基板处理设备的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及基板处理设备。
【背景技术】
[0002]在溅镀设备中，若是在处理腔的内壁上形成薄膜，则设备的维护会变得困难。因此，将可更换的防护屏蔽件设置在处理腔内以保护内壁。靶材和基板之间的距离(以下称作TS距离)会对所形成膜的膜厚或膜品质的均匀性造成影响，这是公知的。此外，随着靶材逐渐溅射并且侵蚀进展，膜厚或膜厚分布会有逐渐恶化的倾向，这亦为公知的。针对此种现象，改变TS距离对于膜品质的改善或稳定化而言是非常有效的一种方式。
[0003]为了能够改变TS距离，设置在溅镀设备内的屏蔽件由多个分割的屏蔽件所构成。在各屏蔽件之间形成有间隙。为了防止膜经由此间隙到达处理腔的内壁，该间隙包括窄路(迷宫)构造(例如，专利文献I)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2011-132580号公报
【发明内容】
[0007]发明要解决的问题
[0008]在配置成把制程气体导入至靶材附近的结构的情况下，制程气体经由屏蔽件之间的间隙到达真空泵。通过调整TS来改变间隙的构造。但是，由于制程气体流过的容易度也会同时改变，因此靶材附近的制程气体的压力会改变。
[0009]此外，如果采用把制程气体导入至真空泵附近的结构并且进行反应性溅镀(其中，原料气体会因在靶材或靶材附近处反应而消耗)，制程气体经由屏蔽件之间的间隙而流至靶材附近处。因此，当靶材和基板之间的位置关系调整时，制程气体压力也同样会产生变化。在专利文献I中，形成的排气路径具有比因TS距离变动所产生的传导度变化更大的传导度，因而减小了制程气体的压力变化。
[0010]但是，伴随着装置功能性的提高和缩微构造技术的进步，对于膜品质再现性的要求变得更加严格。因此，要求有更为精密的压力控制。也就是说，需要这样一种溅镀设备，其中，即使对靶材和基板之间的位置作调节时亦能够减小处理空间内的压力变化。
[0011]即使在诸如CVD设备或蚀刻设备之类的其他基板处理设备中，亦要求在使基板保持器移动时处理空间内产生的压力变化较小。
[0012]本发明的目的是提供一种能够在使基板保持器移动时抑制处理空间内的压力变化并且对于沉积高品质的薄膜有利的技术。
[0013]解决问题的方案
[0014]根据本发明的一方面，提供了一种基板处理设备，包括:处理腔；用以从处理腔排气的排气部；用以将气体导入至处理腔内的气体导入部；用以在处理腔内保持基板的基板保持器；设置在基板保持器的外周部处的第一屏蔽件；和设置在处理腔的内侧的第二屏蔽件；其中，处理腔的内部空间至少由第一屏蔽件、第二屏蔽件以及基板保持器划分为外部空间和用以对基板进行处理的处理空间；基板保持器能够沿着与保持基板的基板保持面相垂直的驱动方向被驱动；第一屏蔽件以及第二屏蔽件设置成不会产生从处理空间的中心或者是基板保持器的中心轴线到外部空间的直线路径；在由第一屏蔽件和第二屏蔽件所形成的间隙中，存在有在与驱动方向相垂直的方向上尺寸为最小的最小间隙部分，即使基板保持器沿驱动方向被驱动，最小间隙部分的在与驱动方向相平行的方向上的长度也不会改变。
[0015]发明的有利效果
[0016]依据本发明，可提供一种能够在使基板保持器移动时抑制处理空间内的压力变化并且对于沉积高品质的薄膜有利的技术。
【附图说明】
[0017]图1是用以对作为本发明基板处理设备的一例的溅镀处理设备作说明的图。
[0018]图2是用以对本发明的第一实施例作说明的图。
[0019]图3是用以对本发明的第二实施例作说明的图。
[0020]图4A是用以对本发明的第一实施例作说明的图。
[0021]图4B是用以对本发明的第二实施例作说明的图。
[0022]图5是用以对本发明的第三实施例作说明的图。
[0023]图6A是用以对本发明的第一实施例作说明的图。
[0024]图6B是用以对本发明的第三实施例作说明的图。
[0025]图7是用以对本发明的第四实施例作说明的图。
[0026]图8是用以对本发明的第一实施例的实例作说明的图。
【具体实施方式】
