一种金属掩膜冷却装置及金属掩膜蒸镀装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有源矩阵显示领域，尤其涉及一种金属掩膜冷却装置及金属掩膜蒸镀
目.0
【背景技术】
[0002]在OLED (有机发光二极管)制作工艺中，有机EL (有机发光的电子版)材料的图案化技术虽有许多方式，但目前量产使用方式仍是以真空蒸镀加金属掩膜为主，此EL图案化方法由于可达成良好的屏幕效能，故广为各家所采用。金属掩膜设置在基板的一侧面，蒸镀源蒸镀材料至玻璃基板上，会使玻璃基板与金属掩膜产生一定的温度升高(一般温升差是约10?30°C )，金属掩膜因温度升高会产生一定的位置结构变形，而如何确保金属掩膜品质，在生产过程中避免出现位置精度偏差的屏幕混色缺陷是相当重要的，其中需要采取措施对金属掩膜的温度进行控制。
[0003]目前，OLED(有机发光二极管)量产所采用的蒸镀金属掩膜温度控制方式，如图1所示，其主要是采用以冷却水，辅以冷却水管装置于腔内部蒸镀金属掩膜的玻璃侧，具体为金属压合板内；当蒸镀工艺进行时，金属掩模板、玻璃基板、金属压合冷却板1(内附冷却水管通路2)，三者会进行贴合，通过低温冷却水管将金属掩模板温度升高的热量带走，保持金属掩模板与玻璃基板在高温蒸镀工艺下的稳定性，减少物体受热变形的问题发生；然而，这种冷却方式中，冷却水管通路架设不便、并且由于水冷通路分布位置的关系，容易造成金属掩模板与玻璃基板的温度分布均匀性变差；另外，又由于温度惯性大，控制水冷温度的反应时间是较慢地，而且冷却水路随著时间变长，也容易堵塞保养维修不易。
[0004]因此，针对以上不足，本发明提供了一种金属掩膜冷却装置及金属掩膜蒸镀装置。
【发明内容】
[0005](一 )要解决的技术问题
[0006]本发明的目的是解决现有冷却水管冷却存在的安装维修不便，降温不均匀、温度惯性大和控制不及时的问题。
[0007]( 二 )技术方案
[0008]为了解决上述技术问题，本发明提供了一种金属掩膜冷却装置，其包括制冷器、功率控制单元、供电单元及磁板；制冷器贴合在基板的一侧面，且通过基板对贴合在基板另一侧面的金属掩膜进行冷却；磁板设置在制冷器上，以将制冷器与金属掩膜吸附在基板的两侧面；功率控制单元与制冷器连接，以控制制冷器的制冷温度；供电单元与制冷器及功率控制单元连接，以给制冷器及功率控制单元提供电源。
[0009]其中，所述制冷器为半导体制冷器。
[0010]其中，所述半导体制冷器包括相对应设置的N型半导体和P型半导体。
[0011]其中，还包括散热单元，所述散热单元设置在所述制冷器的发热侧面。
[0012]其中，所述散热单元包括贴合在所述制冷器的发热侧面的散热铜板及多个垂直连接于所述散热铜板上的散热铜管。
[0013]本发明另一方面提供的金属掩膜蒸镀装置包括蒸镀室和上述的金属掩膜冷却装置，所述金属掩膜冷却装置设置在蒸镀室内。
[0014]其中，所述蒸镀室的顶部设置有基板位置调整单元和基板位置观测单元。
[0015]其中，所述蒸镀室的侧部设置有抽真空单元。
[0016]其中，所述蒸镀室的底部设置蒸镀气体发生单元。
[0017](三)有益效果
[0018]本发明的上述技术方案具有如下优点:本发明提供的金属掩膜冷却装置及金属掩膜蒸镀装置中，制冷器贴合在基板的一侧面，在其上磁板的作用下，制冷器与金属掩膜吸附在基板的两侧面，通过功率控制单元控制制冷器工作，制冷器进而对金属掩膜进行冷却，其中制冷器及功率控制单元由供电单元供电；由于利用热电原理通过制冷器贴合在基板上对金属掩膜进行冷却，掩膜各处降温均匀，不会出现结构位置的变形，通过功率控制单元控制制冷器工作，温度控制及时，温度惯性小，温控效率高，且采用制冷器，安装维修方便，使用寿命长。
