本发明涉及在制造具有集成电路的物件中用于在钯活化层沉积于衬底上之前使用的新颖水性碱性预处理溶液及其方法，特定来说所述溶液和所述方法可用于高密度互连(hdi)和封装衬底应用的除胶渣和金属化(用于印刷穿孔)工艺步骤，更特定来说用于金属化具有导电和非导电表面的衬底以制造印刷电路板、尤其多层板(mlb)和细线hdi板，其中可产生如盲微导通孔(bmv)、穿孔或互连的电路特征。
背景技术：
：常规印刷电路板(pcb)包含层压非导电介电衬底，其依赖于钻孔和电镀穿孔(pth)以在板的相对侧和/或内层之间形成连接。无电电镀是熟知用于在表面上制备金属涂层的工艺。介电表面上的无电电镀需要催化剂的在先沉积。在无电电镀之前用以催化或活化层压非导电介电衬底区域的常用方法包括在酸性氯化物介质中利用水性锡-钯胶体处理板或利用碱性离子钯溶液处理、随后利用适当还原剂还原。前述胶体是由锡(ii)离子的稳定层围绕金属钯核心组成。[sncl3]-络合物的壳充当表面稳定基团以避免悬浮液中的胶体凝聚。前述离子钯溶液包含钯盐以及适宜配体且其中离子钯的还原可通过基于硼烷的还原剂完成。存在许多影响上述催化方法的性能的因素。胶体钯活化剂对氧化敏感，而离子钯活化剂可由于先前处理溶液中所含组分的带入(dragging-in)而使其功能受影响。举例来说，带入到典型离子钯活化溶液中的铜离子易于作为水合铜氧化物或作为氢氧化铜沉淀。在利用碱性离子钯催化剂处理衬底之前，通常将衬底浸没于酸性浴中。此处理之后，然后直接用碱性离子钯催化剂处理衬底，而不实施衬底的中间冲洗。因此，酸性预浸剂处理溶液直接带入到碱性离子钯溶液中，此可导致水合钯氧化物或氢氧化钯的不需要的沉淀。前述酸性预浸剂处理溶液通常含有表面活性剂且因此可易于起泡。通过前述碱性离子钯催化剂方法活化在此之前利用所述酸性预浸剂处理溶液处理的衬底可导致在衬底上形成非特定钯层，此随后可在后续工艺中导致不完全铜蚀刻并因此短路。随着电子工业由于诸如盲微导通孔(bmv)和导电迹线的板特征持续小型化而对高密度互连(hdi)板和多层板(mlb)的制造中的质量和可靠性的要求不断提高，业内需要使所述短路的形成风险最小化。另外，由于具有新性质的衬底材料的不断变化，业内还要求在各种不同衬底上的优良覆盖性能。发明目标因此，本发明的目标是克服现有技术的缺点并提供用于改进钯活化层在衬底上的后续沉积的方法。本发明的另一目标是改进钯层在众多种衬底材料上、尤其在包含有机聚合物和玻璃的复合衬底的玻璃组分上的吸附。本发明的仍另一目标是使用用于细线hdi、mlb和封装衬底的方法。仍另一目标是通过强健活化提高经良好处理衬底的产率并减少短路、尤其钯触发的短路。仍另一目标是减少碱性离子钯催化剂中所沉淀水合钯氧化物或氢氧化钯的量。仍另一目标是确保减少碱性离子钯催化剂中的起泡。技术实现要素：利用本发明解决这些目标。在本发明的一个方面中，提供在制造具有集成电路的物件中用于在钯活化层沉积于衬底上之前使用的水性碱性预处理溶液，其包含：-至少一种通式(i)的羟基羧酸或其盐[rch2-(rch)n-coo-]mmm+(i)其中n是2到4的整数且m是1或2，r独立地为h或oh，限制条件是至少一个r是oh，并且其中m为1的mm+是氢、铵或碱金属；或m为2的mm+是碱土金属，-至少一种聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯，-至少一种磺化脂肪酸或其盐。在本发明的另一方面中，提供预处理衬底的方法用于在制造具有集成电路的物件中将钯活化层后续沉积于所述衬底上，所述方法包含依给定顺序的以下步骤：(i)提供具有至少一个导电金属层表面和至少一个非导电表面的衬底；(ii)提供根据上述本发明溶液的水性预处理溶液；(iii)通过使所述衬底与所述水性预处理溶液接触来用所述预处理溶液处理所述衬底。