蒸发器衬底装载相关方法与流程

相关专利申请的交叉引用

本申请要求授予seddon等人的名称为“蒸发器衬底装载系统及相关方法(evaporatorsubstrateloadingsystemsandrelatedmethods)”的美国临时专利申请62/830,803的提交日期的权益，该申请提交于2019年4月8日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。

本文档的各方面整体涉及用于自动将衬底装载到机器中的系统和方法。更具体的实施方式涉及使用机器人来装载衬底。

背景技术：

半导体衬底用于形成各种半导体器件。半导体器件通常分布在多个管芯中的半导体衬底的平坦表面上。可在半导体衬底的与多个管芯相对的一侧上形成金属层作为背金属层。

技术实现要素：

装载蒸发器的方法的实施方式可包括：使用机械臂，从盒移除衬底并且将衬底居中在衬底对准器上。所述方法可包括使用所述衬底对准器对准所述衬底。该方法还可包括使用机械臂从衬底对准器移除衬底，以及使用机械臂将衬底装载到蒸发器的行星的第一可用凹腔中。所述方法还可包括在检测到所述第一可用凹腔中存在所述衬底之后，将所述行星旋转到第二可用凹腔。

装载蒸发器的方法的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

在使用光学传感器或真空传感器之一将衬底装载到第一可用凹腔中之后，从机械臂检测不存在衬底。

可以使用传感器来检测第一可用凹腔中存在衬底。

该方法还可包括将附加衬底装载到行星中，直到没有可用凹腔为止。

可能没有耦接到衬底的载体。

衬底可具有小于39微米的平均厚度。

衬底可具有小于10微米的平均厚度。

衬底可耦接到背面研磨带。

卸载蒸发器的方法的实施方式可包括：提供具有多个凹腔的蒸发器行星。每个凹腔可具有装载在其上的衬底。该方法可包括使用机械臂从行星中的凹腔中的一个凹腔移除多个衬底中的一个衬底。该方法可包括使用机械臂将衬底放置在衬底对准器上，以及使用衬底对准器将衬底居中。该方法可包括使用机械臂从衬底对准器移除衬底。该方法可包括使用机械臂将衬底放置在盒中。

卸载蒸发器的方法的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

该方法可包括使用盒中的光学传感器来检测盒中的衬底。

该方法可包括重复移除衬底，直到在任何凹腔中没有衬底为止。

该方法可包括使用机械臂中的传感器来检测衬底的存在。

衬底可具有小于39微米的平均厚度。

多个衬底中的每个衬底可在多个衬底的侧面上包括材料的蒸发层。

该方法还可包括从盒移除单个半导体晶圆。

将衬底装载和卸载到蒸发器中的方法的实施方式可包括：通过以下操作装载衬底：提供具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面的衬底。衬底的第一侧面可包括有源区域。衬底可被包括在盒中。该方法可以包括使用机械臂将晶圆从盒卸载到衬底对准器上，以及使用衬底对准器对准衬底。该方法可以包括使用机械臂将衬底装载到蒸发器行星的可用凹腔中，以及将蒸发器行星旋转到另一可用凹腔。卸载衬底可包括：将蒸发器行星旋转到容纳衬底的凹腔。该方法可包括使用机械臂从凹腔卸载衬底。该方法可包括使用机械臂将衬底装载到衬底对准器中，以及使用衬底对准器对准衬底。该方法可包括使用机械臂从衬底对准器卸载衬底，以及使用机械臂将晶圆装载在盒中。

