一种过滤蓝光防强光的耐磨手机盖板及其制造方法

文档序号:9905242阅读:495来源:国知局
一种过滤蓝光防强光的耐磨手机盖板及其制造方法
【技术领域】
[0001 ]本发明涉及一种过滤蓝光防强光的耐磨手机盖板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]目前手机屏幕发出的蓝光、电磁波、自由电子它们均会对眼睛造成伤害,为了保护眼睛,必须加以过滤,而目前过滤手机屏幕蓝光的方法是在手机屏幕表面贴一层保护膜,手机屏幕贴膜以后,透光率往往会下降,所贴的膜容易产生划痕影响视觉效果,对过滤蓝光效果依然不够理想。另外,保护膜耐磨性差,容易刮花,影响视觉效果。因此,在市场上出现了一种用于过滤蓝光的手机屏幕盖板。然而现有的手机屏幕盖板在使用过程中很容易被刮花或蹭花,影响美观,更严重的是,手机屏幕盖板的表面刮花或蹭花后,内层暴露在空气中,容易受腐蚀,影响使用寿命。另外,由于现有的手机屏幕盖板不具有防强光的功能,因此手机在在使用过程中,手机屏幕发出的强光也会给人体造成伤害。

【发明内容】

[0003]本发明的目的在于提供一种过滤蓝光防强光的耐磨手机盖板及其制造方法,该方法制造出来的手机盖板具有防止有害蓝光和强光对人体的伤害,而且具有高耐磨性。
[0004]为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种过滤蓝光防强光的耐磨手机盖板,包括基板,所述基板的外表面从里到外依序设有第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层和第五膜层,所述第一膜层为五氧化三钛层,第一膜层的厚度为1-1OOnm;所述第二膜层为二氧化硅层,第二膜层的厚度为50-100nm;所述第三膜层为金属层,第三膜层的厚度为5-20nm;所述第四膜层为高反射物质层,第四膜层的厚度为10-50nm;所述第五膜层为高硬度层,第五膜层的厚度为10-50nmo
[0005]所述金属层的膜材为金、银、铂、钕、铜、锌或镍,并由电子枪蒸镀成型。
[0006]所述金属层的膜材为金合金、银合金、铀合金、钕合金、铜合金、锌合金或镍合金,并由电子枪蒸镀成型。
[0007]所述高反射物质层的膜材为铬或银,并由电子枪蒸镀成型
所述高硬度层的膜材为三氧化二铝、氧化锆、二氧化硅晶体或一氧化硅晶体,并由电子枪蒸镀成型。
[0008]所述基板为树脂或玻璃成型。
[0009]所述手机盖板的基板为树脂成型时,所述手机盖板的制造方法具体包括以下步骤:
1)对基板的外表面进行清洗;
2)对基板的外表面进行镀膜;
A、镀第一膜层:
将真空镀膜舱内的真空度调整至大于或等于5.0X 10-3帕,并控制真空镀膜舱内的温度为50-70°C,采用电子枪轰击第一膜层的膜材,第一膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于基板的外表面,同时控制第一膜层蒸镀的速率为2.5A/S,第一膜层最终形成后的厚度为10-1 OOnm,其中第一膜层的膜材为五氧化三钛,形成五氧化三钛层;
B、镀第二膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕,同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70°C,采用电子枪轰击第二膜层的膜材,第二膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤A中第一膜层的表面,同时控制第二膜层蒸镀的速率为7A/S,第二膜层最终形成后的厚度为50-100nm,其中第二膜层的膜材为二氧化硅,形成二氧化硅层;
C、镀第三膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕,同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70°C,采用电子枪轰击第三膜层的膜材,第三膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤B中第二膜层的表面,同时控制第三膜层蒸镀的速率为1A/S,第三膜层最终形成后的厚度为5_20nm,其中第三膜层的膜材为金、银、铂、钕、铜、锌、镍、金合金、银合金、铂合金、钕合金、铜合金、锌合金或镍合金,形成金属层;