【附图说明】
[0019]图1是现有水冷技术中金属压合冷却板的结构示意图；
[0020]图2是本发明实施例金属掩膜冷却装置中散热装置的安装结构示意图；
[0021]图3是本发明实施例金属掩膜冷却装置中部分部件的连接关系示意图；
[0022]图4是本发明实施例金属掩膜蒸镀装置的结构示意图；
[0023]图5是本发明实施例金属掩膜冷却装置(图4中A处)的结构示意图。
[0024]图中，1:金属压合冷却板；2:冷却水管通路；3:基板；4:制冷器；5:散热单元；6:基板位置调整单元；7:基板位置观测单元；8:蒸镀室；9:抽真空单元；10:磁板；11:金属掩膜；12:蒸镀气体发生单元。
【具体实施方式】
[0025]下面结合附图和实施例对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0026]如图2、图3和图5所示，本发明提供的金属掩膜11冷却装置包括制冷器4、功率控制单元、供电单元及磁板10 ;制冷器4贴合在基板3的一侧面，且通过基板3对贴合在基板3另一侧面的金属掩膜11进行冷却；磁板10设置在制冷器4上，以将制冷器4与金属掩膜11吸附在基板3的两侧面；功率控制单元与制冷器4连接，以控制制冷器4的制冷温度；供电单元与制冷器4及功率控制单元连接，以给制冷器4及功率控制单元提供电源；其中，制冷器4优选为半导体制冷器4。
[0027]上述实施例中，制冷器4贴合在基板3的一侧面，在其上磁板10的作用下，制冷器4与金属掩膜11吸附在基板3的两侧面，通过功率控制单元控制制冷器4工作，制冷器4进而对金属掩膜11进行冷却，其中制冷器4及功率控制单元由供电单元供电；由于利用热电原理通过制冷器4贴合在基板3上对金属掩膜11进行冷却，掩膜各处降温均匀，不会出现结构位置的变形，通过功率控制单元控制制冷器4工作，温度控制及时，温度惯性小，温控效率高，且采用制冷器4，安装维修方便，使用寿命长。
[0028]所述制冷器4采用半导体制冷器4，主要是因为半导体致冷器在技术上的应用，可以具有以下优点:
[0029]1、不需要任何致冷剂，可连续工作，没有污染源没有旋转部件，不会产生回转效应，由于没有滑动部件而是一种固体器件，工作时没有震动，噪音，寿命长，安装容易。
[0030]2、半导体致冷器具有两种功能，既能致冷，又能加热，因此，使用一个器件就可以代替分立的加热系统和致冷系统。
[0031]3、半导体致冷器是电流换能型器件，通过输入电流的控制，可实现高精度的温度控制，再加上温度检测和控制手段，很容易实现电脑控制，便于组成自动控制系统。
[0032]4、半导体致冷器热惯性非常小，致冷致热时间很快，在热端散热良好冷端空载的情况下，通电不到一分钟，致冷器就能达到最大温差。
[0033]5、半导体致冷器调节的温差范围大，一般地，半导体致冷器可产生的温度范围为从正温度90°C到负温度130°C (零下130°C )。
[0034]具体地，所述半导体制冷器4包括相对应设置的N型半导体和P型半导体。
[0035]进一步地，本发明还包括散热单元5，散热单元5设置在制冷器4的发热侧面，可以加速制冷器4发热面的散热，提高制冷器4的制冷效率。
[0036]具体地，散热单元5包括贴合在所述制冷器的发热侧面的散热铜板及多个垂直连接于散热铜板上的散热铜管，采用铜的材质是考虑到铜的导热性能好，且采用散热铜管可以增强散热效果。