将衬底装载和卸载到蒸发器中的方法的实施方式可包括：

卸载的衬底可包括位于衬底的第二侧面上的材料。

衬底可不耦接到载体。

衬底可耦接到背面研磨带。

晶圆可包括小于39微米的平均厚度。

对于本领域的普通技术人员而言，通过说明书和附图并且通过权利要求书，上述以及其他方面、特征和优点将会显而易见。

附图说明

将在下文中结合附图来描述实施方式，在附图中类似标号表示类似元件，并且：

图1是衬底盒的实施方式的俯视图；

图2是衬底对准器的实施方式的侧视图；

图3是机械臂的实施方式的俯视图；

图4是蒸发器行星的实施方式的侧视图；并且

图5是传感器/相机的侧视图，该传感器/相机用于将衬底的存在发送到蒸发器行星的凹腔中。

具体实施方式

本公开、其各方面以及实施方式并不限于本文所公开的具体部件、组装工序或方法元素。本领域已知的符合预期衬底装载系统的许多附加部件、组装工序和/或方法元素将显而易见地能与本公开的特定实施方式一起使用。因此，例如，尽管本发明公开了特定实施方式，但是此类实施方式和实施部件可包括符合预期操作和方法的本领域已知用于此类衬底装载系统以及实施部件和方法的任何形状、尺寸、样式、类型、模型、版本、量度、浓度、材料、数量、方法元素、步骤等。

对于平均厚度小于约40微米的半导体衬底，存在特定处理挑战。管芯处理、管芯强度以及用管芯和衬底执行处理操作全都存在特定挑战，因为管芯和衬底破损可显著降低产率并且/或者影响器件可靠性。还可作为在晶圆的第二侧面上形成金属层的过程的一部分而发生损坏。该衬底可在从载体移除该衬底的同时被损坏。

术语“衬底”是指半导体衬底，因为半导体衬底是一种常见类型的衬底，然而，“衬底”并非是用于指代所有半导体衬底类型的专门术语。类似地，术语“衬底”可以指晶圆，因为晶圆是常见类型的衬底，但是“晶圆”不是用于指称所有晶圆的专门术语。以非限制性示例的方式，本文档中公开的可用于各种实施方式的各种半导体衬底类型，可为圆形的、倒圆的、正方形的、矩形的或任何其他封闭形状。在各种实施方式中，以非限制性示例的方式，该衬底可包括衬底材料，诸如单晶硅、二氧化硅、玻璃、砷化镓、蓝宝石、红宝石、绝缘体上硅、碳化硅、多晶或无定形形式的任何前述物质、以及可用于构造半导体器件的任何其他衬底材料。在特定实施方式中，该衬底可为绝缘体上硅衬底。

在本文档公开的各种实施方式中，该半导体衬底包括多个半导体管芯，该多个半导体管芯已使用半导体制造工艺进行处理以在半导体衬底中或在半导体衬底上形成一个或多个半导体器件(未示出)。该多个管芯已在半导体衬底的第一侧面或有源侧面上被处理。这可包括在衬底的第一侧面上形成多个层。该多个层可被图案化，并且在各种实施方式中，可被图案化(或以其他方式被移除)成不位于衬底中的管芯通道之上。以非限制性示例的方式，多个层可包括一个或多个金属层、一个或多个钝化层、任何其他层，以及它们的任何组合。在各种实施方式中，多个管芯可包括功率半导体器件，诸如(以非限制性示例的方式)mosfet、igbt或任何其他功率半导体器件。在其他实施方式中，多个管芯可包括非功率半导体器件。

在完成制造工艺之后(或在一些实施方式中，在该制造工艺的一些部分期间)，该半导体衬底在该半导体衬底的一侧面上减薄至期望衬底厚度，该侧面与其上已形成一个或多个半导体器件的侧面相反。使用背面研磨、打磨、蚀刻、其任何组合或用于在衬底的最大平坦表面上基本上均匀地移除半导体衬底的材料的任何其他技术来进行该减薄工艺。

