压-600￥，在工件表面沉积1^基础薄膜，沉积时间为151^11; 4)关闭Ti弧靶，启动含8%纳米银的Mo弧靶，充入Ar，使炉内压强为0.5Pa，加载偏压-100V，在工件表面沉积防菌膜层，沉积时间为30min;5)关闭弧靶及所有电源，真空炉内逐步升压及降温至65°C，取出工件。
[0031]实施例3
I)将工件表面洗净，脱去氧化膜，放入真空炉内，抽真空至5.0 X 10—3Pa，注入Ar进行20min离子清洗;2)将炉内温度升至110 °C ; 3 )启动Ti弧靶，充入Ar，使炉内压强达到3Pa，加载偏压-400V，在工件表面沉积Ti基础薄膜，沉积时间为1min; 4)关闭Ti弧靶，启动含6%纳米银的Mo弧靶，充入Ar，使炉内压强为0.4Pa，加载偏压-80V，在工件表面沉积防菌膜层，沉积时间为35min;5)关闭弧靶及所有电源，真空炉内逐步升压及降温至60°C，取出工件。
[0032]实施例4
I)将工件表面洗净，脱去氧化膜，放入真空炉内，抽真空至4.0 X 10—3Pa，注入Ar进行20min离子清洗;2)将炉内温度升至120°C ; 3)启动Ti弧靶，充入Ar，使炉内压强达到3Pa，加载偏压-450V，在工件表面沉积Ti基础薄膜，沉积时间为12min; 4)关闭Ti弧靶，启动含5.5%纳米银的Mo弧靶，充入Ar，使炉内压强为0.3Pa，加载偏压-60V，在工件表面沉积防菌膜层，沉积时间为40min;5)关闭弧靶及所有电源，真空炉内逐步升压及降温至65°C，取出工件。
[0033]实施例5
I)将工件表面洗净，脱去氧化膜，放入真空炉内，抽真空至5.0 X 10—3Pa，注入Ar进行20min离子清洗;2)将炉内温度升至130°C;3)启动Ti弧靶，充入Ar，使炉内压强达到4Pa，加载偏压-550￥，在工件表面沉积1^基础薄膜，沉积时间为131^11; 4)关闭Ti弧靶，启动含5%纳米银的Mo弧靶，充入Ar，使炉内压强为0.5Pa，加载偏压-50V，在工件表面沉积防菌膜层，沉积时间为45min;5)关闭弧靶及所有电源，真空炉内逐步升压及降温至65°C，取出工件。
[0034]实施例6
I)将工件表面洗净，脱去氧化膜，放入真空炉内，抽真空至6.0 X 10—3Pa，注入Ar进行20min离子清洗;2)将炉内温度升至150°C ; 3)启动Ti弧靶，充入Ar，使炉内压强达到2Pa，加载偏压-470V，在工件表面沉积Ti基础薄膜，沉积时间为8min; 4)关闭Ti弧靶，启动含4.5%纳米银的Mo弧靶，充入Ar，使炉内压强为0.3Pa，加载偏压-90V，在工件表面沉积防菌膜层，沉积时间为30min;5)关闭弧靶及所有电源，真空炉内逐步升压及降温至70°C，取出工件。
[0035]实施例7
I)将工件表面洗净，脱去氧化膜，放入真空炉内，抽真空至4.0 X 10—3Pa，注入Ar进行20min离子清洗;2)将炉内温度升至110 °C ; 3 )启动Ti弧靶，充入Ar，使炉内压强达到2Pa，加载偏压-400￥，在工件表面沉积1^基础薄膜，沉积时间为151^11; 4)关闭Ti弧靶，启动含4%纳米银的Mo弧靶，充入Ar，使炉内压强为0.2Pa，加载偏压-100V，在工件表面沉积防菌膜层，沉积时间为30min;5)关闭弧靶及所有电源，真空炉内逐步升压及降温至65°C，取出工件。
[0036]实施例8
I)将工件表面洗净，脱去氧化膜，放入真空炉内，抽真空至4.0 X 10—3Pa，注入Ar进行20min离子清洗;2)将炉内温度升至100°C;3)启动Ti弧靶，充入Ar，使炉内压强达到5Pa，加载偏压-600V，在工件表面沉积Ti基础薄膜，沉积时间为I Imin; 4)关闭Ti弧靶，启动含3%纳米银的Mo弧靶，充入Ar，使炉内压强为0.2Pa，加载偏压-80V，在工件表面沉积防菌膜层，沉积时间为40min;5)关闭弧靶及所有电源，真空炉内逐步升压及降温至65°C，取出工件。