在本发明的仍另一方面中，提供上述水性预处理溶液的用途用于在制造具有集成电路的物件中将钯离子层后续沉积于衬底上，其中所述溶液是在施加钯活化溶液之前直接施加，以在形成钯离子层的同时最小化钯粒子形成。“直接”在此上下文中是指其间不实施其它处理步骤，例如冲洗步骤。在本发明的仍另一方面中，提供本发明的水性预处理溶液或方法的用途用于在制造具有集成电路的物件中后续沉积金属层且特定来说用于在制造具有集成电路的物件中金属化至少一个非导电表面的至少一个凹入结构作为金属填充穿孔、盲导通孔或导线。特定来说，本发明导致颗粒形成的显著减少，由此使得在具有精细特征的电子物件(例如，hdi和mlb板)的制造中实现较高产率，其中线及间隔(l/s)可降低到75/75或至多25/25μm，并且例如对于水平应用，穿孔的纵横比为约1:3到约1:10且盲孔的纵横比为约1:1或至多1:1.15-1:2.3。对于垂直电镀应用，约1:3到约1:30的穿孔纵横比是可能的。同时，工艺提供优良覆盖性能，同时显著降低起泡行为。此外，本发明提供钯活化溶液在使用寿命内的稳定性能，这是因为后续所用钯活化溶液的活化剂性能不会因带入干扰量的预处理溶液的化合物(例如，溶解的铜离子)而受影响。利用本发明还可显示，所谓的焊料冲击测试后的电气可靠性还可满足电子工业的工业要求，优于现有技术的现有解决方案。此外，可显示，在使用本发明水性碱性溶液期间，随时间流逝直到使用寿命末期，电气可靠性测试的结果甚至上升。本发明可用于宽范围的不同供应商的不同基础材料。可用于本发明的衬底优选是具有至少一个非导电表面且具有至少一个导电金属层表面的非导电衬底，其中所述至少一个非导电表面是非导电衬底的一部分且因此由与非导电衬底相同的材料制得。导电金属表面与非导电表面的组合当其邻近彼此定位时可在例如印刷电路板中找到。非导电衬底优选选自玻璃、硅、树脂和塑料以及其混合物和掺合物。树脂和塑料包括通常用于电子工业的介电材料和通常用于制造待金属化的日用商品的材料。树脂和塑料优选选自环氧、聚酯(例如聚对苯二甲酸乙二酯(pet))、聚酰亚胺(pi)、聚四氟乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(abs)共聚物、聚酰胺(pa)、聚碳酸酯(pc)以及前述的混合物和掺合物。适宜玻璃优选选自硼硅酸盐玻璃、石英玻璃、硅石玻璃、氟化玻璃。硅优选包括多晶硅(包括经掺杂多晶硅，例如p掺杂多晶硅和n掺杂多晶硅)和单晶硅、氧化硅、氮化硅以及氧氮化硅。非导电衬底更优选包含聚酰亚胺树脂或环氧树脂。聚酰亚胺树脂可通过添加聚硅氧烷、聚碳酸酯、聚酯等来修饰。环氧树脂可为包含环氧树脂和玻璃纤维的组合的玻璃环氧板材料，或经修饰以具有低热膨胀和高玻璃化转变温度的玻璃环氧板材料，以构成高玻璃化转变温度玻璃环氧板材料。非导电衬底的至少一个非导电表面具有至少一个凹入结构。所述凹入结构优选选自由以下组成的群组：沟渠、盲微导通孔(bmv)、穿孔导通孔(thv)、穿玻璃导通孔(tgv)、穿硅导通孔(tsv)、掩埋式导通孔(或在制造工艺的后期变成所述掩埋式导通孔的导通孔)和前述任一者的混合物，更优选所述凹入结构是前述导通孔中的一者或这些导通孔的混合物。大多数情形中，此一衬底包含多个所述凹入结构。通过在本发明工艺中选择所述衬底，所指称的凹入结构优选用作本发明工艺中的表面。导电金属层表面可由例如作为互连的集成导电结构/图案、经填充微导通孔或盲微导通孔和衬底内至少在衬底表面处终止的线(在应用本发明之前已经存在的结构)形成。导电金属层表面优选选自铜、钨、钽、镍、钴、金以及前述的合金和混合物。所述优选金属、前述的合金和混合物广泛用于电子工业中。更优选者是铜和铜合金，这是因为其优良导电性使得其在电子工业中特别有用。最优选地，导电金属层表面是由铜组成。