D、镀第四膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕,同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70°C,采用电子枪轰击第四膜层的膜材,第四膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤C中第三膜层的表面,同时控制第四膜层蒸镀的速率为1.5A/S,第四膜层最终形成后的厚度为10-50nm,其中第四膜层的膜材为铬或银,形成高反射物质层;
E、镀第五膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕,同时保持真空镀膜舱内的温度为50-70°C,采用电子枪轰击第五膜层的膜材,第五膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤E中第五膜层的表面,同时控制第五膜层蒸镀的速率为7A/S,第五膜层最终形成后的厚度为10-50nm,其中第五膜层的膜材为三氧化二铝、氧化锆、二氧化硅晶体或一氧化硅晶体,形成高硬度层。
[0010]所述步骤I)中,对基板外表面的清洗具体方法如下:将基板放在真空腔内,用离子枪轰击基板的外表面3分钟。
[0011 ]所述手机盖板的基板为玻璃成型时,所述手机盖板的制造方法具体包括以下步骤:
1)对基板的外表面进行清洗;
2)对基板的外表面进行镀膜;
A、镀第一膜层:
将真空镀膜舱内的真空度调整至大于或等于5.0X 10-3帕,并控制真空镀膜舱内的温度为200-300°C,采用电子枪轰击第一膜层的膜材,第一膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于基板的外表面,同时控制第一膜层蒸镀的速率为2.5A/S,第一膜层最终形成后的厚度为lO-lOOnm,其中第一膜层的膜材为五氧化三钛,形成五氧化三钛层;
B、镀第二膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕,同时保持真空镀膜舱内的温度为200-300°C,采用电子枪轰击第二膜层的膜材,第二膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤A中第一膜层的表面,同时控制第二膜层蒸镀的速率为7A/S,第二膜层最终形成后的厚度为50-100nm,其中第二膜层的膜材为二氧化硅,形成二氧化硅层;
C、镀第三膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕,同时保持真空镀膜舱内的温度为200-300°C,采用电子枪轰击第三膜层的膜材,第三膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤B中第二膜层的表面,同时控制第三膜层蒸镀的速率为1A/S,第三膜层最终形成后的厚度为5-20nm,其中第三膜层的膜材为金、银、铂、钕、铜、锌、镍、金合金、银合金、铀合金、钕合金、铜合金、锌合金或镍合金,形成金属层;
D、镀第四膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕,同时保持真空镀膜舱内的温度为200-300°C,采用电子枪轰击第四膜层的膜材,第四膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤C中第三膜层的表面,同时控制第四膜层蒸镀的速率为1.5A/S,第四膜层最终形成后的厚度为10-50nm,其中第四膜层的膜材为铬或银,形成高反射物质层;
E、镀第五膜层:
保持真空镀膜舱内的真空度大于或等于5.0 X 10-3帕,同时保持真空镀膜舱内的温度为200-300°C,采用电子枪轰击第五膜层的膜材,第五膜层的膜材蒸发后以纳米级分子形式沉积于上述步骤E中第五膜层的表面,同时控制第五膜层蒸镀的速率为7A/S,第五膜层最终形成后的厚度为10-50nm,其中第五膜层的膜材为三氧化二铝、氧化锆、二氧化硅晶体或一氧化硅晶体,形成高硬度层。
[0012]所述步骤I)中,对基板外表面的清洗具体方法如下:将基板放在真空腔内,用离子枪轰击基板的外表面5-10分钟。
[0013]本发明采用电子束真空蒸镀的原理,利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点,将离子引向欲被镀膜的基板制成的电极,并通过电子枪高温轰击单质存在的高纯度金属、金属合金或其它氧化物,蒸发出来的纳米分子使其沿着一定的方向运动到基板并最终在基板上沉积成膜的方法。本项发明技术结合利用磁场的特殊分布控制电场中的电子运动轨迹,以此改进镀膜的工艺,使得镀膜厚度及均匀性可控,且制备的膜层致密性好、粘结力强及纯净度高。<
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