专利名称：双真空室镀膜设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及金属材料的镀覆设备。
在真空镀膜技术中，无论是物理气相沉积法(PVD)还是化学气相沉积法(CVD)，大多是由一套真空机组和一套电控设备及一个真空室组成。这种结构在使用时由于装卸被镀工件和冷却，需占据整个设备工作时间很大比率，降低了工时的利用率。
本实用新型的目的在于提供一种比多台设备成本低、占地面积少，而大大提高了设备的工时利用率的一种新型镀膜设备。
本实用新型的目的可通过如下的措施达到一般的真空镀膜设备主要由真空抽气系统，电控设备，真空镀膜室，供气供水系统等组成。该设备的真空镀膜室为两个，为此在真空抽气系统中增加一套阀门，在电控系统的操作台上增加一个切换开关，通过该切换开关和一套阀门对两个真空镀膜室进行切换，使一个真空镀膜室在镀膜，另一个真空室在装卸被镀件或清理，周而复始，交替工作，从而大大提高了设备工时利用率。
以下结合附图及实施例对本实用新型的具体结构及工作原理进一步详述。
图1为本实用新型的原理示意图；图2为本实用新型的真空抽气系统与镀膜室连接结构示意图；图3为图2的俯视图。
图1给出了该设备的原理示意图，图2、3给出了该设备中真空抽气系统与真空镀膜室连接结构示意图。由图可见，该设备主要由真空镀膜室A、B，真空抽气系统C，电控系统D，供气、供水系统E组成。其特点在于对同一真空抽气系统及电控系统配有A、B两个真空室，且在由电控柜(16)和操作台(17)组成的电控系统D的操作台(17)上装有切换开关K，真空抽气系统中也增加了一套阀门，即由机械泵(1)、(2)，真空翻板阀(3)、(4)、(5)、(8)、(10)、(11)，油扩散泵(6)，冷阱(7)，调节阀(9)，放气阀(12)、(13)、(14)、(15)组成。该真空镀膜室可为“多活离子镀真空镀膜室”，或者“磁控溅射离子镀真空镀膜室”、“蒸发真空镀膜室”以及“空心阴极离子真空镀膜室”等。
该设备操作原理如下首先将操作台(17)上的切换开关K至a，开始启动机械泵(2)，同时真空翻板阀(4)打开，真空翻板阀(5)、(10)为关闭状态，此时对真空室A粗抽，当须要抽高真空时，扩散泵(6)已到正常工作状态，关闭真空翻板阀(4)，机械泵(1)和真空翻板阀(8)、(10)开启，此时对真空室A精抽至高真空，便可镀制产品。当镀制结束后，真空翻板阀(4)、(10)关闭，这时镀制件便可进行冷却或装卸及清理真空室。此时将操作台(17)上的切换开关K至b，机械泵(2)工作，真空翻板阀(3)开启，真空翻板阀(5)、(11)处于关闭状态，对真空室B粗抽，再开启真空翻板阀(5)、(11)，关闭真空翻板阀(3)，开始对真空室B精抽至高真空，打开真空翻板阀(12)或(14)，对真空室充气至常压，便可打开A室进行装卸工件及镀件准备，开始镀制产品，周而复始，交替工作。
本实用新型具有如下优点1、该设备比一套真空室设备提高了设备的工时利用率。
2、该设备比多台设备降低了制作成本及减少占地面积。
权利要求一种双真空室镀膜设备，主要由真空镀膜室，真空抽气系统C，电控系统D，供气供水系统E组成，其真空抽气系统C主要由机械泵(1)、(2)，真空翻板阀(4)、(5)、(8)，油扩散泵(6)，冷阱(7)，调节阀(9)，放气阀(12)、(14)组成，电控系统D由电控柜(16)，操作台(17)组成，其特征在于a、真空室由A、B两个组成；b、在电控系统D的操作台(17)上装有切换开关K；c、在真空抽气系统C中，增加一套阀门真空翻板阀(3)、(10)、(11)，及放气阀(13)、(15)。
专利摘要一种双真空室镀膜设备，属于一种镀覆设备。该设备用同一真空抽气系统及电控设备。配有两个真空镀膜室，为此在电控系统的操作台上装有切换开关，在真空抽气系统中增加一套阀门，以实现对两个真空镀膜室进行切换，使一个真空室在镀膜，另一个真空室在装卸被镀件或清理，交替工作。从而大大提高了设备工时利用率，而且比多台设备降低了制作成本及减少占地面积。
文档编号C23C16/54GK2119428SQ91225278
公开日1992年10月21日 申请日期1991年9月24日 优先权日1991年9月24日
发明者张宝复, 王福柱, 曲学基, 王增福, 刘毅, 张再呜, 张云汉 申请人:航空航天工业部第五研究院五一一研究所