透光基板的镀膜方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及磁控溅射领域，特别涉及一种透光基板的镀膜方法。
【背景技术】
[0002]在现代社会发展过程中，玻璃等透光基板因为具有良好的隔风、透光和光反射等效果，在汽车制造业、建筑行业等领域中得到广泛使用。
[0003]随着社会的进步和科学的发展，人们对玻璃的要求越来越高，不仅对玻璃的透光均匀度、光反射性等性能提出了新的要求，还对提高玻璃的耐腐蚀度、玻璃的硬度以及摩擦系数等提出了要求。
[0004]为此，在现代玻璃制造工艺中，常常需要在玻璃表面通过镀膜工艺形成一层金属薄膜，以提高玻璃对于光反射、耐腐蚀度性等性能。
[0005]金属铬等金属材料具有硬度高、摩擦系数小、对酸碱具有较好的耐磨性以及电阻率高等优点，因此常用作玻璃的镀膜层材料。
[0006]现有的镀膜工艺主要包括凝胶镀膜和在线镀膜等化学镀膜方式，以及磁控溅射镀膜和真空蒸发镀膜等物理镀膜方式。其中，磁控溅射以溅射率高、基板温升低、膜-基结合力好以及优异的金属镀膜均匀性和可控性强等优势成为最常用的玻璃镀膜方式。
[0007]磁控溅射工艺包括:利用带电粒子轰击靶材的溅射面，使靶材原子从靶材的溅射面逸出并均匀沉积在衬底上从而形成镀膜。
[0008]然而，在采用现有的磁控溅射对透光基板进行铬金属等镀膜后，透光基板容易出现漏光缺陷，参考图1，采用现有工艺在玻璃10表面形成金属铬镀膜层后，玻璃10在光线下有明显的漏光点11，上述漏光缺陷降低了镀膜透光基板的质量和镀膜透光基板的成品率，从而严重影响了镀膜玻璃的产业化使用。
[0009]为此，如何提高镀膜后的透光基板质量是本领域技术人员亟需解决的问题。
【发明内容】
[0010]本发明解决的技术问题是提供了一种透光基板的镀膜方法，可有效减少镀膜后透光基板的漏光现象，从而提高镀膜后的透光基板质量。
[0011]为解决上述问题，本发明提供的一种透光基板的镀膜方法，包括:
[0012]提供透光基板；
[0013]采用磁控溅射工艺在所述透光基板表面形成镀膜层，其中所述磁控溅射工艺采用的靶材具有小于或等于50 μm的晶粒尺寸。
[0014]可选地，所述磁控溅射工艺采用的靶材是铬合金靶材，所述镀膜层为铬合金镀膜层。
[0015]可选地，所述铬合金靶中铬的质量百分含量大于或等于99.5%。
[0016]可选地，所述铬合金靶材的晶粒尺寸小于或等于30 μ m0
[0017]可选地，所述透光基板的材料为玻璃。
[0018]可选地，提供所述透光基板后，进行磁控溅射镀膜工艺前，所述透光基板的镀膜方法还包括对所述透光基板进行清洗处理。
[0019]可选地，对所述透光基板进行清洗处理的步骤包括:采用纯水清洗所述透光基板。
[0020]可选地，所述磁控派射工艺的步骤包括:控制派射功率为400kw?600kw。
[0021]可选地，所述镀膜层的厚度为300?400 μ m。
[0022]可选地，所述磁控溅射工艺的步骤包括:溅射持续时间为30?60秒。
[0023]与现有技术相比，本发明具有以下优点:
[0024]在采用磁控溅射工艺，从而在透光基板上形成镀膜层的方法中，所采用的靶材内的晶粒尺寸小于或等于50 μπι，因为靶材较小的晶粒尺寸，在体积恒定的靶材内，增加了晶界的数量，而在晶界上聚集有较多的原子，且处于晶界上的原子之间作用力较大，原子的自由能较大，所以在磁控溅射过程中晶界处原子较易被溅射，可有效提升靶材被带电离子轰击后溅射的速率，并在短时间溅射出尺寸较小，且密度较大的靶材晶粒，从而在透光基板上迅速形成密度更高、均匀度更好的镀膜层；此外，因为靶材内较小的晶粒尺寸，有效降低了形成于透光基板上的镀膜层内的晶粒的尺寸，提高镀膜层内的原子排列密度，提高形成于透明基板上的镀膜内原子间的作用力，降低晶粒间的间隙，减小在所述镀膜层局部形成的孔洞，从而减小透光基板上的铬合金镀膜上的漏光现象。
【附图说明】
[0025]图1为采用现有的磁控溅射方法进行铬合金靶材镀膜后的玻璃基板的结构示意图；
[0026]图2为本发明一实施例透光基板的镀膜方法的结构示意图；
[0027]图3为本发明一实施例透光基板的镀膜方法所采用的铬靶材的电镜图，与现有透光基板的镀膜方法所采用铬靶材的电镜图；