由于在本发明方法的步骤i)之前的在先步骤，可在这些在先步骤之后实施蚀刻步骤和清洁步骤以提供具有至少一个导电金属层表面(例如，铜)和至少一个非导电表面的衬底，其中所述导电金属层表面可包含金属氧化物、尤其氧化铜。在本发明的一个实施例中，衬底是耐热玻璃布衬底环氧树脂铜包覆的层压板材料，其中铜包覆层至少部分地或完全形成导电金属层表面。铜包覆层可包含氧化铜。衬底完全由所列示材料中的任一者或其组合制成，或其仅包含由所列示材料(上文)中的一或多者制成的表面。因此，衬底可选自由以下组成的群组：印刷电路板衬底、电路载体衬底、互连装置衬底和任何前述用于制造物件的前驱物。所述前驱物尤其包括fr-1、fr-2、fr-3、fr-4、fr-5、铜包覆材料和其压层。优选地，金属层表面的导电金属层、优选铜层具有几十纳米到几十微米的厚度，更优选具有0.1到1.5μm、最优选0.2到1μm的厚度。导电金属层可借助结合剂通过将铜箔结合到衬底上来形成，或金属层可借助干式方法或湿式方法(例如，溅镀或蒸气沉积)、随后铜电镀来形成，或为包含(例如)层压在一起的热塑性聚酰亚胺树脂和铜层的那些，或其中单一或多种类型的聚酰亚胺树脂已经流铸层压到铜层上的那些。本发明优选涉及在制造物件中的所谓电镀穿孔工艺且特定地旨在于非导电表面上在如导通孔的凹入结构内形成金属层，所述导通孔是例如盲微导通孔(bmv)、穿孔导通孔(thv)、穿玻璃导通孔(tgv)、穿硅导通孔(tsv)、掩埋式导通孔，其可预先通过钻孔工艺(例如激光钻孔或机械钻孔工艺)形成。本发明尤其确保穿孔内的适当润湿，对衬底进行预处理，并在蚀刻清洁后安全地移除剩余氧化铜。特定地，改进包含玻璃/树脂的衬底上的覆盖率。优选地，本发明方法涉及制造如用于高密度互连(hdi)和封装衬底应用的印刷电路板的物件，更特定来说用于金属化具有导电和非导电表面的衬底以制造如印刷电路板、尤其多层板(mlb)和细线hdi板的物件。根据本发明，至少一种羟基羧酸或其盐的适宜浓度为200到400mg/l。优选地，浓度为260到370mg/l、更优选280到350mg/l。在使用多于一种羟基羧酸或其盐的情形中，所用羟基羧酸或其盐的总量在所述浓度内。优选地，所述至少一种通式(i)的羟基羧酸或其盐[rch2-(rch)n-coo-]mmm+(i)具有4的整数n。更优选地，所有r均为oh且n为4。在另一优选实施例中，所有r均为oh，n为4且其中m为1且mm+为氢、钠、钾，或其中m为2且mm+为镁、钙。最优选地，至少一种羟基羧酸或其盐是葡萄糖酸或葡萄糖酸钠。利用羟基羧酸或其盐的优选浓度，例如，氧化铜的可溶性铜离子可经络合，而后续沉积钯活化层的钯离子将不会被络合。根据本发明，至少一种聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯的适宜浓度为0.4到1.2mg/l、优选0.6到0.9mg/l。在使用多于一种聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯的情形中，所用聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯的总量在所述浓度内。如果提到聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯，那么还包括具有代替氢的官能团(例如卤素、羟基等)的聚氧乙烯山梨糖醇酐脂肪酸酯的衍生物。在优选实施例中，脂肪酸酯是选自由以下组成的群组：单月桂酸酯、单棕榈酸酯、单棕榈油酸酯、单硬脂酸酯、单油酸酯、三硬脂酸酯或三油酸酯。根据本发明，至少一种磺化脂肪酸或其盐的适宜浓度为4到12mg/l、优选5到10mg/l、更优选6到9mg/l。在使用多于一种磺化脂肪酸或其盐的情形中，所用磺化脂肪酸或其盐的总量在所述浓度内。