结束，得到含有新型稀±侣酸盐石恼石结构化合物R3AI5O12或稀±侣 酸盐巧铁矿化合物xai〇3的双陶瓷层热障涂层。
[0070] 实施例1;在高温合金基体表面制备Y3AI成c/YSZ双陶瓷层热障涂层，具体步骤如 下：
[0071] 第一步，准备基体。高温合金基体材料分别经过200#、400#、600#砂纸打磨试样表 面，放入丙酬中超声波清洗15min，再进行表面喷砂预处理，备用。
[0072] 第二步，在基体上制备NiCoCrAlY粘结层；
[0073] 采用大气等离子喷涂方法在预处理的试样表面制备粘结层，主要工艺参数；电流 为650A，电压为70V，送粉率为15g/min，喷涂距离为120mm，主气流量Ar气为2200L/h，&气 流量为化/min。沉积时间为20min，得到厚度为90ym的NiCoCrAlY粘结层。
[0074]NiCoCrAlY粘结层制备完毕后取出试样，对粘结层进行真空热处理：温度950°C， 时间为2.化。
[0075] 第=步，在粘结层上制备第一陶瓷层和第二陶瓷层；
[0076] 采用大气等离子喷涂在粘结层表面制备第一陶瓷层，主要工艺参数：电流为 600A，电压为65V，送粉率为15g/min，喷涂距离为120mm，主气流量Ar气为2200L/h，&气流 量为化/min,沉积时间为20min，第一陶瓷层的沉积厚度为90ym。第一陶瓷层制备完毕后 接着按上述工艺参数制备第二陶瓷层锭侣石恼石YsAlgOjl，第二陶瓷层的厚度为90ym。
[0077] 第四步，制备结束，得到含有锭侣石恼石Y3AI5O12的双陶瓷层热障涂层。
[0078] 如图1所示，制备的涂层结构包括最顶端的锭侣石恼石Y3AI5O12陶瓷层、中间的 YSZ陶瓷层W及最下面的NiCoCrAlY粘结层。
[0079] 在制备的YSZ陶瓷层和双陶瓷层热障涂层表面分别涂覆CMAS粉体，CaO、MgO、Al2〇3 和Si化的摩尔比是23:14:13:50,所述CMAS粉体的粒度是60~80ym，涂覆密度为35mg/ cm2,然后在1250°C的管式炉中恒温热处理。1250°C保温化后，YSZ陶瓷层试样截面形貌如 图2A所示，可W看出CMAS作用下的YSZ陶瓷层发生开裂，裂纹贯穿整个YSZ陶瓷层，附图 2A中试样截面的面扫描图如图2B，Ca、A1、Si元素沿着YSZ陶瓷层裂纹深度向热障涂层内 部渗入，在YSZ陶瓷层/粘结层界面处富集。1250°C保温化后，双陶瓷层试样截面形貌如 图3A和3B所示，可W看出锭侣石恼石Y3AIA2陶瓷层的结构完整，未受到CMAS腐蚀。附图 3A和3B中试样的能谱分析结果见表1和表2,从能谱数据可W看出，在Y3AI5O。陶瓷层上方 的是CMAS粉，而Y3AI5O。陶瓷层中未出现化、Mg、Si元素，表明烙融的CMAS并没有渗透进 涂层中，Y3AI5O12陶瓷层有抵抗烙融CMAS腐蚀的作用。
[0080] 实施例2 ;在高温合金基体表面制备YAIO3/YSZ双陶瓷层热障涂层。
[0081] 将第二陶瓷层材料选为YA103,其余步骤同实施例1，制得YAIO3/YSZ双陶瓷层热障 涂层。
[00間实施例3 ;在高温合金基体表面制备GCI3AI5O12/YSZ双陶瓷层热障涂层，具体步骤如 下：
[0083] 第一步，准备基体。高温合金基体材料分别经过200#、400#、600#砂纸打磨试样表 面，放入丙酬中进行超声波清洗15min，再进行表面喷砂预处理，备用。
[0084] 第二步，采用电锻W及包埋渗的方法在基体上制备NiAlPt粘结层；