[0028]图4为在相同的磁控溅射条件下，采用现有磁控溅射工艺在玻璃基板上形成的磁控溅射镀膜的结构，与采用本发明透光基板的镀膜方法在玻璃基板上形成的磁控溅射镀膜的结构的对比图。
【具体实施方式】
[0029]正如【背景技术】所述，现今常采用磁控溅射工艺在透光基板的表面形成铬等金属镀膜层，以提高玻璃的硬度、抗腐蚀度以及抗压强度等性能。但现有磁控溅射镀膜后形成的表面形成有镀膜层的透光基板存在严重的漏光等缺陷，进而严重降低了镀膜透光基板的质量和镀膜透光基板的成品率。
[0030]分析其原因，铬等金属为脆性金属，铬金属内原子与原子之间的作用力较弱，因此铬金属内的晶粒与晶粒之间的间隙较大，所以在采用铬靶材的磁控溅射工艺中，靶材的溅射速率较差且溅射形成的原子或是分子的尺寸差异大，这使得透光基板各部分沉积的金属铬的均匀度较差，因而会在金属铬镀膜内形成孔洞，并导致透光基板镀膜后存在较为严重的漏光现象。
[0031]为此，本发明提供了一种透光基板的镀膜方法。所述透光基板的镀膜方法，具体包括:
[0032]采用磁控溅射工艺在透光基板表面形成镀膜层，其中所述磁控溅射工艺采用的靶材的晶粒尺寸小于或等于50 μπι。
[0033]采用的晶粒尺寸小于或等于50 μπι的铬合金靶材进行磁控溅射过程中，因为靶材较小的晶粒尺寸，在体积恒定的靶材内，增加了晶界的数量，而晶界上聚集有较多的原子，且处于晶界上的原子之间作用力较大，原子的自由能较大，所以在磁控溅射过程中晶界处原子较易被溅射，可有效提升靶材被带电离子轰击后溅射的速率，并在短时间溅射出尺寸较小、密度较大的靶材晶粒，从而在透光基板上迅速形成密度更高、均匀度更好的镀膜层；此外，因为靶材内较小的晶粒尺寸，有效降低了形成于透光基板上的镀膜层内的晶粒的尺寸，提高镀膜层内的原子排列密度，提高形成于透明基板上的镀膜内原子间的作用力，降低晶粒间的间隙，减小在所述透光基板局部形成的孔洞，从而减小透光基板上的铬合金镀膜上的漏光现象。
[0034]采用的晶粒尺寸小于或等于50 μ m的铬合金靶材进行磁控溅射，可有效弥补铬金属内原子间相互作用力较小，而造成溅射出的原子或分子的尺寸差异大，使透光基板各部分沉积的金属铬的均匀度较差，晶粒与晶粒之间的间隙大的缺陷，从而减小金属铬镀膜内形成孔洞尺寸，并有效减小透光基板镀膜后所存在的较为严重的漏光缺陷。
[0035]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面通过具体的实施例对本发明做详细的说明。
[0036]参考图2为本发明透光基板的镀膜方法一实施例的结构示意图，本实施例透光基板的镀膜方法的具体步骤包括:
[0037]提供透光基板20。
[0038]本实施例中，所述透光基板20为玻璃基板。
[0039]但在除本实施例外的其他实施例中，所述透光基板20还可包括透明的塑料基板、光纤板以及蓝宝石等其他透明的材料基板，本发明对所述透明基板的材料并不做限定。
[0040]本实施例中，在对所述透光基板20表面镀膜前，先对所述玻璃基板20进行清洗处理，以去除玻璃基板20表面的指纹和灰尘等杂质，提高玻璃基板表面光洁度均一性。
[0041]因而玻璃基板20的表面光滑，在采用磁控溅射工艺在对玻璃基板进行表面镀膜时，磁控派射产生的金属原子于玻璃基板表面的结合力较弱，若在玻璃基板20表面有指纹和灰尘等杂质，会降低金属原子之间的相互作用力，尤其是对于金属铬，原子与原子间的作用力较小，因而需要提高玻璃基板20表面光洁度的均一性，以提高形成的铬镀膜中各原子间的作用力。
[0042]可选地，采用纯水对所述玻璃基板20表面进行清洗，以避免清洗过程中对于玻璃基板20表面的损伤。
[0043]在清洗处理步骤后，对所述玻璃基板20进行磁控溅射工艺，在玻璃基板20表面形成镀膜层42。
[0044]本实施例中，所述磁控溅射工艺为铬合金靶材磁控溅射工艺，以在所述玻璃基板20的表面形成铬合金镀膜层42。
[0045]可选地，本实施例中，所述铬合金靶材40为铬质量百分含量大于或等于99.5%的铬合金靶材。
[0046]所采用铬合金靶材40直接影响后续形成的铬合金镀膜层42的质量，铬质量百分含量大于或等于99.5%的铬合金靶材可提高后续形成的铬合金镀膜层42内铬的含量，从而提高铬合金镀膜层的硬度和抗腐蚀等特性，但若采用现有磁控溅射工艺中，采用如此高纯度的铬合金靶材，因为铬合金靶材内的铬原子间较小的作用