优选地，至少一种磺化脂肪酸是选自由以下组成的群组：不饱和具支链或无支链c16到c20脂肪酸或其混合物，更优选地至少一种磺化脂肪酸是饱和或不饱和无支链c16到c20脂肪酸。在优选实施例中，磺化脂肪酸的脂肪酸酯是选自由以下组成的群组：月桂酸、棕榈酸、棕榈油酸、硬脂酸、油酸或花生酸。本发明的水性碱性预处理溶液具有8到12、优选9.5到11.5的适宜ph范围。ph值可通过添加一或多种无机碱(例如氢氧化钠、氢氧化钾)来调整。另外地，可添加有机碱。本发明的方法用于通过钯活化溶液将钯活化层后续沉积于衬底上、尤其玻璃环氧板材料衬底。方法优选用于水平电镀设备中，其中通过输送装置传送衬底以借助电镀设备的处理模块处理。衬底(例如，板形工件)是以水平定向固持。输送装置优选使用输送辊或输送夹具以在水平定向上输送衬底。衬底在步骤(iii)中用水性碱性预处理溶液处理之后，衬底优选直接在利用钯活化溶液处理衬底的处理步骤(iv)中进行处理(没有诸如清洁或冲洗步骤等其它处理步骤)，其中钯离子层沉积于步骤(iii)的经处理衬底的表面上。通过在处理步骤(iii)之后直接处理衬底，可发现钯活化溶液的性能在使用寿命内稳定，这是因为后续所用钯活化溶液的活化剂性能不会因带入干扰量的预处理溶液的化合物(例如，溶解的铜离子)而受影响。钯活化溶液包含至少一个钯离子源。另外，溶液可包含其它金属离子源，例如钌离子源、铑离子源、钯离子源、锇离子源、铱离子源、铂离子源、铜离子源、银离子源、镍离子源、钴离子源、金离子源和其混合物。钯离子和所述额外金属离子吸附在所述衬底的表面上。在处理包含至少钯离子的衬底的表面(iv)之后，实施另一处理步骤(v)以利用包含至少一种适宜还原吸附于所述衬底表面上的金属离子(至少钯离子)的还原剂的溶液处理衬底，所述还原剂是选自由以下组成的群组：基于硼的还原剂、次磷酸根离子源、肼和肼衍生物、抗坏血酸、异抗坏血酸、甲醛源、乙醛酸、乙醛酸源、乙醇酸、甲酸、糖和前述酸的盐。通过处理从步骤(iv)获得的衬底，其中钯离子层优选仅沉积在所述至少一个非导电表面上，将吸附于其上的金属离子的至少一部分优选还原为相应金属态。步骤(v)在本文中还称为“还原步骤”。用于预处理衬底以在衬底上后续沉积钯层的本发明的水性碱性预处理溶液和方法在制造具有集成电路(例如，印刷电路板)的物件中进一步用于金属层之后续沉积。沉积是通过利用以金属化溶液处理衬底的处理步骤(vi)处理所述衬底的从步骤(v)获得的表面来提供，所述金属化溶液包含溶剂和至少一种待沉积金属离子源，使得金属或金属合金沉积于其上。步骤(vi)在本文中还称为“金属化步骤”。金属化溶液(也称为电镀浴)经选择为无电金属化溶液、电解金属化溶液或浸没金属化溶液。优选地，金属化溶液是无电金属化溶液，这是因为此将在步骤(v)获得的表面上最有效地形成金属或金属合金层。通常，金属化溶液包含溶剂、通常水和至少一种待沉积金属离子的源。其它可选组分是用于所述金属离子(例如下文提到的那些)的络合剂(或螯合剂)、所述金属离子的还原剂、稳定剂、共溶剂、润湿剂和功能性添加剂，例如增亮剂、加速剂、抑制剂、防锈剂。所述金属化溶液和组分已为业内已知。无电金属化溶液中的至少一种金属离子源优选选自由铜离子源、镍离子源、钴离子源和其混合物组成的群组，更优选铜离子源，这是因为铜沉积物的高导电性使得铜或铜合金在电子工业中的使用特别有用。与使用外部电子源的电解金属沉积方法相反，已知用于形成许多金属的金属膜的无电式工艺。无电电镀是在无外部电子供应帮助而是采用(化学)还原剂的情形下连续金属膜的受控自催化沉积。在本发明的上下文中，无电电镀应理解为借助(化学)还原剂(在本文中称为“还原剂”)的自催化沉积。金属沉积的另一形式是浸镀。