[0037]如图4所示，本发明另一方面提供的金属掩膜11蒸镀装置包括蒸镀室8和上述的金属掩膜11冷却装置，所述金属掩膜11冷却装置设置在蒸镀室8内。
[0038]一般地，所述蒸镀室8的顶部设置有基板位置调整单元6和基板位置观测单元7，以观察和调整基板3的位置，实现与金属掩膜11的准确对位；蒸镀室8的侧部设置有抽真空单元9，以实现真空环境下的蒸镀；蒸镀室8的底部设置蒸镀气体发生单元12，以产生蒸镀气体。
[0039]综上所述，本发明提供的金属掩膜11冷却装置及蒸镀装置中，将制冷器4贴合在基板3的一侧面，在其上磁板10的作用下，制冷器4与金属掩膜11吸附在基板3的两侧面，通过制冷器4可利用热电原理对金属掩膜11进行冷却，掩膜各处降温均匀，不会出现结构位置的变形，通过功率控制单元控制制冷器4工作，温度控制及时，温度惯性小，温控效率高，且采用制冷器4，安装维修方便，使用寿命长。
[0040]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种金属掩膜冷却装置，其特征在于:其包括制冷器、功率控制单元、供电单元及磁板；制冷器贴合在基板的一侧面，且通过基板对贴合在基板另一侧面的金属掩膜进行冷却；磁板设置在制冷器上，以将制冷器与金属掩膜吸附在基板的两侧面；功率控制单元与制冷器连接，以控制制冷器的制冷温度；供电单元与制冷器及功率控制单元连接，以给制冷器及功率控制单元提供电源。2.根据权利要求1所述的金属掩膜冷却装置，其特征在于:所述制冷器为半导体制冷器。3.根据权利要求2所述的金属掩膜冷却装置，其特征在于:所述半导体制冷器包括相对应设置的N型半导体和P型半导体。4.根据权利要求1所述的金属掩膜冷却装置，其特征在于:还包括散热单元，所述散热单元设置在所述制冷器的发热侧面。5.根据权利要求4所述的金属掩膜冷却装置，其特征在于:所述散热单元包括贴合在所述制冷器的发热侧面的散热铜板及多个垂直连接于所述散热铜板上的散热铜管。6.一种金属掩膜蒸镀装置，其特征在于:其包括蒸镀室和权利要求1-5任一项所述的金属掩膜冷却装置，所述金属掩膜冷却装置设置在蒸镀室内。7.根据权利要求6所述的金属掩膜蒸镀装置，其特征在于:所述蒸镀室的顶部设置有基板位置调整单元和基板位置观测单元。8.根据权利要求6所述的金属掩膜蒸镀装置，其特征在于:所述蒸镀室的侧部设置有抽真空单元。9.根据权利要求6所述的金属掩膜蒸镀装置，其特征在于:所述蒸镀室的底部设置蒸镀气体发生单元。
【专利摘要】本发明涉及有源矩阵显示领域，尤其涉及一种金属掩膜冷却装置及金属掩膜蒸镀装置，该金属掩膜冷却装置包括制冷器、功率控制单元、供电单元及磁板；制冷器贴合在基板的一侧面，在其上磁板的作用下，制冷器与金属掩膜吸附在基板的两侧面，通过功率控制单元控制制冷器工作，制冷器进而对金属掩膜进行冷却，其中制冷器及功率控制单元由供电单元供电；由于利用热电原理通过制冷器贴合在基板上对金属掩膜进行冷却，掩膜各处降温均匀，不会出现结构位置的变形，通过功率控制单元控制制冷器工作，温度控制及时，温度惯性小，温控效率高，且采用制冷器，安装维修方便，使用寿命长。
【IPC分类】C23C14/04, C23C14/24
【公开号】CN105132860
【申请号】CN201510612416
【发明人】江元铭
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年12月9日
【申请日】2015年9月23日