专利名称：柔性卷绕镀膜机的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及在柔性基材上进行卷绕镀膜的设备。
低辐射膜系是一种应用广泛的膜系。通常，它是以玻璃为基材进行镀膜。其镀膜设备的主体是水平设置的相互独立的靶室。每一靶室完成一膜层的镀膜。显然，用此种设备进行镀膜，其生产是不能连续的，生产效率不高。并且镀膜的尺寸受到靶室尺寸大小的限制。另一方面，现有技术中有进行柔性卷绕镀膜的设备，如日本真空株式会社生产的柔性卷绕镀膜机。该设备主要包括卷绕室，镀膜室和辅助装置。卷绕室由收卷辊，放卷辊等组成，完成柔性基材的收放过程；镀膜室主要由蒸发源和供气管组成，完成镀膜工艺；辅助装置包括抽气装置，冷却装置等。但是这种设备只能够镀一层膜。
本实用新型目的是提供一种能在柔性基材上实现低辐射膜连续镀的设备。
本实用新型技术方案是在镀膜室中围绕冷却辊设置有多个磁控溅射靶，每两个磁控溅射靶之间设置有隔离槽，该隔离槽与抽气装置连通，在隔离槽上设有排气孔与靶室相通；隔离槽与冷却辊之间的距离不大于10mm；每一磁控溅射靶配有独立的布气管。
在柔性基材上镀低辐射膜，必须采用卷绕式多靶位连续镀，而且膜系中各层要求界面清晰，其中的金属层(大多是Ag)务必不能氧化，因此要求气氛的控制和隔离成了本装置的关键问题。本实用新型中，卷绕室和镀膜室是隔离的。由于隔离槽与冷却辊之间的距离不大于10mm，加上每一磁控溅射靶配有独立的布气管和隔离槽上开设的排气孔，使得各靶室之间不串气，可顺利实现多层的连续镀。至于靶室的数量由具体的镀膜工艺决定。例如，对于TiO2-Ag-TiO2膜系，至少需要三个靶室。
进一步的改进是针对靶室内的气流控制，本实用新型中在隔离槽中设有抽气隧道，该抽气隧道与抽气装置连通，抽气隧道上开设有排气孔与隔离槽相通。这样，减少了抽气装置对靶室内气氛的影响，这样的设计能增加供气的均匀性，提高膜层的质量。
在每一隔离槽与冷却辊之间还设有定挡板。该定挡板遮挡在膜层之上，使得卷绕的膜层在通过定挡板所覆盖的这一段时，不会有镀膜形成，也就是进一步保证了各膜层之间的界面清晰。
在对镀层监控方面，本实用新型采用直接测量膜层光学性质的探头，而不是传统的对膜层厚度进行测量的方法。在卷绕镀过程中，分别监控各层膜厚度是无法实施的，并且监控系统将非常复杂。而通过监控膜层的最终性能，能反映各膜层厚的情况，以便能随时有效地调整膜层厚度。
本实用新型提供的柔性卷绕镀膜机，能实现在柔性基材上进行低辐射膜的连续镀。
图1是本实用新型实施例的结构示意图；图2是本实用新型实施例中隔离槽的剖视图；图3是本实用新型实施例中隔离槽的截面图。
实施例如
图1所示，本实用新型实施例由卷绕室2和镀膜室17等组成，卷绕室2与镀膜室17之间用中隔板9隔开。卷绕室2中设置有收卷辊3和放卷辊1，各自配置有一组导向辊6，张力辊7，压辊8，在靠近放卷辊1的一侧设有离子清洗器18，对镀膜前的柔性基材进行清洗。在靠近收卷辊3的一侧设有测量膜层透光率的监控探头4。卷绕室2的外壳上开有观察窗5。镀膜室17中设置有冷却辊15，围绕冷却辊设置有5个磁控溅射靶10。各靶的靶源根据实际镀膜工艺要求而定。每一磁控溅射靶10配有独立的布气管13。两靶之间设置有隔离槽14。隔离槽14与冷却辊15之间设有定挡板11。在隔离槽14上与靶室12相接触的面和与冷却辊15相对的面上各设有一排抽气孔21，22，23，如图2，3中所示。在隔离槽14内还设有抽气隧道16。在抽气隧道16上也开设有一排抽气孔20。该抽气隧道16与抽气装置相通。
权利要求1.柔性卷绕镀膜机，包括卷绕室和镀膜室以及辅助装置，其特征在于在镀膜室中围绕冷却辊设置有多个磁控溅射靶，每两个磁控溅射靶之间设置有隔离槽，该隔离槽与抽气装置联通，在隔离槽上设有排气孔与靶室相通；隔离槽与冷却辊之间的距离不大于10mm；每一磁控溅射靶配有独立的布气管。
2.根据权利要求1所述的柔性卷绕镀膜机，其特征在于在隔离槽中设有抽气隧道，该抽气隧道上也开设有排气孔与隔离槽相通；抽气隧道与抽气装置相通。
3.根据权利要求1所述的柔性卷绕镀膜机，其特征在于在卷绕室中设置有直接测量所镀膜系透光率的探头。
4.根据权利要求1所述的柔性卷绕镀膜机，其特征在于在每一隔离槽与冷却辊之间设有一定挡板。
专利摘要本实用新型涉及一种柔性卷绕镀膜机。它是由卷绕室,镀膜室以及辅助装置组成;在镀膜室中围绕冷却辊设置有多个磁控溅射靶。两个靶之间设置有隔离槽,隔离槽与抽气装置相通,隔离槽与冷却辊之间的距离不大于10mm;每个靶配置有独立的布气管。本实用新型实现了在柔性材料上进行低辐射膜的连续镀。
文档编号C23C14/56GK2339589SQ98231060
公开日1999年9月22日 申请日期1998年7月15日 优先权日1998年7月15日
发明者彭传才, 黄广连, 曹志刚, 胡云慧, 余圣发, 魏敏, 李京增 申请人:长沙国防科技大学八达薄膜电子技术研究所