表面处理铜箔及用表面处理铜箔得到的覆铜层压板的制作方法

文档序号:9382641阅读:699来源:国知局
表面处理铜箔及用表面处理铜箔得到的覆铜层压板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及表面处理铜箱及用表面处理铜箱得到的覆铜层压板。尤其是,涉及铜 箱的表面用铜复合化合物构成的针状或板状的微细凹凸进行了粗化的表面处理铜箱。
【背景技术】
[0002] 通常,市场流通的铜箱多是用于印刷线路板的电路形成用途,为了提高与绝缘树 脂基材的密合性,在作为粘合面的铜箱的表面设置了产生固定效果的粗化形状。作为产生 该固定效果的粗化,进行的是如专利文献1等公开的"微细铜粒的附着"、如专利文献2等公 开的"通过蚀刻的凹凸形成"等。
[0003] 然而,近年来对于细间距电路的形成的要求显著提高,印刷线路板的制造技术也 取得了很大的进步,其结果推动了如专利文献3及专利文献4等公开的非粗化铜箱的使用。
[0004] 该专利文献3中,为了提供利用强韧性、且富于反应性的粘合剂将铜箱与层压基 材牢固粘合了的印刷电路用覆铜层压板,公开了采用"一种印刷电路用覆铜层压板,该覆铜 层压板是在层压基材的一面或两面层压粘合了铜箱的覆铜层压板,其特征在于,a、在所述 铜箱上经由通式QRSiXYZ- [1](其中,式中Q为与下述的树脂组合物反应的官能基,R为 连接Q和Si原子的结合基,X、Y、Z表示与Si原子结合的水解性的基团或羟基)表示的硅 烷偶联剂、或通式T(SH) n- [2](其中,T为芳香环、脂肪环、杂环、脂肪链,n为2以上的整 数)表示的硫醇类偶联剂形成的粘合性基底,b、利用1)丙烯酸单体、甲基丙烯酸单体、它们 的聚合物或与烯烃的共聚物,2)酞酸二烯丙酯、环氧丙烯酸酯或环氧甲基丙烯酸酯及它们 的低聚物的过氧化物固化性树脂组合物,3)在分子内含有乙烯丁烯共聚物和苯乙烯共聚物 的热塑性弹性体的过氧化物固化性树脂组合物,4)含有缩水甘油基的烯烃共聚物的树脂组 合物,5)具有含有不饱和基的侧链的聚乙烯醇缩丁醛树脂的树脂组合物,或6)聚乙烯醇缩 丁醛树脂、具有螺缩醛环的氨基树脂和环氧树脂的树脂组合物形成的粘合剂与层压基材粘 合,或者与兼具所述树脂组合物的粘合剂的层压基材直接粘合"的技术方案等。
[0005] 并且,以提供表面处理层不含有铬,加工成印刷线路板后的电路的剥离强度、该剥 离强度的耐化学试剂性劣化率等优异的表面处理铜箱为目的,专利文献4中公开了采用 "一种表面处理铜箱,该表面处理铜箱是在与绝缘树脂基材贴合来制造覆铜层压板时使用 的铜箱的贴合面上设置了表面处理层的表面处理铜箱,其特征在于,该表面处理层是在铜 箱的贴合面上附着锌成分后,附着熔点1400°C以上的高熔点金属成分,进一步附着碳成分 来得到的"的技术方案等,其中公开了 "所述铜箱的贴合面优选不实施粗化处理,表面粗糙 度(Rzjis)为2. 0 ym以下"的技术特征。
[0006] 就这类非粗化铜箱而言,在与绝缘树脂基材的粘合表面上不存在用于粗化的凹 凸。因此,不需要设置蚀刻加工该铜箱来进行电路形成时的、用于去除埋入绝缘树脂基材侧 的状态的固定形状(凹凸形状)的过蚀刻时间。从而,在具有良好的蚀刻系数的细间距电 路的形成中极为有用。
[0007] 现有技术文献
[0008] 专利文献
[0009] 专利文献1 :日本特开平05-029740号公报
[0010] 专利文献2 :日本特开2000-282265号公报
[0011] 专利文献3 :日本特开平09-074273号公报
[0012] 专利文献4 :日本特开2008-297569号公报

