用于检测半导体制程中去离子水清洗阀异常的装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体化学机械研磨领域，特别涉及一种用于检测半导体制程中去离子水清洗阀异常的装置。
【背景技术】
[0002]半导体化学机械研磨设备研磨出晶片经常具有很高的不合格品率，其中有个重要因素就是控制衬垫高压冲洗单元及衬垫调节清洗单元的清洗阀出现异常情况，其表现为去离子水压力过低。
[0003]现有技术中不能实时检测去离子水清洗阀损坏、阻塞等异常工况。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是提供一种用于检测半导体制程中去离子水清洗阀异常的装置，在清洗阀与衬垫高压冲洗单元之间增加流量计，可以实时检测去离子水的流速及压力，从而及时检测出去离子水清洗阀损坏、阻塞等异常工况。
[0005]为了实现以上目的，本发明是通过以下技术方案实现的:
一种用于检测半导体制程中去离子水清洗阀异常的装置，其安装在若干个去离子水清洗控制单元中，每个所述的去离子水清洗控制单元包含通过管路依次相连的清洗阀、衬垫高压冲洗单元以及衬垫调节清洗单元，其特征在于，该装置包含:若干个流量监测部件，其分别对应设置在清洗阀与衬垫高压冲洗单元之间的管道上，监测去离子水的流速。
[0006]所述的流量监测部件为流量计。
[0007]本发明与现有技术相比，具有以下优点:
本发明在清洗阀与衬垫高压冲洗单元之间增加流量计，可以实时检测去离子水的流速及压力，从而及时检测出去离子水清洗阀损坏、阻塞等异常工况。
【附图说明】
[0008]图1为本发明一种用于检测半导体制程中去离子水清洗阀异常的装置原理图。
【具体实施方式】
[0009]以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本发明做进一步阐述。
[0010]如图1所示，一种用于检测半导体制程中去离子水清洗阀异常的装置，其安装在3个去离子水清洗控制单元中，每个所述的去离子水清洗控制单元包含清洗阀1、分别通过管路与清洗阀I相连的衬垫高压冲洗单元2以及衬垫调节清洗单元3，该装置包含:三个流量监测部件4，其分别对应设置在清洗阀I与衬垫高压冲洗单元2之间的管道上，监测去离子水的流速。所述的流量监测部件4为流量计。
[0011]当半导体化学机械研磨设备(CMP)坦化或磨平晶片时，去离子水从清洗阀I经由流量计分别流入衬垫高压冲洗单元2、衬垫调节清洗单元3，实时检测去离子水的流速及压力，通过查看流量计的参数，发现流速的变化，从而及时检测出去离子水清洗阀损坏、阻塞等异常工况。
[0012]尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
【主权项】
1.一种用于检测半导体制程中去离子水清洗阀异常的装置，其安装在若干个去离子水清洗控制单元中，每个所述的去离子水清洗控制单元包含清洗阀(I )、分别通过管路与清洗阀(I)相连的衬垫高压冲洗单元(2)以及衬垫调节清洗单元(3)，其特征在于，该装置包含:若干个流量监测部件(4)，其分别对应设置在清洗阀(I)与衬垫高压冲洗单元(2)之间的管道上，监测去离子水的流速。
2.如权利要求1所述的用于检测半导体制程中去离子水清洗阀异常的装置，其特征在于，所述的流量监测部件(4)为流量计。
【专利摘要】本发明公开了一种用于检测半导体制程中去离子水清洗阀异常的装置，其安装在若干个去离子水清洗控制单元中，每个所述的去离子水清洗控制单元包含通过管路依次相连的清洗阀、衬垫高压冲洗单元以及衬垫调节清洗单元，该装置包含：若干个流量监测部件，其分别对应设置在清洗阀与衬垫高压冲洗单元之间的管道上，监测去离子水的流速。流量监测部件为流量计。本发明可以实时检测去离子水的流速及压力，从而及时检测出去离子水清洗阀损坏、阻塞等异常工况。
【IPC分类】G01M13-00, B24B37-005
【公开号】CN104786134
【申请号】CN201410021713
【发明人】陈洪雷, 张中连
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2014年1月17日