在各种实施方式中，可将衬底减薄至小于50微米(μm)的平均厚度。如本文所用，“平均厚度”是指在衬底的最大平坦表面的至少大部分上的衬底平均厚度。在其他实施方式中，可将衬底减薄至小于30μm的平均厚度。在另外其他实施方式中，可将衬底减薄至小于100μm、大于100μm的平均厚度，并且在其他各种实施方式中，该衬底可不被减薄。在特定实施方式中，可将衬底减薄至约25μm的平均厚度，并且在其他特定实施方式中，可将衬底减薄至约75μm的平均厚度。该衬底可通过背面研磨、蚀刻或任何其他减薄技术减薄。

在各种实施方式中，减薄工艺可在衬底周围产生边缘环。产生边缘环的背面研磨工艺的示例是由加利福尼亚州圣克拉拉市的迪斯科高技术美国公司(discohi-tecamerica，inc.)以商标名taiko销售的背面研磨工艺。边缘环用于在减薄之后在结构上支撑衬底，使得在后续处理步骤期间不需要利用载体。在各种实施方式中，在半导体衬底已被安装到背面研磨带之后，可以进行减薄工艺，无论是否在背面研磨期间形成边缘环。在各种实施方式中，可采用各种背面研磨带，包括与后续等离子体蚀刻操作兼容的那些背面研磨带。在其他实施方式中，半导体衬底可不耦接到背面研磨带。

在各种实施方式中，在减薄工艺之后，将金属层施加到该半导体衬底的第二侧面。在一些实施方式中，该金属层可被称为背面金属层或背金属层。在各种实施方式中，背金属层可以是铜或铜合金。在一些实施方式中，该金属可包括钨、锡、金、钛、铝、银、镍、铬、它们的合金、或它们的任何组合。在其他实施方式中，该背面金属层可包括任何其他类型的金属、它们的合金、或它们的组合。在各种实施方式中，背面金属层可为约10μm厚。在其他实施方式中，背面金属层可厚于10μm或薄于10μm。在各种实施方式中，背金属层也可包括包含粘附和/或扩散阻挡层的各种层。

对于约5微米-39微米范围内的薄晶圆，溅射金属沉积工艺将太多的能量施加到减薄的衬底中。结果，由于其非常低的热质量，溅射在短时间内增加了衬底的温度并且可以使薄衬底过热。在各种工艺中，在成功完成溅射工艺之前，衬底在几秒钟内过热。热能来自在溅射工艺期间发生的离子轰击以及晶圆上溅射金属的冷却。能量也可能来自衬底周围形成的等离子体的红外加热。减慢溅射工艺以降低衬底所承受的能量和热量可能会使该工艺减慢太多，以至于无法达到当前期望的处理周期时间。冷却卡盘也可能不是与溅射室中的超薄衬底一起使用的可行工具。静电卡盘可能无法与超薄衬底一起工作，这是因为由于残留在衬底中的半导体材料量少，减薄的衬底产生的电容不足而无法使其与卡盘耦接。

与使用溅射工艺施加金属时始终存在的加热相反，使用蒸发工艺不会导致衬底材料过热。这至少是因为在该工艺期间没有等离子体撞击在衬底上，并且蒸发工艺是从真空室内产生的金属蒸气引起的材料冷凝工艺。在本文公开的各种方法实施方式中，可使用蒸发来形成材料层。可以使用蒸发方法的实施方式在衬底上形成材料层。在各种实施方式中，材料层可包括金属层。蒸发工艺可在蒸发器圆顶中进行。由于薄衬底的精密性质，可能需要用于将衬底自动装载到蒸发器圆顶中的方法。在各种实施方式中，该方法可包括使用如图3所示的机械臂。机械臂的实施方式可包括真空，以在将衬底装载到蒸发器圆顶中的各种方法中牢固地保持衬底。在一些实施方式中，机械臂可包括传感器，该传感器读取机械臂上的真空。在其他实施方式中，机械臂可包括与真空分离的光学传感器。在其他实施方式中，机械臂可包括用于保持衬底的夹持器。在其他实施方式中，机械臂可包括用于保持衬底的台子。在其他实施方式中，机械臂可具有伯努利末端执行器以运输减薄的晶圆。伯努利末端执行器会产生低压区域，晶圆将安置在该低压区域上，从而允许晶圆移动而臂实际上不会接触晶圆。在各种其他实施方式中，可以采用传感器和结构的各种组合以允许机械臂在运输衬底的同时感测衬底并保持在衬底上。

