蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀速度计算方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀速度计算方法，尤其涉及应用于显示基板的制造的薄膜形成用蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀速度计算方法。
【背景技术】
[0002]显示面板包括液晶显示面板、有机发光显示面板、等离子体显示面板等。这种显示面板可由多个薄膜(Thin Film)构成。多个薄膜大部分通过蒸镀工艺来形成。在进行蒸镀工艺之后，测量薄膜是否按所设定的基准厚度形成，从而当所设定的基准厚度与实际厚度不同时，校正蒸镀比率。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于提供一种能够从被气化的蒸镀物预测将形成于基板的蒸镀薄膜的厚度的蒸镀装置及利用该蒸镀装置的蒸镀速度计算方法。
[0004]根据本发明的一实施例的蒸镀装置包括:蒸镀源，使蒸镀物气化；真空腔室，提供内部空间，以使被气化的所述蒸镀物蒸镀到基板上；泵浦光源，向被气化的所述蒸镀物照射第一偏光，以使被气化的所述蒸镀物极化成使被气化的所述蒸镀物沿预定方向形成电场；以及蒸镀速度计算单元，测量所述电场的强度以算出所述蒸镀物的蒸镀速度。
[0005]此时，所述泵浦光源可以是脉冲激光器。
[0006]所述蒸镀速度计算单元可包括:光照射部，向被极化的所述蒸镀物照射第二偏光；光接收部，从被极化的所述蒸镀物接收第三偏光，并测量所接收的所述第三偏光的偏振状态；以及计算部，从所述第三偏光的偏振状态算出所述蒸镀物的蒸镀速度。
[0007]所述第三偏光可以是所述第二偏光的振动方向因被极化的所述蒸镀物而变形的偏光。
[0008]所述光照射部可包括:光源，发出光源光；以及第一偏光器，将所述光源光偏振成所述第二偏光。
[0009]所述光照射部还可包括测量所述第二偏光的偏振状态的第一测量部。
[0010]所述光照射部还可包括:透镜，使所述第二偏光聚光；以及光学斩波器，放大从所述透镜接收到的所述第二偏光的强度。
[0011]所述光接收部可包括:第二偏光器，接收所述第三偏光，且具有与所述第一偏光器不同的透过轴；第二测量部，通过借助所述第二偏光器而被偏振的第三偏光的光量来测量所述第二偏光器所接收到的所述第三偏光的所述偏振状态。
[0012]所述光源可以是激光器，所述第二测量部可以是光检器。
[0013]并且，所述光源可以是灯，所述第二测量部可以是光谱仪。
[0014]所述第一偏光器可以是格兰泰勒偏光器。
[0015]所述光接收部包括:相位延迟器，接收所述第三偏光并延迟所述第三偏光的相位；偏光棱镜，接收相位被延迟的所述第三偏光，分离为沿着彼此不同的轴偏振的第一子偏光和第二子偏光；以及第二测量部，分别测量所述第一子偏光和所述第二子偏光的光量以测量所述第三偏光的偏振状态。
[0016]所述相位延迟器将所述第三偏光的相位延迟四分之一波长，所述偏光棱镜可包含沃拉斯顿棱镜。此时，所述第二测量部可以是平衡检波器。
[0017]根据本发明的一实施例的蒸镀速度计算方法包括如下步骤:气化蒸镀物；向被气化的所述蒸镀物照射第一偏光；向被极化的蒸镀物照射第二偏光；以及从被极化的所述蒸镀物接收所述第二偏光的偏振状态发生变形的第三偏光，以算出蒸镀物的蒸镀速度。
[0018]根据本发明的一实施例的向被极化的蒸镀物照射第二偏光的步骤包括如下步骤:发出光源光；以及将所述光源光偏振为第二偏光，在偏振为所述第二偏光的步骤中可利用偏光棱镜。
[0019]算出所述蒸镀物的蒸镀速度的步骤可包括如下步骤:接收所述第三偏光；使所接收的所述第三偏光偏振；测量被偏振的第三偏光的强度，以测量所述第三偏光的偏振状态；以及从所述第三偏光的偏振状态算出所述蒸镀物的蒸镀速度。
[0020]根据本发明的一实施例的算出蒸镀物的蒸镀速度的步骤可包括如下步骤:接收所述第三偏光；使所接收的所述第三偏光的相位延迟而生成圆偏光；从所述圆偏光测量所述第三偏光的偏振状态；以及从所述第三偏光的偏振状态算出所述蒸镀物的蒸镀速度。
[0021]因此，根据本发明，即便不直接测量所形成的蒸镀薄膜的厚度也能够预测蒸镀薄膜的厚度，且在蒸镀过程中可实时地算出蒸镀速度。因此，能够节省显示基板的制造成本。
[0022]并且，根据本发明，用于计算蒸镀速度的测量设备可被布置在真空腔室的外部，因此可保护测量设备不受被气化的蒸镀物的影响，并减少更换的必要性，从而能够延长设备的寿命。
[0023]并且，根据本发明的蒸镀速度计算方法利用偏光使被气化的蒸镀物极化，并测量形成于内部的电场，从而可在进行蒸镀工艺过程中测量蒸镀速度。
【附图说明】
[0024]图1为示出根据本发明的一实施例的蒸镀装置的构成的方框图。
