一种加热腔室及物理气相沉积设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明属于微电子加工技术领域，具体涉及一种加热腔室及物理气相沉积设备。
【背景技术】
[0002]物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n,简称PVD)技术是半导体工业中最为广泛使用的一种薄膜制造技术。在集成电路的制造领域中，PVD技术多特指磁控溅射沉积技术，主要用于铝、铜等金属薄膜的沉积，以构成金属接触、金属互连线等。
[0003]PVD工艺通常包括以下步骤:1)去气步骤；2)预清洗步骤；3)铜阻挡层步骤；4)铜籽晶层步骤。上述PVD工艺采用PVD设备实现，PVD设备包括用于完成去气步骤的去气腔室，图1为现有的PVD设备的去气腔室的结构示意图，请参阅图1，去气腔室10包括被石英窗11由上至下划分的大气腔室12和真空腔室13。其中，在真空腔室13内设置有顶针14和顶针升降机构(图中未示出)，顶针14用于承载托盘16，托盘16上承载有多个基片，顶针升降机构用于驱动顶针14升降，以实现与机械手配合实现基片的装卸载；在真空腔室13的侧壁上设置有传片口 15，机械手经由该传片口 15向真空腔室13内的顶针14上装卸载托盘16。大气腔室12内设置有加热灯泡17，加热灯泡17向真空腔室13内辐射热量以加热位于真空腔室13内托盘16上基片，以去除基片表面上的水气和易挥发的杂质，从而完成PVD工艺中的去气步骤。
[0004]然而，采用上述去气腔室在实际应用中往往会存在以下问题:由于上述PVD工艺中的去气步骤的工艺时间最长，例如，标准工艺中去气步骤的时间一般为200s，而其他工艺步骤的工艺时间一般50s左右，并且，去气腔室10的每次仅能实现对一个托盘完成去气步骤，即去气腔室的产出率低，从而造成该PVD设备的产出率低，进而造成经济效益低。
【发明内容】
[0005]本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种加热腔室及物理气相沉积设备，其可以对至少两个被加工工件同时加热，因而可以解决其产出率低的问题，从而可以提高半导体加工设备的产能，进而可以提高经济效益。
[0006]为解决上述问题之一，本发明提供了一种加热腔室，在所述加热腔室内沿其轴向间隔设置至少两个承载件，所述承载件用于承载被加工工件；并且在所述加热腔室内，对应每个所述承载件至少设置一个加热元件，所述加热元件用于加热与之对应的所述承载件上的被加工工件。
[0007]其中，所述承载件用于承载被加工工件的边缘区域；在每个所述承载件所在承载位的上方和/或下方设置有加热元件。
[0008]其中，在最上层承载件所在承载位的上方、每相邻两个承载件所在承载位之间以及最下层承载件所在承载位的下方均设置有所述加热元件。
[0009]其中，所述承载件的数量为偶数，由上至下依次每两个所述承载件所在的承载位之间设置有所述加热元件；或者在最上层承载件所在承载位的上方，最下层承载件所在承载位的下方，以及其他承载件由上至下依次每两个所述承载件所在的承载位之间均设置有所述加热元件。
[0010]其中，所述承载件的数量为奇数，由上至下依次每两个所述承载件所在承载位之间，以及在最下层承载件所在承载位的下方均设置有所述加热元件；或者由下至上依次每两个所述承载件所在承载位之间，以及在最上层承载件所在承载位的上方均设置有所述加热元件。
[0011]其中，至少两个所述承载件在轴向上间隔且均匀设置，并且，每个所述加热元件距离与之相邻的所述承载件上的被加工工件的竖直间距相等。
[0012]其中，所述承载件用于承载被加工工件的下表面；在每个所述承载件所在承载位的上方，和/或，在每个所述承载件内设置有所述加热元件。