现在参照图1，示出了衬底盒2。盒2可包括用于保持衬底的开口4。在一些实施方式中，盒可以包括用于检测开口中衬底的存在的传感器。在其他实施方式中，蒸发器工具本身可包括用于检测盒槽中衬底的存在的光学传感器或其他盒读取传感器。光学传感器可以通过在光学传感器扫描盒时光被盒中的每个衬底阻挡而检测由传感器接收的光束的中断来工作以识别盒的特定槽中存在衬底。光学传感器或其他传感器也可用于检测开口中不存在衬底。换句话说，光学传感器或其他传感器也能够检测何时盒开口为空的并且可用于接纳衬底。盒2也可安装在盒保持器6上。在各种实施方式中，用户可以在将衬底自动装载到蒸发器行星中之前手动地检查盒并且将盒装载到盒保持器上并且将包括衬底的槽的数量输入蒸发器的晶圆处理控制系统的用户界面中。在各种实施方式中，本文描述的方法和系统可用于涉及蒸发的大批量处理制造操作中。

用于将衬底装载到蒸发器行星中的方法的实施方式可包括提供衬底。衬底可具有第一侧面和第二侧面。第一侧面可包括有源区域。在各种实施方式中，衬底可安装在带材上。该带材可以是背面研磨带。在一些实施方式中，可将衬底耦接/结合到载体(包括载体晶圆或载体衬底)。在其他实施方式中，晶圆可具有边缘支撑环。衬底可被包括在盒的开口4内。使用机械臂(诸如图3中所示的机械臂10)，可从盒2卸载衬底并且将衬底装载到衬底对准器8上。在各种实施方式中，衬底对准器可在结构上与图2所示的对准器相似。如本文所使用的，对准衬底可以包括确定衬底/晶圆的边缘的位置、找到衬底/晶圆的凹口或平坦部和/或确定衬底/晶圆的θ旋转。在一些实施方式中，对准衬底/晶圆可不包括确定衬底/晶圆的θ旋转或找到衬底/晶圆的凹口或平坦部。在各种实施方式中，对准器可包括传感器。该传感器可以是光学传感器。在一些实施方式中，光学传感器可以是相机。光学传感器可用于读取衬底的第二侧面上的衬底编号(或其他识别标记)并且验证衬底的批号，以确保存在应该为该批次的所有衬底，并且该批次实际上应该在此特定的蒸发器中进行处理。在其他实施方式中，机械臂10可包括传感器，该传感器可读取晶圆上包括的衬底编号/标识符。在其他实施方式中，机械臂10的末端执行器可对准/识别衬底本身以定位衬底的侧面或定位存在于衬底中的凹口或平坦部，而无需使用单独的独立对准器。

该方法还可包括使用机械臂10从对准器8移除对准/识别的衬底并且将衬底装载到蒸发器行星14的可用凹腔12中。参照图4，示出了蒸发器行星14的实施方式。蒸发器行星可包括多个凹腔12。多个凹腔中的每个可被构造为接纳衬底。在各种实施方式中，可从行星的背面装载晶圆。在其他实施方式中，可从行星的前面装载晶圆。该方法还可包括感测蒸发器行星的凹腔内的衬底的存在。衬底的存在可通过包括相机16的传感器来检测。相机16的放大视图在图5中示出。在一些实施方式中，相机16可放置在行星的内侧面。当相机或其他传感器位于行星的内表面时，它可能在蒸发工艺期间需要被屏蔽。在各种实施方式中，传感器可以是光学传感器。在其他实施方式中，传感器可以是压力传感器、重量传感器、物体接近传感器、红外传感器、超声传感器或能够识别凹腔中存在晶圆的任何其他传感器类型。该方法还可包括检测机械臂中不存在衬底，以验证衬底已经沉积到蒸发器圆顶中。该方法还可包括将蒸发器行星14旋转到另一可用凹腔12并且继续装载衬底，直到行星上所有可用凹腔都装载有衬底(或者盒中的所有衬底都已经装载到行星的可用凹腔中)。