[0025]图2为根据光路径概略地示出根据本发明的一实施例的蒸镀装置的概略图。
[0026]图3为示出根据本发明的一实施例的蒸镀速度计算单元的动作的剖视图。
[0027]图4a至图4c为概略地示出被气化的蒸镀物的变化的图。
[0028]图5为示出根据本发明的一实施例的真空腔室内的偏振状态的投影图。
[0029]图6为根据光路径概略地示出根据本发明的另一实施例的蒸镀装置的概略图。
[0030]图7为示出根据本发明的一实施例的蒸镀速度测量方法的方框图。
[0031]图8为示出根据本发明的一实施例的蒸镀速度计算步骤的方框图。
[0032]符号说明:
[0033]100:真空腔室200:泵浦光源
[0034]300:蒸镀速度计算单元310:光照射部
[0035]320:光接收部PLl:第一偏光
[0036]G-EM:被气化的蒸镀物P-EM:被极化的蒸镀物
【具体实施方式】
[0037]在本说明书中关于“ 一个实施例”、“一实施例”等的说明，表示所说明的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，然而并不是所有的实施例必须包括特定的特征、结构或特性。而且，这些语句并不是必须指相同的实施例。而且，应当知道，对于特定的特征、结构或特性，在与一个实施例相关联而进行说明时，与是否明确进行了说明无关，为了实现这种特征、结构或特性，其可以与其他实施例相关联，这属于本发明所属技术领域中具有通常的知识的技术人员的知识范畴内。
[0038]在本说明书中使用的“光”包括粒子束，还包括根据电场和磁场的相互作用而行进的所有形态的电磁波。以下，参照附图详细说明。
[0039]图1为示出根据本发明的一实施例的蒸镀装置的构成的方框图。图2为根据光路径概略地示出根据本发明的一实施例的蒸镀装置的概略图。图2是在所述蒸镀装置EA的平面上概略地示出的图。以下，参照图1和图2详细说明根据本发明的蒸镀装置EA的构成。
[0040]如图1和图2所示，根据本发明的一实施例的蒸镀装置EA包括真空腔室100、蒸镀源CR、泵浦光源200以及蒸镀速度计算单元300。所述蒸镀速度计算单元300包括光照射部310、光接收部320以及计算部330。
[0041]所述真空腔室100包括未图示的底部和上部，并包括连接所述底部和所述上部的多个侧壁100H1?100H4。在所述底部可布置蒸镀源CR。所述蒸镀源CR向所述真空腔室100提供被气化的蒸镀物G-EM。
[0042]所述多个侧壁100H1?100H4包括在第一方向Dl上相面对的第一侧壁100H1及第二侧壁100H2、在与所述第一方向Dl交叉的第二方向D2上相面对第三侧壁100H3及第四侧壁100H4。所述多个侧壁100H1?100H4相互连接而形成真空状态的内部空间VS。
[0043]所述真空腔室100还可包括至少一个窗口 Wffl?WW3。在本实施例中，所述真空腔室100包括:布置于所述第一侧壁100H1的第一窗口 Wffl ;分别布置于所述第三侧壁100H3及第四侧壁100H4，且在所述第二方向上相面对地布置的第二窗口 WW2及第三窗口 WW3。
[0044]所述窗口 Wffl?WW3阻断所述被气化的蒸镀物G-EM从所述内部空间VS泄露，却可使光透过。因此，所述多个窗口 WW分别由光透过性高的物质(例如，玻璃或高分子膜)构成。
[0045]所述真空腔室100包括未图示的真空泵。所述真空泵将所述真空腔室100的内部空气释放到外部，以使所述内部空间VS变成真空状态。所述被气化的蒸镀物G-EM可容易地在所述真空状态的所述内部空间VS内扩散。
[0046]所述泵浦光源200布置在所述真空腔室100的一侧。所述泵浦光源200向所述真空腔室100照射第一偏光PLl。所述第一偏光PLl通过所述第一窗口 Wffl照射存在于所述真空腔室100的所述内部空间VS的所述被气化的蒸镀物G-EM。
[0047]在本实施例中，所述泵浦光源200可包括脉冲激光器(Pulsed Laser)。所述泵浦光源200向所述被气化的蒸镀物G-EM短时间内照射以脉冲形态输出的所述第一偏光PL1。
[0048]所述光照射部310布置在所述真空腔室100的一侧。所述光照射部310可布置在与所述泵浦光源200不同的一侧。但是，在其他实施例中，所述泵浦光源200可以与所述光照射部310并排地布置在所述真空腔室100的一侧，并不局限于某一个实施例。
[0049]所述光照射部310向所述真空腔室100照射第二偏光PL2。所述第二偏光PL2从所述第二窗口 WW2入射而照射到所述真空腔室100的所述内部空间VS。所述第二偏光PL2可以是为了测量所述被极化(polarizat1n)的蒸镀物的极化状态而向所述被极化的蒸镀物照射的探测光(Probe light)。探测光在不影响被光照射的物质的情况下检查所述物质的特性。