够形成均匀性高的几nm左右的薄膜。在图4中示出直流电压的施加时间与掩膜的宽度之间的关系。根据该图可知，通过将直流电压施加大约30秒，能够在掩膜上形成2.5nm左右的薄膜，能够将掩膜的宽度扩大5nm左右。通过这样，在本实施方式所涉及的等离子体处理方法中，通过对在晶圆W上形成为图案的掩膜形成均匀的薄膜来控制掩膜的宽度W，能够在下一工序的蚀刻中实现进一步的微细化。
[0061]返回到图2，接着，执行蚀刻处理(步骤S22)。在执行蚀刻处理后，从腔室12搬出晶圆w(步骤S24)。接着，执行无晶圆干洗处理(步骤S26)，结束本处理。
[0062]以上说明了本实施方式所涉及的等离子体处理方法。但是，以上所说明的等离子体处理方法是一例。例如，在步骤S16中对上部电极15施加了等离子体生成用的高频电力RF(HF)和直流电力，但不限于此。例如，也可以在步骤S16中对上部电极15施加等离子体生成用的高频电力RF(HF)，并且代替直流电力而对上部电极15施加低频电力。
[0063][效果例]
[0064]如以上所说明的那样，根据本实施方式所涉及的等离子体处理方法，在上部电极15上形成作为溅射的靶材发挥功能的膜，通过对该膜进行溅射，能够在形成于晶圆W的图案上形成具有均匀性的薄膜。由此，能够控制掩膜的宽度，能够在下一工序中使用进行了控制的掩膜对晶圆W实施微细加工。
[0065]另外，在本实施方式所涉及的等离子体处理方法中，对于不具有适于预先配置在腔室内的靶材的膜，也通过如上述那样在上部电极上形成所期望的膜来能够进行与靶材的材质无关的溅射。
[0066]另外，在利用CVD的成膜中，所形成的膜的厚度根据图案的疏密而产生偏差，预计难以进行应对近年来以及今后的微细化的要求的对晶圆W的微细加工。与此相对，在本实施方式所涉及的等离子体处理方法中，能够与图案的疏密无关地形成具有均匀性的薄膜。因此，根据本实施方式所涉及的等离子体处理方法，能够应对近年来以及今后的进一步微细化的要求来对晶圆W实施微细加工。
[0067]另外，能够在同一等离子体处理装置10的腔室12内对上部电极15进行成膜处理、溅射处理、蚀刻处理以及清洗处理，由此能够抑制装置成本。
[0068]以上，通过上述实施方式说明了等离子体处理装置和等离子体处理方法，但本发明所涉及的等离子体处理装置和等离子体处理方法不限定于上述实施方式，能够在本发明的范围内进行各种变形和改良。
[0069]例如，能够实施本发明所涉及的等离子体处理方法的等离子体处理装置不仅可以是电容親合型等离子体(CCP:Capacitively Coupled Plasma)装置，也可以是其它等离子体处理装置。作为其它等离子体处理装置，列举出电感耦合型等离子体(ICP:InductivelyCoupled Plasma)装置、使用了径向线缝隙天线的 CVD (Chemical Vapor Deposit1n)装置、螺旋波激发型等离子体(服P:Helicon Wave Plasma)装置、电子回旋共振等离子体(ECR:Electron Cyc lotron Resonance Plasma)装置等。
[0070]另外，本发明所涉及的等离子体处理装置具备对上部电极施加第一高频电力的高频电源。除此以外，本发明所涉及的等离子体处理装置还具有对上部电极施加直流电力的直流电源和对下部电极施加频率低于第一高频电力的频率的电力的高频电源中的至少一个即可。
[0071]另外，由本发明所涉及的等离子体处理装置处理的基板不限于晶圆，例如也可以是平板显示器(Flat Panel Display)用的大型基板、EL元件或者太阳能电池用的基板。
【主权项】
1.一种等离子体处理装置，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置， 该等离子体处理装置具有: 第一高频电源，其向上述第二电极供给第一高频电力； 直流电源，其向上述第二电极供给直流电力；以及 气体供给源，其向腔室内供给气体， 其中，上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜， 上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述直流电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于， 还具有第二高频电源，该第二高频电源向上述第一电极供给频率低于上述第一高频电力的频率的第二高频电力， 在对上述反应产物的膜进行溅射时，供给上述第二高频电力。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述规定的间隙为80mm以上。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述反应产物的膜包含碳C和氟F。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于， 上述等离子体处理装置在上述腔室内在上述第二电极上形成上述反应产物的膜之后，在同一腔室内利用被溅射出来的反应产物在载置于上述第一电极的基板上成膜。6.一种等离子体处理装置，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置， 该等离子体处理装置具有: 第一高频电源，其向上述第二电极供给第一高频电力； 第二高频电源，其向上述第一电极供给频率低于上述第一高频电力的频率的第二高频电力；以及 气体供给源，其向腔室内供给气体， 其中，上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜， 向上述第一电极供给上述第二高频电力， 上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述第二高频电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。7.一种等离子体处理方法，使用等离子体处理装置来执行等离子体处理，在该等离子体处理装置中，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置， 该等离子体处理方法包括以下工序: 向腔室内供给第一气体，向上述第二电极供给第一高频电力，利用所生成的等离子体来形成反应产物的膜；以及 向上述腔室内供给第二气体，向上述第二电极供给上述第一高频电力和直流电力，利用所生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射。8.一种等离子体处理方法，使用等离子体处理装置来执行等离子体处理，在该等离子体处理装置中，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置， 该等离子体处理方法包括以下工序: 向腔室内供给第一气体，向上述第二电极供给第一高频电力，利用所生成的等离子体来形成反应产物的膜；以及 向上述腔室内供给第二气体，向上述第二电极供给第一高频电力，向上述第一电极供给第二高频电力，利用所生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射。
【专利摘要】本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。目的在于在腔室内的电极上形成作为靶发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。在该等离子体处理装置中，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置，该等离子体处理装置具有：第一高频电源，其向上述第二电极供给第一高频电力；直流电源，其向上述第二电极供给直流电力；以及气体供给源，其向腔室内供给气体，上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜，上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述直流电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。
【IPC分类】H01J37/34, C23C14/38, H01J37/32
【公开号】CN105316639
【申请号】CN201510455789
【发明人】木原嘉英, 本田昌伸, 久松亨
【申请人】东京毅力科创株式会社
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年7月29日
【公告号】EP2980829A1, US20160032445