[0027]以下，参考附图，针对本发明的优选实施例作例示性的详细说明。但是，在实施例中所记载的构成要素仅为示例。本发明的技术性范围由权利要求范围所界定，而并不被以下的个别实施例所限定。
[0028]参考图1，针对溅镀设备I的全体构成作说明。图1为本实施例的溅镀设备I的概略图。
[0029]溅镀设备I包括可进行抽真空的处理腔2、经由排气口而与处理腔2连接的排气腔8、和经由排气腔8而从处理腔2排气的排气装置。排气装置包括涡轮分子泵48。干式密封真空泵49可连接到排气装置的涡轮分子泵48。在排气腔8的下方设置排气装置，以将整个设备的占地面积尽可能地缩小。
[0030]在处理腔2内，设置有经由背板5而将靶材4保持的靶材保持器6。基板保持器7在基板保持面上保持基板10，靶材保持器6的中心布置在相对于基板保持器7的中心位置(被基板保持器7所保持的基板10的中心位置)偏移的位置处。在靶材保持器6的附近设置有靶材闸门14。靶材闸门14具有旋转闸门的构造。靶材闸门14作为遮蔽构件，用以产生将基板保持器7和靶材保持器6之间路径遮蔽的闭状态(遮断状态)或者是在基板保持器7和靶材保持器6之间形成路径的开状态(非遮断状态)。靶材闸门14设置有用以开闭靶材闸门14的靶材闸门驱动机构33。
[0031]处理腔2还包括用以把惰性气体(氩等)导入处理腔2内的惰性气体导入系统15、用以导入反应性气体(氧、氮等)的反应性气体导入系统17、以及用以测定处理腔2的压力的压力计400。
[0032]用以供给惰性气体的惰性气体供给装置(气体钢瓶)16连接至惰性气体导入系统15。惰性气体导入系统15可包括用以导入惰性气体的配管、用以控制惰性气体流量的质量流控制器、以及用以遮断气体流动或开始气体流动的阀。惰性气体导入系统15还可根据需要而包括减压阀、过滤器等。惰性气体导入系统15具有能够使气体以控制装置(未图示)指定的气体流量稳定地流动的构成。惰性气体从惰性气体供给装置16供给，在惰性气体导入系统15中受到流量控制，然后导入至靶材4的附近。
[0033]用以供给反应性气体的反应性气体供给装置(气体钢瓶)18连接至反应性气体导入系统17。反应性气体导入系统17可包括用以导入反应性气体的配管、用以控制惰性气体流量的质量流控制器、以及用以遮断气体流动或开始气体流动的阀。反应性气体导入系统17还可根据需要而包括减压阀、过滤器等。反应性气体导入系统17具有能够使气体以控制装置(未图示)所指定的气体流量稳定地流动的构成。反应性气体从反应性气体供给装置18供给，在反应性气体导入系统17中受到流量控制，然后从设置在屏蔽件402处的反应性气体导入部导入至处理空间PS中。
[0034]反应性气体导入系统17可配置成将反应性气体导入至处于处理空间PS外部的外部空间OS中，处理空间PS由屏蔽件401、402、403、基板保持器7、靶材保持器6 (背板5)以及闸门收容部23划分。在此情况下，反应性气体能够经由屏蔽件403和基板保持器7之间的间隙而从外部空间OS导入至处理空间PS中。反应性气体亦可导入处理空间PS和外部空间OS 二者中。
[0035]惰性气体和反应性气体导入至处理腔2中，用来形成膜，通过排气腔8，并经由设置在处理腔2中的排气部而被涡轮分子泵48以及干式密封真空泵49排出。
[0036]处理腔2的内表面电接地。在处理腔2的内表面上设置有电接地的顶板屏蔽件401，其覆盖了处理腔2的顶板部的内表面中的除了配置有靶材保持器6的区域之外的区域。此外，在处理腔2的内表面侧设置有电接地的筒状屏蔽件402、403。以下，顶板屏蔽件401以及筒状屏蔽件402、403亦称作屏蔽件。所谓屏蔽件，是指这样一种构件，其与处理腔2相互独立地形成并可定期更换，用于防止溅镀粒子直接附着在处理腔2的内表面上并用以保护处理腔的内表面。屏蔽件例如可由不锈钢或铝合金来制成。在要求有耐热性的情况时，屏蔽件可由钛或钛合金来制成。在不要求耐热性的情况时，由于铝较钛更为低价并且比重较不锈钢更小，因此从成本经济性和作业性的观点来看可选择铝作为屏蔽件的材料。此夕卜，由于屏蔽件电接地，因此能够使在处理空间PS中所产生的等离子体稳定化。在各屏蔽件的表