一种有利于膜料预熔的真空镀膜装置的制作方法

文档序号:17962075发布日期:2019-06-19 01:54阅读:948来源:国知局
一种有利于膜料预熔的真空镀膜装置的制作方法

本实用新型属于滤光片生产领域,具体涉及一种有利于膜料预熔的真空镀膜装置。



背景技术:

镀膜玻璃是在玻璃表面涂镀一层或多层金属、合金或金属化合物薄膜,以改变玻 璃的光学性能,满足某种特定要求。

而在滤光片镀膜之前需要对蒸发源中的膜料进行预熔,预熔有助于排出膜料中的气体,提高镀膜质量,同时防止镀膜过程中影响真空度。具体的操作为先往坩埚中填充一定量的材料,然后进行预熔,一般地,根据不同的镀膜需要,预熔时间大约2h~4h。由于预熔时间过长,造成镀膜效率较低。



技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种有利于膜料预熔的真空镀膜装置,能够缩短预熔时间,提高气体排出率。

为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:一种有利于膜料预熔的真空镀膜装置,包括镀膜箱,镀膜箱内底部设有蒸发源,顶部设有镀膜伞架,镀膜伞架下方设有修正板,镀膜箱通过抽气管与真空泵连接,所述镀膜箱内侧设有支撑座,支撑座上设有竖直伸缩装置,竖直伸缩装置远离支撑座的一端设有水平伸缩装置,水平伸缩装置远离竖直伸缩装置的一端设有支撑板,转轴转动安装在支撑板上,转轴下端设有叶片,转轴通过设置在支撑板上侧的第一电机驱动。

优选的方案中,所述竖直伸缩装置和水平伸缩装置为气缸。

优选的方案中,所述支撑板上设有散气孔。

进一步的方案中,所述支撑板的上侧设有集气罩,集气罩和支撑板之间形成集气腔,集气腔通过导气管与抽气管连通。

优选的方案中,所述镀膜箱顶部设有第二电机,第二电机的输出端通过转动轴与镀膜伞架连接。

本实用新型提供的一种有利于膜料预熔的真空镀膜装置,通过竖直伸缩装置和水平伸缩装置将支撑板移动至蒸发源上侧,通过转轴以及叶片对蒸发源内的膜料进行搅拌,一方面有助于预熔时膜料中气体的排出,提高气体排出效率,另一方面也有助于膜料的加热均匀,缩短预熔时间。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明:

图1为本实用新型的整体结构示意图。

图中:镀膜箱1,蒸发源2,镀膜伞架3,修正板4,抽气管5,真空泵6,支撑座7,竖直伸缩装置8,水平伸缩装置9,支撑板10,转轴11,叶片12,第一电机13,散气孔14,集气罩15,集气腔16,导气管17,第二电机18,转动轴19。

具体实施方式

如图1所示,一种有利于膜料预熔的真空镀膜装置,包括镀膜箱1,镀膜箱1内底部设有蒸发源2,蒸发源2包括加热底座和设置在加热底座上的蒸发舟,蒸发源2内设有膜料,顶部设有镀膜伞架3,镀膜伞架3下方设有修正板4,镀膜箱1通过抽气管5与真空泵6连接,所述镀膜箱1内侧设有支撑座7,支撑座7上设有竖直伸缩装置8,竖直伸缩装置8远离支撑座7的一端设有水平伸缩装置9,水平伸缩装置9远离竖直伸缩装置8的一端设有支撑板10,转轴11通过轴承转动安装在支撑板10上,转轴11下端设有叶片12,转轴11通过设置在支撑板10上侧的第一电机13驱动。第一电机13为减速电机。

在本实施例中,竖直伸缩装置8和水平伸缩装置9为气缸。也可以选用电动推杆等其他伸缩装置代替。

通过竖直伸缩装置8和水平伸缩装置9将支撑板10移动至蒸发源2上侧,通过转轴11以及叶片12对蒸发源2内的膜料进行搅拌,一方面有助于预熔时膜料中气体的排出,提高气体排出效率,另一方面也有助于膜料的加热均匀,缩短预熔时间。

所述支撑板10上设有散气孔14。设置的散气孔14,有助于膜料中气体的排出,减少支撑板10对气体排出的阻挡作用。

所述支撑板10的上侧设有集气罩15,集气罩15和支撑板10之间形成集气腔16,集气腔16通过导气管17与抽气管5连通。

通过集气罩15对膜料排出的气体进行收集,再通过导气管17导出,与真空泵6配合,将气体排出,一方面由于对膜料排出气体的收集,防止在预熔的过程中对基片进行镀膜,影响镀膜质量;另一方面有利于气体的排出。

优选的,所述镀膜箱1顶部设有第二电机18,第二电机18的输出端通过转动轴19与镀膜伞架3连接。第二电机18为减速电机。通过第二电机18驱动,带动镀膜伞架3转动,从而使镀膜伞架3上的基片位置发生移动,保证基片镀膜均匀。

本实用新型的具体使用过程如下:首先滤光片基片用干净的布片和有机溶剂进行清洁处理;将基片固定在镀膜伞架3上,并在蒸发源2内填充膜料;对镀膜箱1内进行抽真空;随后对蒸发源2内的膜料进行预熔,伸缩竖直伸缩装置8和水平伸缩装置9,将支撑板10移动至蒸发源2上侧,启动第一电机13,叶片12对膜料进行搅拌;预熔完成后,通过竖直伸缩装置8和水平伸缩装置9将支撑板10移开,提高蒸发源2的加热温度,开始进行镀膜。

上述的实施例仅为本实用新型的优选技术方案,而不应视为对于本实用新型的限制,本实用新型的保护范围应以权利要求记载的技术方案,包括权利要求记载的技术方案中技术特征的等同替换方案为保护范围。即在此范围内的等同替换改进,也在本实用新型的保护范围之内。

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