磁控溅射镀膜装置及其靶装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于真空镀膜技术领域，具体地讲，涉及一种磁控溅射镀膜装置及其靶装置。
【背景技术】
[0002]磁控派射是物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n，PVD)的一种。一般的派射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而二十世纪70年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。目前，磁控溅射方法在薄膜制备领域的应用越来越广泛。例如，随着平板显示器产业的发展，ΙΤ0(氧化铟锡)导电薄膜的制备在该领域就显得尤为活跃和突出。特别是现在的TFT (薄膜晶体管)、0LED(有机电致发光二极管)等显示器所使用的ΙΤ0导电玻璃都对膜层均匀性的要求越来越高。
[0003]磁控溅射镀膜装置的工作原理是:电子在电场的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使氩原子电尚产生出氩正尚子和新的电子；新的电子飞向基片，氩正尚子在电场作用下加速飞向阴极靶材，并以高能量轰击靶材表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用被束缚在靠近靶材表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的氩正离子来轰击靶材，如此反复来完成薄膜的镀制。
[0004]由于磁场强度分布不同，所以产生的等离子体密度分布不同，进而溅射速度不同，最终在靶材表面会波浪状起伏的形貌。例如，现有技术中的采用单根磁条进行来回扫描的磁控溅射镀膜装置，虽然改善了左右方向上由于等离子体密度分布不同带来的波浪状起伏形貌，但是在整块靶材表面的左右两端处，由于磁铁在原方向减速，再反向移动时加速，这样电子在靶材表面的左右两端处的移动速度比在靶材中间区域的移动速度低很多。在同样的区域宽度内，速度低，则溅射时间长，在同样的功率下，对应区域的靶材被刻蚀掉的程度大，这样造成了靶材左右两端处的凹陷，最终导致靶材的利用率较低，并且由此制成的薄膜均匀性不佳。
【发明内容】
[0005]为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种用于磁控溅射镀膜装置的靶装置，其包括:溅射靶材安装座；靶材承载板，设置在所述溅射靶材安装座上，所述靶材承载板用于承载靶材；磁极装置，设置在所述溅射靶材安装座的背向所述靶材承载板的表面上，所述磁极装置用于在所述靶材的表面产生水平磁场的；其中，所述磁极装置与所述靶材承载板的对应边沿具有预定间隔。
[0006]进一步地，所述磁极装置在所述靶材承载板的左侧边沿之外的第一预定位置到所述靶材承载板的右侧边沿之外的第二预定位置之间作往复运动。
[0007]进一步地，所述磁极装置在所述靶材承载板的左侧边沿之外的第一预定位置到所述靶材承载板的右侧边沿之外的第二预定位置之间作往复直线运动。
[0008]进一步地，所述靶材承载板的左侧边沿与所述第一预定位置之间的间隔区域为第一间隔区域，所述靶材承载板的右侧边沿与所述第二预定位置之间的间隔区域为第二间隔区域；其中，所述第一间隔区域的宽度等于所述第二间隔区域的宽度。
[0009]进一步地，所述第一预定位置与所述第二预定位置之间形成从所述第一预定位置到所述第二预定位置顺序排布地第一加减速区、平均速度区、第二加减速区；其中，所述第一加减速区相对于所述第一间隔区域；所述平均速度区相对于所述靶材承载板所占区域；所述第二加减速区相对于所述第二间隔区域。
[0010]进一步地，所述第一加减速区正对于所述第一间隔区域，并且所述第一加减速区的宽度与所述第一间隔区域的宽度相等。
[0011]进一步地，所述第二加减速区正对于所述第二间隔区域，并且所述第二加减速区的宽度与所述第二间隔区域的宽度相等。
[0012]进一步地，所述靶材承载板由铜制成。
[0013]本发明的另一目的还在于提供一种磁控溅射镀膜装置，其包括上述的靶装置。
[0014]本发明的有益效果:当轰击靶材的离子轰击靶材时，由于承载靶材的靶材承载板与平均速度区相对，并且轰击靶材的离子在平均速度区所在的区域内运动速度相同，所以轰击靶材的离子轰击整个靶材表面的能量相同，从而轰击靶材的离子能够均匀轰击靶材的表面，使靶材的材料整面均匀消耗，不会形成现有技术中的靶材两端材料消耗速度大于中间材料消耗速度的问题，这样可以提高靶材的利用率，也可以使在基片上沉积的薄膜更加均匀。
【附图说明】
[0015]通过结合附图进行的以下描述，本发明的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中:
[0016]图1是根据本发明的实施例的磁控溅射镀膜装置的结构示意图；
[0017]图2是根据本发明的实施例的靶装置的结构示意图。
【具体实施方式】
[0018]以下，将参照附图来详细描述本发明的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限制于这里阐述的具体实施例。相反，提供这些实施例是为了解释本发明的原理及其实际应用，从而使本领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例和适合于特定预期应用的各种修改。
[0019]在附图中，为了清楚器件，夸大了层和区域的厚度。相同的标号在整个说明书和附图中可用来表示相同的元件。
[0020]将理解的是，尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开来。
[0021]图1是根据本发明的实施例的磁控溅射镀膜装置的结构示意图。
[0022]参照图1，根据本发明的实施例的磁控溅射镀膜装置包括:真空室体10、靶装置20及基片承载装置30 ;其中，靶装置20和基片承载装置30安装在真空室体10内，并且靶装置20和基片承载装置30相对设置，基片承载装置30用于承载待镀制薄膜的基片40，靶装置20用于提供溅射材料，所述溅射材料沉积在基片40上形成薄膜。
[0023]在本实施例中，靶装置20设置在真空室体10内的顶部，而基片承载装置30设置在真空室体10内的底部，但本发明并不限制于此，例如，靶装置20可设置在真空室体10内的左侧，而基片承载装置30可设置在真空室体10内的右侧。以下将对本发明的实施例的靶装置进行详细描述。
[0024]图2是根据本发明的实施例的靶装置的结构示意图。
[0025]参照图2，根据本发明的实施例的靶装置20包括:溅射靶材安装座21、靶材承载板22、磁极装置23。
[0026]具体地，靶材承载板22安装在溅射靶材安装座21上，并且靶材承载板22用于承载靶材24。在本实施例中，靶材承载板22可通过任何合适类型的固定方式固定安装在溅射靶材安装座21上，本发明并不作具体限定。
[0027]这里，磁极装置23