用于钯活化溶液、钯还原溶液和无电式铜溶液的适宜溶液是公众所知的且可作为例如u活化剂、pwa或uplus从安美特德国公司(atotechdeutschlandgmbh)购得。实例现将通过参照以下非限制性实例来说明本发明。发现在这些实例中本发明所用化合物的相对比率是优选有用的，但不视为限制性的。i.背光测试：研究凹入结构中表面的金属或金属合金覆盖率可使用工业标准背光测试来评价在工艺中金属或金属合金对凹入结构的表面的覆盖率，其中将经电镀试件分段，以便当在强光源下观看时使得不完全覆盖的区域检测为亮点[参照us2008/0038450a1，其整体以引用的方式并入本文中]。通过在常规光学显微镜下所观察到光的量测定金属或金属合金沉积物的质量。背光测量的结果以d1到d10的标度给出，其中d1意味着最差结果且d10为最优选结果。显示d1到d10的结果的参照样品显示于wo2013/050332(以引用的方式并入本文中)的图3中。在不同测试中使用以下衬底作为试件：利用基于材料de104、de117、is410和185hr(来自伊索拉(isola))、r-1755c(来自松下电器(matsushita/panasonic))、np140、np140tl和np170(来自南亚公司(nanya))、s1141(来自胜宴公司(shengy))、kb6160a(来自建滔化工集团(kingboard))和it-185-tc(来自联茂电子(iteq))的试件。试件中的孔直径为1mm。如果需要，在施加本发明实例或比较实例的溶液之前，衬底经受此项技术中已知的除胶渣和清洁处理。施加本发明实例或比较实例的溶液之后，所有试件均直接用于下表i中所述的工艺中。将衬底按既定顺序以表中所给出的时间和温度浸于溶液中。表i：将铜沉积于衬底上的工艺.u活化剂浴钯离子浓度：300mg/l-ph：10neoganthp-wa浴neoganthp-wa浓度：6ml/l-ph：8无电铜浴本发明实例1在以下实例中，利用关于温度[℃]/原液的量[ml]/ph值的不同条件(参见表ii)测试基于材料isolais410的试件(例如，30/150/10显示d8.5的覆盖率结果)。试件利用本发明的水性碱性预处理溶液预处理，其中提供120ml(本发明实例1a)、150ml(本发明实例1b)和180ml(本发明实例1c)的原液并用碱性水稀释到1l的总体积，以获得本发明水性碱性预处理溶液，并根据表ii的条件施加。原液具有以下组成和条件：浓度：葡萄糖酸盐：1.9g/l聚氧乙烯山梨糖醇酐单硬脂酸酯：0.005g/l磺化棕榈油酸：0.046g/l-温度：35℃-ph：10试件随后根据上表i中的工艺进行处理。背光测量的结果以d1到d10的标度给出，其中d1意味着最差结果且d10为最优选结果，d7-d10是所需结果。可看出，预处理溶液在根据ph、浓度以及工作温度的既定工作范围中显示优良结果。表ii比较实例1利用以下组成和条件的水性酸性预处理溶液预处理以下不同的试件：浓度：硫酸氢钠:0.7g/lpeg1200:0.1g/l苯磺酸衍生物：0.18g/l-温度：25℃-ph：3背光测试：背光结果显示于表iii中。基于经处理试件评估铜覆盖率。背光值是从背光试件获得。可看出，本发明在宽范围的不同基础材料内工作良好。表iii：背光值比较实例2-5使孔直径为1mm的试件isolais410经受此项技术中已知的除胶渣和清洁处理且然后用含有以下不同添加剂的ph10的水性预处理溶液预处理：-比较实例2：脂肪醇聚伸烷基二醇醚浓度：0.015g/l-比较实例3：山梨酸钾浓度：0.02g/l-比较实例4：磺基水杨酸：0.0243g/l-比较实例5：peg1200浓度：0.1g/l在根据本发明实例1b和比较实例2-5的预处理步骤之后，所有试件均在预处理步骤之后直接以与上文表i中所述的相同方式处理。试件的背光结果汇总于表iv中。