在各种实施方式中，衬底可包括半导体晶圆。可以将半导体晶圆装载到晶圆中使得晶圆的第二侧面背对凹腔。在一些实施方式中，本文描述的方法可以在大批量处理设施中使用。将衬底装载到蒸发器行星中的实施方式可用作用于将金属层沉积到衬底上的方法的一部分。一旦已将衬底装载到蒸发器中，就可将一个或多个金属层蒸发到衬底的侧面上。

用于将金属层蒸发到衬底上的方法可包括在蒸发器圆顶内提供坩埚。在各种实施方式中，坩埚可包含一个隔室或可包括多个隔室，每个隔室用作其自己的坩埚。可蒸发到衬底的侧面上的不同材料位于不同的隔室内。在各种实施方式中，随着从一个或多个坩埚蒸发的金属蒸气凝结到衬底的暴露的背面上，金属层可沉积在衬底的背面上。隔室/坩埚中的材料可以是金属，包括但不限于钨、铜、钛、金、镍、银、锡、它们的合金、它们的任意组合或用于背面金属化的任何其他金属或晶圆的非有源侧面上的种子金属。在特定的实施方式中，可以将各种晶圆/衬底定位在蒸发器行星的凹腔中的坩埚上方预定距离处。加热元件可位于坩埚下方。在各种实施方式中，加热元件可以是感应加热元件并且可以围绕坩埚定位。在各种实施方式中，该方法可包括：使用射频(rf)发生器来操作加热元件以加热坩埚，以使坩埚中的材料中的一种或多种材料蒸发并且耦接到晶圆的第二侧面。

在各种其他蒸发方法的实施方式中，坩埚的加热可包括电阻加热或电子束加热。在电阻加热工艺期间，坩埚中的材料可处于高真空环境中并通过使用电阻加热元件加热该坩埚而被加热至其蒸发点。然后，蒸发的分子/原子从源头行进至衬底/晶圆，在那里它们在衬底/晶圆上一起成核，从而形成薄膜涂层。使用该技术可沉积各种材料，诸如铝、银、镍、铬、铜、锡、镁或本文提到的任何其他材料。

在电子束加热实施方式中，首先使电流通过长丝，这导致长丝的加热以及随后的电子发射。在该长丝和炉床之间施加高压，以使释放的电子朝向包含待沉积材料的坩埚加速。强磁场将电子聚焦成统一束；在到达时，该电子束的能量转移到沉积材料上，从而使沉积材料蒸发(或升华)并最终沉积到衬底/晶圆上。在蒸发期间向腔室中添加反应性气体(诸如氧气或氮气)的分压可用于将非金属膜材料反应性地沉积在行星凹腔中的衬底上。

在衬底的侧面上形成金属层的方法的一些实施方式中，坩埚的各个隔室可以在操作期间被覆盖以排除特定材料在沉积步骤期间不耦接到晶圆的侧面。在其他实施方式中，可同时揭开两个或更多个隔室以形成包括材料组合物的金属涂层。可以在各种蒸发方法中使用顺序覆盖和揭开各种隔室，以形成位于彼此上的各种材料的层。