[0037]实施例9
I)将工件表面洗净，脱去氧化膜，放入真空炉内，抽真空至5.0 X 10—3Pa，注入Ar进行20min离子清洗;2)将炉内温度升至130°C ; 3)启动Ti弧靶，充入Ar，使炉内压强达到3Pa，加载偏压-500V，在工件表面沉积Ti基础薄膜，沉积时间为8min; 4)关闭Ti弧靶，启动含1%纳米银的Mo弧靶，充入Ar，使炉内压强为0.5Pa，加载偏压-50V，在工件表面沉积防菌膜层，沉积时间为50min;5)关闭弧靶及所有电源，真空炉内逐步升压及降温至70°C，取出工件。
[0038]以上所述实施方式仅是本发明的优选实施方式，应当指出的是，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出改进和变形，这些改进和变形也应视为不脱离本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种镀制PVD防菌膜的方法，其特征是:包括如下步骤: 1)预处理:将工件表面洗净，脱去氧化膜，放入真空炉内，抽真空，升温； 2)生成基础膜层:启动Ti弧靶，充入Ar，加载偏压，在工件表面沉积Ti基础薄膜； 3)生成防菌膜层:关闭Ti弧靶，启动含不超过10%纳米银的Mo弧靶，充入Ar，加载偏压，在工件表面沉积防菌膜层。2.根据权利要求1所述一种镀制PVD防菌膜的方法，其特征是:所述方法还包括防菌膜层沉积完成后关闭弧靶及所有电源，真空炉内逐步升压及降温至不超过70°C后，取出工件。3.根据权利要求1所述一种镀制PVD防菌膜的方法，其特征是:所述步骤I)中预处理还包括抽真空后通入Ar将工件离子清洗20min。4.根据权利要求1所述一种镀制PVD防菌膜的方法，其特征是:所述步骤2)、3冲镀膜方法均采用真空磁控溅射镀膜法。5.根据权利要求1所述一种镀制PVD防菌膜的方法，其特征是:步骤I)中所述抽真空压强至 4.0 X 10—3 ?6.0 X 10—3Pa。6.根据权利要求1所述一种镀制PVD防菌膜的方法，其特征是:步骤I)中所述升温温度至 100?150。。。7.根据权利要求1所述一种镀ffjijPVD防菌膜的方法，其特征是:步骤2)中所述通入Ar，使炉内压强达到2?5Pa ；步骤3)中所述充入Ar，使炉内压强达到0.2?0.5Pa。8.根据权利要求1所述一种镀ffjijPVD防菌膜的方法，其特征是:步骤2)中所述加载偏压为-400V~-600V ；步骤3)中所述加载偏压为-50V—100V。9.根据权利要求1所述一种镀制PVD防菌膜的方法，其特征是:步骤2)中所述沉积时间为8?15min;步骤3)中所述沉积时间为30~50min。
【专利摘要】一种镀制PVD防菌膜的方法，采用真空磁控溅射技术，并采用含纳米银的靶材，使纳米银均匀的分布在防菌膜上，能够起到全面防菌的目的，另外将纳米银裹在靶材中镀膜，靶材可以起到保护纳米银的作用，保护了纳米银，增加了防菌膜的耐磨性，可以长时间持续防菌。
【IPC分类】C23C14/35, C23C14/14, C23C14/02
【公开号】CN105586576
【申请号】CN201610078676
【发明人】黎剑文
【申请人】东莞沙头朝日五金电子制品有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2016年2月4日