一种溅射成膜的参数调节方法及系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种溅射成膜的参数调节方法及系统。
【背景技术】
[0002]柔性显示器件凭借其能够弯曲的特性可以广泛应用于各种需要曲面显示的领域，如智能卡、电子纸、智能标签，并将在未来的显示产品市场占据巨大的市场份额。
[0003]柔性显示器件的柔性衬底通常为有机材料(如聚酰亚胺薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜等有机薄膜及其复合薄膜)或超薄玻璃(厚度通常小于
0.1mm)。在柔性衬底上制备膜层后通过相应的构图工艺形成显示元件前，必须保证制备的膜层具有较低的形变量，这样才能使得制备出的柔性显示器件具有良好的柔韧性。
[0004]传统的溅射成膜技术中溅射沉积的膜层形变量较大，往往会使柔性衬底在沉积完成后发生翘曲变形，影响后续加工的继续进行，降低了柔性显示器件的良品率和可弯曲性會K。
【发明内容】
[0005]本发明的实施例提供一种溅射成膜的参数调节方法及系统，采用该调节方法可提高由衬底基板和沉积在该衬底基板上的膜层构成的柔性基板的表面平整度、降低柔性基板的整体形变量、提高了柔性基板的可弯曲性能。
[0006]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0007]—方面、本发明实施例提供了一种溅射成膜的参数调节方法，所述调节方法包括:对衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量、不同区域的成膜厚度变化量和所述衬底基板的形变量中的至少一个变量进行监控;若监控的变量超出所述变量的阈值，则调节派射设备的参数，以降低所述监控的变量。
[0008]可选的，所述对衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量进行监控，包括:通过获取溅射成膜过程中衬底基板上不同区域的衬底基板温度差异量，来对不同区域的结晶成核温度差异量进行监控。
[0009]可选的，所述监控的变量为衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量;所述调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量具体为:通过溅射设备中的温控单元，调节所述衬底基板的至少一个区域对应的衬底基板温度，以降低所述衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量。
[0010]可选的，所述监控的变量为衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量;所述调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量具体为:调节溅射设备中对应于至少一个区域的靶材的溅射功率，以降低所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。
[0011]优选的，在所述溅射设备为磁控溅射设备的情况下，所述调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量还包括:调节溅射设备中对应于至少一个区域的所述靶材与磁体之间的间距值，以降低所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。
[0012]可选的，所述监控的变量为衬底基板的形变量;所述调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量具体为:降低溅射设备中容纳所述衬底基板的腔室内的工艺气体的压力，以降低所述衬底基板的形变量。
[0013]另一方面、本发明实施例还提供了一种溅射成膜的参数调节系统，所述系统包括:溅射装置;所述系统还包括:监控装置，用于对衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量、不同区域的成膜厚度变化量和所述衬底基板的形变量中的至少一个变量进行监控;处理装置，用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，调节溅射设备的参数，以降低所述监控的变量。
[0014]可选的，所述监控装置包括:第一监控单元;所述第一监控单元用于在沿平行于衬底基板的板面方向对溅射成膜过程中所述衬底基板上不同区域的衬底基板温度差异量进行监控。
[0015]可选的，所述处理装置包括:第一处理单元;所述第一处理单元用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，控制所述溅射设备中的温控单元来调节所述衬底基板的至少一个区域对应的衬底基板温度，以降低所述衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量。
[0016]可选的，所述第一监控单元为红外成像仪或红外焦平面阵列探测器。
[0017]可选的，所述监控装置包括:第二监控单元;所述第二监控单元用于在沿垂直于衬底基板的板面方向对所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量进行监控;所述处理装置包括:第二处理单元;所述第二处理单元用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，调节所述溅射设备中对应于至少一个区域的靶材的溅射功率，以降低所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。
[0018]优选的，在所述溅射设备为磁控溅射设备的情况下，所述第二处理单元还用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，调节溅射设备中对应于至少一个区域的所述靶材与磁体之间的间距值，以降低所述衬底基板上不同区域的成膜厚度变化量。
[0019]优选的，所述第二监控单元为红外成像仪、红外焦平面阵列探测器、超声膜厚测量仪中的任一种。
[0020]可选的，所述监控装置包括:第三监控单元;所述第三监控单元用于在沿垂直于衬底基板的板面方向对所述衬底基板的形变量进行监控;所述处理装置包括:第三处理单元；所述第三处理单元用于在监控的变量超出所述变量的阈值情况下，降低溅射设备中容纳所述衬底基板的腔室内的工艺气体的压力，以降低所述衬底基板的形变量。
[0021]优选的，所述第三监控单元为红外成像仪、红外焦平面阵列探测器、超声膜厚测量仪中的任一种。
[0022]基于此，通过本发明实施例提供的上述调节方法，可对溅射成膜中影响成膜均匀性和/或衬底基板形变量的参数进行监控，并在监控的变量超出变量的阈值的情况下，调节溅射设备中对应的参数设定，以降低监控的变量，提高了由上述衬底基板和沉积在该衬底基板上的膜层构成的柔性基板的表面平整度，降低柔性基板的整体形变量。从而提高了对该柔性基板进行后续加工形成的柔性显示器件的可弯曲性能，提高了柔性显示器件的产能和产品的竞争力。
【附图说明】
[0023]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为现有技术中成膜后膜层实际厚度等值线图；
[0025]图2为现有技术中柔性显示器件中的衬底基板由于受到溅射腔室内气压的影响而发生变形的示意图；
[0026]图3为现有技术中磁控溅射设备中TM值的示意图；
[0027]图4为本发明实施例提供的一种溅射的成膜调节系统配置框图；
[0028]图5为本发明实施例提供的一种溅射的成膜调节系统的结构示意图一；
[0029]图6为现有技术中红外焦平面阵列探测器的成像原理示意图；
[0030]图7为本发明实施例提供的一种溅射的成膜调节系统的结构示意图二；
[0031]图8为发明实施例提供的一种溅射的成膜调节系统的原理示意图。
[0032]附图标记:
[0033]10-第一监控单元；11-第一处理单元；12-第一运动机构;20-第二