在已经以期望的蒸发/升华工艺在蒸发器行星14中处理了衬底之后，可以从蒸发器行星14的凹腔12移除衬底。该方法包括将蒸发器行星14旋转到容纳衬底的凹腔12。使用机械臂10，该方法包括从凹腔12卸载衬底。机械臂10可包括真空装置，例如晶圆棒或非接触式伯努利处理机。在各种实施方式中，机械臂可包括用于处理衬底的夹持器。该方法可包括使用机械臂10将衬底装载到对准器8中并且在对准器8中对准衬底。可以通过凹口对准或通过衬底上的编号来对准衬底。该方法可包括从衬底对准器8卸载衬底并且将衬底装载到盒2中。在各种实施方式中，机械臂内的传感器可用于对准晶圆。在机械臂内对准传感器的情况下，可能不需要单独的对准器。在各种实施方式中，对准晶圆还可包括验证衬底的凹口或平坦部和/或衬底的标识编号/标识符。

在将衬底装载到蒸发器行星14中的方法的各种其他实施方式中，可使用机械臂10从盒2移除衬底。机械臂10可以是本文所述的任何实施方式。然后，以非限制性示例的方式，可通过凹口对准工艺使用衬底对准器来对准衬底。可使用机械臂将衬底从对准器移除，并且使用机械臂将衬底装载到蒸发器的行星的第一可用凹腔中。在各种实施方式中，可以将衬底安装在安装带、拾取带、背面研磨带或用于支撑和稳定平均厚度小于39微米的衬底的任何其他带。在一些实施方式中，衬底可包括边缘支撑环。本文描述的方法可支撑薄的或超薄的衬底，而不使用结合到衬底的载体。该方法可包括在检测到第一可用凹腔中存在衬底之后，将行星旋转到第二可用凹腔，并且在行星14中装载附加衬底，直到没有可用凹腔12为止。可通过行星14上的传感器来检测行星14的凹腔12内的多个衬底的存在。在各种实施方式中，传感器可以是相机16。

在将衬底装载到行星中之后，可以使用该文档中公开的任何蒸发方法来处理衬底。处理衬底的一种实施方式可包括在衬底的与衬底上的任何器件相对的侧面上形成金属层。在各种实施方式中，衬底可具有小于39微米的厚度。在一些实施方案中，衬底可具有约10微米的平均厚度。在其他实施方式中，衬底可具有约25微米的平均厚度。在从诸如玻璃板、载体晶圆、晶圆保持器或半导体衬底处理中使用的其他标准晶圆载体的标准载体移除期间，平均厚度在约5微米-39微米之间的晶圆可能破裂。处理方法的各种实施方式可包括衬底具有围绕衬底的周边设置的边缘环。在此类实施方式中，可利用镊子来处理晶圆的边缘环。在一些实施方式中，可利用真空装置如晶圆棒或非接触伯努利处理机来处理晶圆。在各种实施方式中，半导体晶圆的第一侧面可耦接到带材。以非限制性示例的方式，该带材可以是背面研磨带、拾取带或用于固定和稳定半导体晶圆的各种其他带材。在其他实施方式中，该半导体晶圆可不耦接到带材。

用于在衬底上形成金属层的方法可包括使用该文档中公开的任何加热方法将坩埚中的材料加热成蒸气。在各种实施方式中，可采用感应加热系统。该材料可与半导体衬底的侧面26耦接，从而将材料沉积在晶圆的侧面上并且形成涂层。在各种实施方式中，蒸发器圆顶可在材料蒸发期间旋转，以有助于在半导体晶圆的侧面上沉积均匀的材料涂层。该衬底可耦接到蒸发器圆顶中的开口中，该开口类似于桔片皮。对于直径为6英寸的晶圆，在各种实施方式中，可在单个蒸发器中处理32个晶圆。在其他实施方式中，可在单个蒸发器中处理相同大小的12个晶圆，其中晶圆具有8英寸的直径。在各种其他实施方式中，蒸发器可另外设计成允许处理直径大于8英寸的晶圆。