【发明内容】

[0013] 发明要解决的问题
[0014] 然而,该非粗化铜箱上不存在埋入绝缘树脂基材侧的状态的固定形状(凹凸形 状),因而与进行了粗化的铜箱相比,非粗化铜箱的对于绝缘树脂基材的密合性有降低的倾 向。
[0015] 因此,目前市场上对铜箱提出了如下的要求,即,与非粗化铜箱的对于绝缘树脂基 材的密合性相比,具有与绝缘树脂基材的良好的密合性,且具有与不存在用于粗化的凹凸 的非粗化铜箱同等的良好的蚀刻性能。
[0016] 解决问题的方法
[0017] 鉴于以上问题,经本发明人潜心研究的结果,发现通过采用以下所示的铜箱,并存 在埋入绝缘树脂基材侧的状态的固定形状(凹凸形状)时,可以具有与绝缘树脂基材的良 好的密合性。以下,对本发明的表面处理铜箱进行说明。
[0018] 表面处理铜箱:本发明的表面处理铜箱是对铜箱的表面进行了粗化的表面处理铜 箱,其特征在于,在该铜箱的表面具有用最大长度为500nm以下的、铜复合化合物构成的针 状或板状的微细凹凸形成的粗化处理层。此外,在以下将"铜复合化合物构成的针状或板状 的微细凹凸"简称为"铜复合化合物构成的微细凹凸"。
[0019] 就本发明的表面处理铜箱的粗化处理层的铜复合化合物构成的微细凹凸而言,用 扫描电子显微镜,在试样的45°倾斜角、50000倍以上的倍率从粗化处理层的表面观察时 的最大长度为150nm以下。
[0020] 就本发明的表面处理铜箱的铜复合化合物构成的微细凹凸而言,将用XPS进行分 析时的Cu(I)及Cu(II)的各峰面积的合计面积设为100%时,优选Cu(I)峰的占有面积率 为50%以上。
[0021] 就本发明的表面处理铜箱的铜复合化合物构成的微细凹凸而言,含有氧化铜及氧 化亚铜。
[0022] 并且,就本发明的表面处理铜箱的铜复合化合物构成的微细凹凸而言,优选吸附 氪后进行测定的比表面积为〇. 〇35m2/g以上。
[0023] 再者,就本发明的表面处理铜箱的所述粗化处理层的表面而言,优选L*a*b*表色 系的明度L*具有25以下的明度。
[0024] 覆铜层压板:本发明的覆铜层压板的特征在于,该覆铜层压板是用上述的表面处 理铜箱得到的。
[0025] 发明效果
[0026] 根据本发明的表面处理铜箱,用"最大长度为500nm以下的铜复合化合物构成的 微细凹凸"形成了粗化处理表面。进而,该粗化处理表面虽然位于铜箱的最外层表面,但铜 箱的与绝缘树脂基材粘合的面所具有的微米级的整体凹凸形状依然保持着。其结果,与非 粗化铜箱的对于绝缘树脂基材的密合性相比,可以确保良好的密合性。
【附图说明】
[0027] 图1是用于说明本发明的表面处理铜箱的粗化形态的扫描电子显微镜观察图像 (实施例1中的氧化处理的浸渍时间为2分钟的试样)。
[0028] 图2是用于表示本发明的表面处理铜箱中,在电解铜箱的电极面和析出面的粗化 对象部位呈现不同粗化形态的扫描电子显微镜观察图像(实施例1中的氧化处理的浸渍时 间为2分钟的试样)。
[0029] 图3是本发明的表面处理铜箱的粗化处理层的剖面的扫描电子显微镜观察图像 (实施例1中的氧化处理的浸渍时间为2分钟的试样)。
[0030] 图4是从表面观察比较例中的比较试样的粗化处理形态的扫描电子显微镜观察 图像。
[0031] 图5是从剖面观察比较例中的比较试样的粗化处理层的扫描电子显微镜观察图 像。
【具体实施方式】
[0032] 以下,对本发明的"表面处理铜箱的实施方式"及"覆铜层压板的实施方式"进行 说明。
[0033] 表面处理铜箱的实施方式:本发明的表面处理铜箱是对铜箱的表面进行了粗化的 表面处理铜箱,其特征在于,在该铜箱的表面具有用最大长度为500nm以下的、铜复合化合 物构成的微细凹凸形成的粗化处理层。
[0034] 作为在本发明的表面处理铜箱的制造中使用的铜箱,可以使用电解铜箱、压延铜 箱中的任意一种。并且,对于铜箱的厚度也没有特别的限定,通常只要是200 ym以下的厚 度即可。并且,作为本发明的表面处理铜箱,将一面实施了粗化的情况、两面实施了粗化的 情况两者作为对象。
[0035] 就本发明的表面处理铜箱的粗化处理表面而言,优选在铜箱的表面形成含有氧化 铜的"铜化合物构成的微细
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