[0085] 首先，将第一步准备好的基体试样放入50mol/L的盐酸中活化处理60s后，用去 离子水冲洗干净。然后，将基体试样放入Pt电锻液中电锻Pt层，上述Pt电锻液的成分 是；亚硝酸二氨销（Pt(NH3)2(N〇2)2)含量为16g/L，硝酸锭（NH4NO3)含量为95g/L，亚硝酸钢 (NaN〇2)含量为12g/l，氨水（N& ? &0)含量为45g/L。电锻Pt的工艺参数为：电流密度为 1. 5mA/mm2,电锻时间为60min，锻液温度80°C，电锻Pt层的厚度为7ym，最后采用包埋渗方 法渗侣，包埋渗的工艺参数为；保温温度为l〇〇〇°C，保温时间为90min，最终得到NiAlPt粘 结层，其厚度为40ym。
[0086] 粘结层制备完毕后取出试样，对粘结层进行真空热处理：温度950°C，时间为 2. 5h〇
[0087] 第=步，采用等离子物理气相沉积方法制备第一陶瓷层和第二陶瓷层；
[0088] 首先，制备第一陶瓷层，具体步骤如下：
[0089] (1)将带有粘结层的合金基体装入夹具中，然后固定到真空室内的自动转动工件 台上，关闭真空室，抽真空，直到真空室的压力低于Imbar;
[0090] (2)设定喷涂电功率为70KW，电流为2000A，打开工作气体阀口，引弧，待电弧稳定 后，逐步调整气体流量到指定气体流量（Ar35slpm，化45slmp);
[0091] (3)利用等离子焰流加热基体，红外探头探测基体温度750°C后，停止加热；
[009引 （4)打开装有YSZ粉料的送粉器A，调整送粉率为15g/min，喷涂距离为1000mm，开 始沉积第一陶瓷层；
[0093] (5)第一陶瓷层沉积结束后，停止送粉；沉积时间为lOmin，得到厚度为80ym的第 一陶瓷层。
[0094] 然后，沉积第二陶瓷层一一GdsAlsO。，打开装有GdsAlsO。喷涂粉料的送粉器B，送粉 率为15g/min，开始沉积GdsAlsO。陶瓷层；沉积时间为15min，得到厚度为90ym的第二陶 瓷层。
[009引第四步，制备结束，得到含有新型石恼石结构化合物GCI3AI5O12的双陶瓷层热障涂 层。实施例4 ;在高温合金基体表面制备孔AlOs/YSZ双陶瓷层热障涂层，具体步骤如下：
[0096] 选择第二陶瓷层材料为孔A1化，其余制备步骤和工艺参数同实施例3,制得含有新 型巧铁矿化合物孔ai〇3的双陶瓷层热障涂层。
[0097] 实施例1~4中制备第二陶瓷层的方法还可W用于制备稀上侣酸盐石恼石化合物 R3AI曲2或稀上侣酸盐巧铁矿化合物XA103,其中R为Tb，化和孔中任意一种或两种，X为 La,Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，化中任意一种或两种。
[009引实施例1~4中制备第一陶瓷层和第二陶瓷层的方法还可W采用电子束物理气相 沉积，具体步骤为；
[0099] (1)将YSZ粉体和稀±侣酸盐石恼石结构化合物RsAlgOis粉体或稀±侣酸盐巧铁 矿化合物XA103粉体干压成型，制成〇70mmX100mm的YSZ祀材和稀±侣酸盐石恼石结构 化合物R3AI5O12或稀±侣酸盐巧铁矿化合物XA103祀材；
[0100] (2)将上述两个祀材在200MI^a下冷等静压成型1~化，然后将祀材在高温烧结炉 中1200~1400°C下烧结3~化；
[0101] (3)将两个祀材放进电子束物理气相沉积设备的相蜗中，高能电子束将YSZ祀材 烙化，祀材发生蒸发、沉积，形成第一陶瓷层，本发明选择的沉积时间为3~15min，得到厚 度为40~100ym的第一陶瓷层；
[0102] (4)调整高能电子束将稀±侣酸盐石恼石结构化合物R3AI5O12或稀±侣酸盐巧铁 矿化合物xai〇3祀材烙化，祀材发生蒸发、沉积，形成第二陶瓷层，本发明中选择沉积时间为 3~15min，得到厚度为40~100ym的第二陶瓷层。
[0103] 表1烙融CMAS腐蚀实验后陶瓷层表面CMAS粉体能谱成份
[0104]
[010引表2烙融CMAS腐蚀实验后Y3AI5O。陶瓷层的能谱成份[0106]
[0107] 上述实施例中制备