在衬底上形成金属层之后，可以在从蒸发器系统移除晶圆/衬底之后执行附加处理步骤。从包括多个凹腔12的蒸发器行星14移除衬底(每个凹腔12中都装载有衬底)可包括使用机械臂10从行星14中的凹腔12中的一个凹腔移除多个衬底中的一个衬底。在使用蒸发施加材料之后，该方法可包括使用机械臂10将衬底放置在衬底对准器8上。但是，如前所述，在各种实施方式中，机械臂可用于识别和对准衬底，而无需使用单独的对准器。机械臂10还可用于从对准器8移除衬底并且将衬底放置在盒2中。在一些实施方式中，在从蒸发器行星移除衬底之前，盒可以是完全空的。在其他实施方式中，盒可被部分填充。如本文档中公开的任何传感器可用于检测盒中衬底的存在和位置，以便将机械臂引导到处理过的衬底所放置的位置。该方法还可包括重复从多个凹腔移除剩余的衬底，直到蒸发器行星为空的。

从蒸发器行星移除衬底后，可对衬底进行进一步处理。附加处理步骤可包括从该晶圆切割多个半导体管芯。切割可包括等离子体蚀刻、激光、锯切或其他芯片切割方法。在一些实施方式中，可从晶圆的背面/第二侧面执行切割。切割可包括使用晶圆的正面上的对准特征部来对准晶圆。该对准特征部可包括在位于多个管芯之间的通道中。在各种实施方式中，该对准特征部可位于管芯的边缘上。当晶圆对准时，可通过激光切割、锯切或划线来在晶圆的第二侧面上形成多个对准标记。划线可包括使用触笔或划线工具。该多个对准标记可类似于晶圆的第二侧面上的穿孔标记。该多个对准标记能够用可见光相机或红外相机检测到。切割方法还可包括使用锯切、激光切割、或划线在晶圆的背面中形成槽状线。金属层在槽状线中可具有1微米的剩余的厚度。然后可通过锯切或激光切割穿过槽状线来切割多个管芯。

附加对准方法可包括在施加金属层之前将光致抗蚀剂施加到晶圆的第二侧面，然后图案化该光致抗蚀剂。该光致抗蚀剂可防止金属层形成在由该光致抗蚀剂覆盖的区域中。在形成金属层之后，可随后移除光致抗蚀剂以显示在金属沉积工艺期间受保护的两个或更多个对准标记。在未被光致抗蚀剂覆盖的区域中的管芯通道或管芯内的对准特征部能够使用可见光相机或红外相机通过两个或更多个对准标记来检测到。

将衬底装载到蒸发器中的方法的实施方式可包括在行星中装载附加衬底，直到没有可用凹腔为止。

将衬底装载到蒸发器中的方法的实施方式可包括没有耦接到衬底的载体的情况。

将衬底装载到蒸发器中的方法的实施方式可包括将衬底耦接到背面研磨带的情况。

将衬底装载到蒸发器中的方法的实施方式可包括衬底包括小于10微米的平均厚度的情况。

将衬底装载到蒸发器中的方法的实施方式还可包括：使用光学传感器或真空传感器中的一个，在将衬底装载到第一可用凹腔中之后，从机械臂检测不存在衬底。

从蒸发器圆顶卸载衬底的方法的实施方式可包括重复移除每个衬底，直到在多个凹腔中的任何一个中没有衬底为止。

从蒸发器圆顶卸载衬底的方法的实施方式可包括使用盒中的光学传感器来检测盒中的衬底。

从蒸发器圆顶卸载衬底的方法的实施方式可包括使用机械臂中的传感器来检测衬底的存在。

在以上描述中提到将衬底装载到蒸发器的方法的特定实施方式以及实施部件、子部件、方法和子方法的地方，应当易于显而易见的是，可在不脱离其实质的情况下作出多种修改，并且这些实施方式、实施部件、子部件、方法和子方法可应用于将衬底装载到蒸发器的其他方法。