[0013]其中，在所述加热腔室内设置有加热支撑装置，所述加热支撑装置包括支架，所述承载件和所述加热元件设置在所述支架的内周壁上；并且在所述加热支撑装置的侧壁上设置有可供被加工工件通过的传输口。
[0014]其中，所述支架上还设置有一对电极，所述一对电极中的正电极/负电极与各个所述加热元件的正极/负极对应连接；所述一对电极中的正电极和负电极与电源的正负极对应连接。
[0015]其中，所述支架采用导电材料制成，用以分别将所述一对电极的正电极和负电极对应地与各个加热元件的正极和负极电连接。
[0016]其中，所述加热支撑装置还包括绝缘体，所述绝缘体设置在所述支架的外侧壁上，用以使所述支架与所述加热腔室的腔室侧壁电绝缘。
[0017]其中，所述加热腔室还包括升降装置，所述升降装置用于驱动所述加热支撑装置升降。
[0018]其中，所述加热元件包括电阻加热丝。
[0019]本发明还提供一种物理气相沉积设备，包括加热腔室，所述加热腔室采用本发明上述的加热腔室。
[0020]本发明具有以下有益效果:
[0021]本发明提供的加热腔室，沿其轴向间隔设置有至少两个承载件，承载件用于承载被加工工件，并且，在加热腔室内，对应每个承载件至少设置一个加热元件，借助加热元件可以实现加热与之对应的承载件上的被加工工件，因此该加热腔室可以实现对至少两个承载件上的被加工工件同时加热，因而可以解决加热腔室(即，去气腔室)的产能低的问题，从而可以提高PVD设备的产能，进而可以提高经济效益。
[0022]本发明提供的物理气相沉积设备，其采用本发明提供的加热腔室，因而可以提高其产能，从而可以提高经济效益。
【附图说明】
[0023]图1为现有的PVD设备的去气腔室的结构示意图；
[0024]图2为本发明第一实施例提供的加热腔室的结构示意图；
[0025]图3为图2中加热元件的结构示意图；以及
[0026]图4为图2所示的加热腔室的工作示意图；
[0027]图5为本发明第二实施例提供的加热腔室中承载件为大于2的偶数个时的第一种结构示意图；
[0028]图6为本发明第二实施例提供的加热腔室中承载件为大于2的偶数个时的第二种的结构不意图；
[0029]图7为本发明第二实施例提供的加热腔室中承载件为2个时的结构示意图；
[0030]图8为本发明第二实施例提供的加热腔室中承载件为奇数个时的第一结构示意图；
[0031]图9为本发明第二实施例提供的加热腔室中承载件为奇数个时的第二结构示意图；以及
[0032]图10为本发明第三实施例提供的加热腔室的结构示意图。
【具体实施方式】
[0033]为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明实施例提供的加热腔室及物理气相沉积设备进行详细描述。
[0034]图2为本发明第一实施例提供的加热腔室的结构示意图。图3为图2中加热元件的结构示意图。请一并参阅图2和图3，本实施例提供的加热腔室20，在加热腔室20内沿轴向向上间隔设置有至少两个承载件21，承载件21用于承载被加工工件S，其中，被加工工件S可以为基片，也可以为承载有多个基片的托盘。并且，在加热腔室20内，对应每个承载件21至少设置一个加热元件22，通过加热元件22可以加热与之对应的承载件21上的被加工工件S，因此加热腔室可以实现对至少两个承载件21上的被加工工件S同时加热，因而可以解决加热腔室(即，去气腔室)的产能低的问题，从而可以提高PVD设备的产能，进而可以提闻经济效益。
[0035]具体地，在本实施例中，承载件21用于承载被加工工件的边缘区域，如图2所示，承载件21为凸缘，被加工工件S的边缘区域叠置在凸缘上，在这种情况下，由于被加工工件S的上表面和下表面均为未被覆盖，因此，可以在每个承载件21所在承载位的上方和/或下方设置有加热元件22。
[0036]下面详细描述本实施例中如何实现对应每个承载件21至少设置一个加热元件22。
[0037]具体地，在本实施例中，如图2所示，最上层承载