一种带锥角开口掩模板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及OLED制造领域，具体涉及一种带锥角开口掩模板的制作方法。
【背景技术】
[0002]由于有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting D1de,0LED)同时具备自发光，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、使用温度范围广、构造及制程较简单、可用于挠曲性面板等优异之特性，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。
[0003]OLED生产过程中最重要的一环节是将有机层按照驱动矩阵的要求敷涂到基层上，形成关键的发光显示单元。OLED是一种固体材料，其高精度涂覆技术的发展是制约OLED产品化的关键。目前完成这一工作，主要采用真空沉积或真空热蒸发(VTE)的方法，其是将位于真空腔体内的有机物分子轻微加热(蒸发)，使得这些分子以薄膜的形式凝聚在温度较低的基层上。在这一过程中需要与OLED发光显示单元精度相适应的高精密掩模板组件作为媒介。
[0004]图12所示为采用掩模板蒸镀有机材料的示意图。掩模板11由于比较薄，在蒸镀前会通过相关工艺固定在外框12上，蒸镀时，掩模板11借助外框12固定在支撑台130上，蒸镀源131中的有机材料通过蒸发扩散至掩模板11下方，掩模板11上在一定的位置设置有开口 10，有机材料通过开口 10沉积在基板132上对应的位置处，形成像素点。
[0005]为使得蒸镀在基板132上的有机材料沉积均匀，掩模板11的开口 10往往设计呈具有一定的锥角，在实际掩模板的制作过程中，目前一般采用蚀刻工艺直接形成锥角，蚀刻属于减成工艺，通过蚀刻直接在掩模板上制作一定的锥角往往会带来掩模板开口尺寸的变化或者其它影响掩模板质量的问题，鉴于此，业内需要寻找一种新的解决方案。
【发明内容】
[0006]有鉴于此，本发明提供一种带锥角开口掩模板的制作方法，其不同于传统的直接蚀刻形成锥角开口的工艺，能够克服上述现有技术中的缺陷。
[0007]本发明提供了一种带锥角开口掩模板的制作方法，包括:S1、基板刻蚀:通过蚀刻在基板上特定区域形成一定深度的凹槽；S2、电铸成型:在基板上蚀刻的凹槽底部电铸形成一定厚度的掩模板；其特征在于，所述电铸成型的掩模板厚度小于所述基板蚀刻的凹槽深度。
[0008]进一步，所述步骤SI基板刻蚀包括:S11、覆膜一步骤，在基板待蚀刻的一面涂覆或压覆感光膜；S12、曝光一步骤，在所述基板覆膜的一面进行曝光，将与所述掩模板开口对应区域的感光膜进行曝光，形成保护膜；S13、显影一步骤，经显影一步骤将所述曝光一步骤中未曝光的感光膜除去，露出未曝光区域的基板，所述保护膜继续保留；S14、蚀刻步骤，将去除感光膜露出基板的区域进行蚀刻处理，形成一定深度的凹槽。
[0009]进一步，所述SI基板蚀刻步骤过程中，所述基板不需要蚀刻的一面涂覆或压覆有一层保护膜。
[0010]进一步，所述步骤S2电铸成型包括:S21、覆膜二步骤，在所述基板具有蚀刻凹槽的一面重新压贴或涂覆感光膜；S22、曝光二步骤，将经过所述S21步骤处理后具有蚀刻凹槽的一面的感光膜进行局部曝光，曝光区域与所述掩模板开口互补，经过曝光后的感光膜形成保护膜；S23、显影二步骤，经显影二步骤将所述曝光二步骤中未曝光区域的感光膜去除，露出所述基板上的凹槽区域；S24、电铸步骤，通过电铸步骤在所述显影二步骤中所述露出的基板凹槽底部形成一定厚度的掩模板。
[0011]进一步，所述步骤S22中曝光区域包括基板上的非凹槽区域及凹槽区域的边缘。
[0012]进一步，所述步骤S2之前还包括基板表面感光膜的去除、基板清洗、基板干燥步骤。
[0013]进一步，所述步骤S2之后还包括掩模板从基板上剥离、掩模板的组装步骤。
[0014]进一步，所述掩模板的的材质为镍、镍铁合金或其它镍基合金。
[0015]进一步，所述掩模板厚度为10um_80um。
[0016]进一步，所述基板为不锈钢板。
[0017]本发明的有益效果在于，本发明综合了蚀刻工艺和电铸工艺的各自优势，具体而言:由于蚀刻工艺本身的特性，通过蚀刻形成在基板上凹槽的侧壁会自然的形成一定的锥度，以此蚀刻后的基板进行电铸形成的开口会保留凹槽侧壁的锥度；另外，由于电铸工艺本身精度高的特性，电铸成型后的掩模板具有较高的开口尺寸精度。
[0018]本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
【附图说明】
[0019]本发明的上述和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中:
图1所示是采用本发明制作的掩模板装配后的结构示意图；
图2所示是另一采用本发明制作的掩模板装配后的结构示意图；
图3所示为图1中A-A、图2中B-B所示的截面局部放大示意图；
图4所示为在基板上完成覆膜一后的示意图；
图5所示为完成曝光一后的示意图；
图6所不为完成显影一后的不意图；
图7所示为完成蚀刻后的示意图；
图8所不为完成覆I旲一后的不意图；
图9所不为完成曝光一后的不意图；
图10所不为完成显影一后的不意图；
图11所不为完成电铸后的不意图；
图12所示为采用掩模板蒸镀有机材料的示意图。
[0020]其中，图1中，10为掩模开口，11为掩模板，12为外框，A-A为待剖观测方向；
图2中，B-B为待剖观测方向；
图4中，40为基板，41为膜；
图5中，50为经曝光一后形成的曝光区域，51为未曝光区域； 图7中，70为蚀刻后形成的凹槽，α为凹槽侧壁锥度；
图8中，80为膜；
图9中，90为经曝光二后形成的曝光区域，91为未曝光区域。
【具体实施方式】
[0021]下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
[0022]图1、图2所示为采用本发明制作的掩模板装配后的两种不同结构示意图。其中图1中，装配固定在外框12上掩模板11的掩模开口 10为长条形(开口长宽比较大，一般大于5)，长条形开口 10在掩模板11上形成阵列，其构成阵列的具体排布方式与蒸镀应用过程中基板的结构相适应；图2中所不同的是掩模开口 10为矩形(开口长宽比不大于5)。
[0023]图3所示为图1中Α-Α、图2中B-B所示的截面局部放大示意图，通过本发明所提供的掩模板制作方法制作的一种掩模板实施例的具体开口剖面结构即如图3所示，其开口具有一定的锥角，如图所示，掩模开口 10的锥角角度为θ，Θ的最佳范围为30-60°。
[0024]图4-图11所示为图3所示掩模板的具体制作方法，具体展开如下:
本发明提供的带锥角开口掩模板的制作方法，包括:S1、基板刻蚀:通过蚀刻在基板上特定区域形成一定深度的凹槽；S2、电铸成型:在基板上蚀刻的凹槽底部电铸形成一定厚度的掩模板；其特征在于，所述电铸成型的掩模板厚度小于所述基板蚀刻的凹槽深度。
[0025]图4-图7所示的的SI基板蚀刻过程。
[0026]图4所示为Sll覆膜一步骤，在基板40待蚀刻的一面(图示的上表面)涂覆或压覆感光膜41。在本实施例中，感光膜41为干膜或湿膜均可，当感光膜4