12min,除去所述硬质合金基体4表面的灰尘等;

在本实用新型实施例中,所述导电转架施加偏压700-800V,氩气的气流量氩为300sccm,气刻蚀持续时间的设定值为10min。

S3.所述氩气刻蚀完毕后,保持炉腔的温度为450-460℃不变,将氩气的气流量由250-350sccm调整为25-55sccm,开启Ti靶,设置Ti靶弧电流为70-110A,并将偏压由600-900V调整降低为400-650V,Ti靶在电势差的作用下电离出Ti+,并在电场的作用下轰击硬质合金基体4表面,对所述硬质合金基体4进行金属离子刻蚀,所述金属离子刻蚀持续时间为9-17min,除去所述硬质合金基体4表面残留油脂等,活化硬质合金基体4的表面,可提升TiN过渡层1与硬质合金基体4的结合力;

在本实用新型实施例中,调整后的氩气气流量为30-50sccm,Ti靶弧电流为80-100A,调整后的偏压为500-600V,金属离子刻蚀持续时间范围在10-15min内。

S4.所述金属离子刻蚀完毕后,停止通入氩气,将偏压由400-650V调整降低为60-80V,同时将Ti靶弧电流由70-110A调整升高为120-140A,通入氮气,并维持所述PVD(物理气相沉积)涂层炉的炉腔气压为0.9-1.2Pa,对所述硬质合金基体4表面进行TiN沉积处理制备所述TiN过渡层1,所述TiN沉积持续时间为20-30min;

S5.所述TiN沉积后,将所述PVD(物理气相沉积)涂层炉的炉腔氮气气压由0.9-1.2Pa调整升高为3-5Pa并保持稳定,将偏压由60-80V调整降低为55-60V,开启AlTi靶,设定AlTi靶弧电流,对所述TiN过渡层1表面进行AlTiN沉积处理,所述AlTiN沉积期间,包括两个阶段,第一阶段为所述Ti靶和所述AlTi靶共同作用制备所述AlTiN梯度层2,实现AlTiN梯度层2中Al含量由低到高渐变过渡,第二阶段为所述AlTi靶单独工作实现高Al含量的AlTiN稳定层3的制备,所述AlTiN沉积持续时间为45-60min。

具体地,所述步骤S3中,所述Ti靶可为纯Ti靶材(纯度为99.9wt.%)。

具体地,所述步骤S4中,所述氮气可为高纯氮气(纯度为99.999%)。

具体地,所述步骤S4和S5中,所述PVD(物理气相沉积)涂层炉的炉腔的工作温度可为450±1℃。

具体地,所述步骤S5中,所述AlTi靶可为原子比Al:Ti=70:30的合金靶材,所述AlTiN沉积过程,偏压逐渐降低至偏压设定值,且偏压的降低过程为匀速变化,所述偏压设定值的优选范围可在30-45V内。

本实用新型实施例中,设定AlTi靶开启时的偏压为60V,AlTi靶关闭时偏压逐渐降低至35V,如图3所示,即在20min时,偏压为60V,在70min时,偏压为35V。

具体地,AlTiN梯度层2制备期间,Ti靶弧电流可匀速降低至Ti靶弧电流设定值,AlTi靶弧电流可匀速升高至AlTi靶弧电流设定值,Ti靶和AlTi靶的弧电流同时工作,实现AlTiN梯度层2中Al含量由低至高的渐变过渡,所述Ti靶弧电流设定值的优选范围可在40-60A内,所述AlTi靶弧电流设定值的优选范围可在160-190A内。

具体地,所述AlTiN梯度层2制备完成后所述Ti靶关闭,所述Ti靶关闭后所述AlTi靶继续工作并保持AlTi靶弧电流设定值不变,制备高Al含量的AlTiN稳定层3。

具体地,所述AlTiN梯度层2制备时间可为15-25min,所述AlTiN稳定层3制备时间可为20-45min,当然,可以理解地,AlTiN梯度层2的制备时间和AlTiN稳定层3的制备时间也可以为其他合适的范围。

具体地,所述AlTiN梯度层2朝所述AlTiN稳定层3方向,Ti含量逐渐降低,Al含量逐渐升高,即AlTiN梯度层2底部的Ti含量高于AlTiN梯度层2顶部的Ti含量,AlTiN梯度层2底部的Al含量低于AlTiN梯度层2顶部的Al含量,并在AlTiN稳定层3时保持高Al含量不变,既能增强TiN过渡层1和AlTiN梯度层2的结合力,有可以保证AlTiN稳定层3具有较好的硬度和抗氧化性。

具体地,所述AlTiN梯度层2的底部Ti/Al的范围可在3.5-4.7内,所述AlTiN梯度层2的顶部Ti/Al的范围可在0.45-0.7内,当然,可以理解地,所述AlTiN梯度层2的底部Ti/Al的值也可以为其他合适的范围,所述AlTiN梯度层2的顶部Ti/Al的值也可以为其他合适的范围。

具体地,AlTiN梯度层2底部Ti/Al的优选范围可在4.0-4.2内,AlTiN梯度层2顶部Ti/Al的优选范围可在0.5-0.65内。

本实用新型实施例中,如图3所示,AlTiN沉积的第一阶段,制备AlTiN梯度层2,从20min至40min期间为制备AlTiN梯度层2所花费时间,TiN沉积后,Ti靶继续运行,在弧电源控制下将Ti靶弧电流由120A匀速降低为50A,且设定当Ti靶弧电流为50A时Ti靶停止工作,同时AlTi靶开启,AlTi靶弧电流由50A匀速升高至175A并保持不变,完成AlTiN梯度层2的制备,其中,在20min AlTi靶开启时Ti/Al比例的优选范围在4.0-4.2内,在40min TiN靶关闭时Ti/Al比例的优选范围在0.5-0.65内;AlTiN沉积的第二阶段,制备高Al含量的AlTiN稳定层3,从40min至70min期间为制备AlTiN稳定层3所花费时间,期间保持AlTi靶弧电流175A不变,直至完成AlTiN稳定层3的制备,其中,在40min-70min内,即AlTi靶单独工作过程,Ti/Al的比例优选范围在0.48-0.50内。

本实用新型实施例所提供的一种具有结构梯度的AlTiN涂层及切削刀具,可实现Ti、Al的含量比例随AlTiN梯度层2厚度的变化而发生改变,在性能方面,AlTiN涂层表层的高Al含量确保了晶格中Al原子的高固溶度,使AlTiN涂层具有较好的硬度和抗氧化性,在结合力方面,AlTiN梯度层2的Al含量为渐变结构,AlTiN梯度层2底部的Al含量较低,与TiN过渡层1的亲和性好,增强了AlTiN梯度层2与TiN过度层结合强度,在使用方面,切削加工时,涂层受到横向剪切力,AlTiN稳定层的高Al含量为涂层提供了硬度保证,从AlTiN梯度层顶部至AlTiN梯度层底部Al含量逐渐降低,晶格固溶度降低,晶格畸变能力提高,韧性逐渐增强,AlTiN涂层的抗剥落能力得到提升,其结构致密,可消除了AlTiN梯度层2和TiN过渡层1容易存在的空洞,提高产品的使用寿命,其应用范围广,实用效果佳。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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