磁控直流溅射系统的腔体保护装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体加工设备，尤其是一种磁控直流溅射系统的腔体保护装置。
【背景技术】
[0002]传统技术方案中，磁控直流溅射系统中的反应腔体仅设置的排水口，其需人工对其进行操作；然而，在反应腔体内部部件工作过程中，其往往会导致反应腔体内部压力过大，如若排水口未能及时开启，则会导致反应腔体的损坏。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其可对反应腔体进行有效的压力保护。
[0004]为解决上述技术问题，本发明涉及一种磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其包括有反应腔体，所述反应腔体之上设置有排水口，排水口的对应位置设置有泄压阀。
[0005]作为本发明的一种改进，所述泄压阀之上连接有多根泄压管道，每一根泄压管道均连通至设置在反应腔体外部的回收容器。采用上述设计，其可避免通过泄压阀排出的水蒸气直接与磁控直流溅射系统中其余部件接触，从而造成相关部件的损坏。
[0006]作为本发明的一种改进，所述泄压阀连接有至少三根泄压管道，三根泄压管道均连通至设置在反应腔体外部的泄压腔之中，所述泄压腔之上设置有连通至回收容器的排液管道。采用上述设计，其可有效确保水蒸气排出过程的稳定性。
[0007]作为本发明的一种改进，泄压腔中，每一根泄压管道均对应设置有一个电磁阀对其进行控制，其可实现泄压管道根据泄压速度的要求依次开启，以避免出现泄压过快或过慢的现象发生。
[0008]采用上述技术方案的磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其可通过泄压阀以使得反应腔体内压力过大时，其内部的水蒸气可得以排出，以避免反应腔体持续高压状态而发生损坏。
【附图说明】
[0009]图1为本发明示意图；
附图标记列表:
1 一反应腔体、2—排水口、3—泄压阀、4一泄压管道、5—回收容器、6—泄压腔、7—排液管道。
【具体实施方式】
[0010]下面结合【具体实施方式】，进一步阐明本发明，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
[0011]实施例1
如图1所示的一种磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其包括有反应腔体1，所述反应腔体1之上设置有排水口 2，排水口 2的对应位置设置有泄压阀3。
[0012]作为本发明的一种改进，所述泄压阀3之上连接有多根泄压管道4，每一根泄压管道4均连通至设置在反应腔体1外部的回收容器5。采用上述设计，其可避免通过泄压阀排出的水蒸气直接与磁控直流溅射系统中其余部件接触，从而造成相关部件的损坏。
[0013]采用上述技术方案的磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其可通过泄压阀以使得反应腔体内压力过大时，其内部的水蒸气可得以排出，以避免反应腔体持续高压状态而发生损坏。
[0014]实施例2
作为本发明的一种改进，所述泄压阀3连接有三根泄压管道4，三根泄压管道4均连通至设置在反应腔体1外部的泄压腔6之中，所述泄压腔6之上设置有连通至回收容器5的排液管道7。采用上述设计，其可有效确保水蒸气排出过程的稳定性。
[0015]作为本发明的一种改进，泄压腔6中，每一根泄压管道4均对应设置有一个电磁阀对其进行控制，其可实现泄压管道根据泄压速度的要求依次开启，以避免出现泄压过快或过慢的现象发生。
[0016]本实施例其余特征与优点均与实施例1相同。
【主权项】
1.一种磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其包括有反应腔体，其特征在于，所述反应腔体之上设置有排水口，排水口的对应位置设置有泄压阀。2.按照权利要求1所述的磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其特征在于，所述泄压阀之上连接有多根泄压管道，每一根泄压管道均连通至设置在反应腔体外部的回收容器。3.按照权利要求2所述的磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其特征在于，所述泄压阀连接有至少三根泄压管道，三根泄压管道均连通至设置在反应腔体外部的泄压腔之中，所述泄压腔之上设置有连通至回收容器的排液管道。4.按照权利要求3所述的磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其特征在于，泄压腔中，每一根泄压管道均对应设置有一个电磁阀对其进行控制。
【专利摘要】本发明公开了一种磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其包括有反应腔体，所述反应腔体之上设置有排水口，排水口的对应位置设置有泄压阀；采用上述技术方案的磁控直流溅射系统的腔体保护装置，其可通过泄压阀以使得反应腔体内压力过大时，其内部的水蒸气可得以排出，以避免反应腔体持续高压状态而发生损坏。
【IPC分类】C23C14/35
【公开号】CN105316637
【申请号】CN201510806326
【发明人】史进, 伍志军
【申请人】苏州赛森电子科技有限公司
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年11月20日