基于经处理试件评估铜覆盖率。背光值是从本发明实例1b和比较实例2-5的背光试件isolais410获得。表iv背光结果本发明实例1b8.6比较实例2-脂肪醇聚伸烷基二醇醚8.3比较实例3-山梨酸钾5.6比较实例4-磺基水杨酸6比较实例5-peg12003.9ii.预浸剂污染的活化剂浴的起泡行为衬底利用含有预处理溶液的所谓预浸剂处理之后，将衬底直接转移到碱性离子钯活化溶液而不进行冲洗。因此，钯活化溶液直接受到预浸剂处理溶液中的组分的污染。表v显示以下各项的起泡行为：未污染的催化剂处理溶液、经根据比较实例1中所述组成的预浸剂污染的催化剂处理溶液和经根据本发明实例1b中所述组成的预浸剂污染的催化剂处理溶液。可看出，经根据本发明实例1b中所述组成的预浸剂污染的催化剂处理溶液展示显著比经根据比较实例1中所述组成的预浸剂污染的催化剂处理溶液少的泡沫，由此证实本发明实例1b显著改进起泡特征。表viii.预浸剂污染的钯活化溶液中的粒子形成衬底利用预处理溶液(预浸剂)处理之后，将衬底直接转移到碱性离子钯催化剂而不进行冲洗。因此，催化剂直接受到预浸剂处理溶液中的组分的污染。表vi描述以下各项的粒子形成行为：未污染的催化剂处理溶液、经根据比较实例1中所述组成的预浸剂污染的催化剂处理溶液和经根据本发明实例1b中所述组成的预浸剂污染的催化剂处理溶液。可看出，经根据本发明实例1b中所述组成的预浸剂污染的催化剂处理溶液含有显著比经根据比较实例1中所述组成的预浸剂污染的催化剂处理溶液少的粒子，由此证实本发明实例1b显著改进粒子形成特征。表vi预浸剂污染的活化剂浴(1:10稀释)粒子数量/ml平均大小[μm]标准偏差[μm]比较实例1168.2k2,7191.03本发明实例1b68k2,8691.46“经水污染”用于比较34k3,1071.14iv.电气可靠性测试为测量特定处理溶液对电气可靠性的效应，通常使用业内已知的所谓焊料冲击测试。在此测试中，将具有铜内层的适宜试件除胶渣，清洁，活化，无电电镀，电解强化并准备用于焊料冲击，如此项技术中所知。试件然后根据所需的条件经受焊料冲击处理并在适当试样包埋和通过磨削进行横截面制备之后在显微镜下检查。在借助显微镜查看试样的同时，对互连缺陷(icd)的数目(也就是，试件铜内层与经沉积铜之间的分离数目)进行计数：icd计数越少，所研究系统的电气可靠性越高。表vii含有经根据本发明实例1b的预浸剂溶液处理的试件和经根据比较实例1的预浸剂溶液处理的试件的焊料冲击测试结果。对于以下两个测试，使用288℃或326℃的焊料浴温度并以既定顺序实施以下焊料冲击程序：1.使试件在288℃或326℃焊料表面上漂浮10s，2.将试件从288℃或326℃焊料表面移除并在非导电表面上冷却，直到达到室温，3.将试件翻转并使新表面在288℃或326℃焊料表面上漂浮10s，4.重复步骤2和3，直到试件对于288℃漂浮总共6次且对于326℃漂浮9次，5.包埋和横截面制备。表vii在表vii中可看出，对于288℃测试条件，本发明实例1b的焊料冲击测试性能与比较实例1没有区别。根据甚至更严格的326℃测试条件，可看出，本发明实例1b的电气可靠性稍好于比较实例1且随时间推移在溶液运行时得到改进。利用本发明实例1b的测试，模拟由于本发明溶液直接带入含有钯活化溶液的活化剂模块中而“随时间推移的实际生产条件”。因此，将全部量的本发明溶液加上某一铜量在最少时间内转移到钯活化溶液并位于其中。为模拟此顺序，将全部制得量的本发明实例(150ml/l)立即倾倒于钯活化溶液中。之后，添加100ppm呈溶解cuso4x5h2o的形式的铜离子并根据相关技术数据表单(tds)调整钯活化溶液的ph值。100ppm铜离子的量为所有常规预浸溶液(预处理溶液)的tds，其中将铜离子的此量设定为限值。当前第1页12