用于控制气流模式的处理腔室设备、系统及方法【专利说明】[0001]相关申请[0002]此申请请求W下优先权:美国专利申请第14/091，111号，于2013年11月26日申请，且名称为'中ROCESSCHAMB邸APPARATUS,SYSTEMS,ANDMET册DSFORCONTROLLINGAGAS化OWPATTERN"(事务所文件编号21363/USA);所述美国申请在此为所有目的通过引用结合在此。
技术领域：
[0003]本发明一般地设及电子装置制造，且更具体地设及用于在处理腔室中控制处理气体流动的阀设备、系统及方法。【
背景技术：
】[0004]常规电子装置制造系统可包含一个或多个处理腔室，所述处理腔室经配置W执行任何数量的基板处理，所述基板处理包含例如脱气、预清洁或清洁、沉积(例如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)，和/或原子层沉积）、涂层、氧化、硝化、蚀刻(例如，等离子体蚀刻)及类似处理。基板可为半导体晶片、玻璃板或面板，和/或其它用来制作电子装置或电路部件的工件。基板可通过狭缝阀转移进和转移出处理腔室。一旦基板正确地定位于处理腔室内，所述狭缝阀可被关闭，且所述基板的所述处理可W开始。作为所述处理的一部分，特定的处理气体被引入至所述处理腔室中。在某些状况下，在所述处理腔室中的所述气流可能不均匀，运可能导致所不期望的非均匀处理（例如，非均匀蚀刻、沉积，和/或类似处理）。在处理腔室中控制气流的各种方法是已知的，例如使用多个入流导管及阀。然而，运样的气流控制系统倾向于复杂且昂贵，并且仍无法充分解决不均匀的气流。[0005]因此，用于调整处理腔室中的气流模式(例如，气流速率与均匀性)的改善设备、系统及方法是所期望的。【
发明内容】[0006]依据第一方面，处理腔室气流控制设备被提供。所述处理腔室气流控制设备包括：处理腔室，所述处理腔室经配置W在处理腔室中处理基板，所述处理腔室具有排气口；W及阀，所述阀经配置W密封所述排气口且经配置W相对于所述排气口在X、Y及Z方向上移动，W调整在所述处理腔室内的气流模式。[0007]依据第二方面，电子装置制造系统被提供。所述电子装置制造系统包括:处理腔室，所述处理腔室经配置W在处理腔室中处理基板，所述处理腔室具有排气口；处理气体入口，所述处理气体入口禪接至所述处理腔室且经配置W引导处理气体进入所述处理腔室；W及阀，所述阀经配置W密封所述排气口且经配置W相对于所述排气口在X、Y及Z方向上移动，W调整在所述处理腔室内的气流模式。[000引依据第=方面，调整处理腔室内处理气体流动的方法被提供。所述方法包括:提供具有排气口的处理腔室；提供阀，所述阀经配置W密封所述排气口且经配置W相对于所述排气口在X、Y及Z方向上移动；W及通过在所述X、Y及Z方向中的一个或多个方向上移动所述阀而调整在所述处理腔室中的气流模式。[0009]还有本发明的【具体实施方式】的其它方面、特征及优点将从W下详细描述中显而易见，其中多个示例性【具体实施方式】及实作被描述和示出，包含实现本发明所设想的最佳模式。本发明也可包含其它且不同的【具体实施方式】，且本发明的多个细节可在均不背离本发明的范围下于各种方面中进行改良。因此，所述附图及描述实质上应被视为示例性的而非限制性的。本发明涵盖所有落入本发明范围内的改良、等效形式及替代形式。【附图说明】[0010]W下描述的所述附图仅用于示例性的目的且不必需按比例绘制。所述附图并不旨在W任何方式限制本公开内容的所述范围。[0011]图1依据【具体实施方式】，示出了电子装置制造系统的截面侧视图，所述电子装置制造系统包含具有阀的处理腔室气流控制设备，所述阀经配置W在所述X、Y及Z方向上移动。[0012]图2A至2B依据【具体实施方式】，示出了第一处理腔室气流控制设备的简化透视图。[0013]图2C至2E依据【具体实施方式】，示出了第一处理腔室气流控制设备的简化顶部、截面侧边，及分解透视图。[0014]图3A至3C依据【具体实施方式】，示出了第二处理腔室气流控制设备的简化透视顶部，及截面侧边视图。[0015]图4A至4D依据【具体实施方式】，示出了第S处理腔室气流控制设备的简化透视顶部、截面侧边，及侧视示意图。[0016]图5A至加依据【具体实施方式】，示出了排气口阀在所述X和/或Y方向上的示例性移动的简化顶视图。[0017]图祀至5F依据【具体实施方式】，示出了排气口阀在所述Z和X方向上的示例性移动的简化截面侧视图。[0018]图6依据【具体实施方式】，示出了调整在处理腔室内的处理气体流动的方法的流程图。【具体实施方式】[0019]现将参照本公开内容的示例性【具体实施方式】进行详细介绍，所述【具体实施方式】在所述附图中示出。只要有可能，相同参考数字将在整个所述附图中被用W指代相同或类似的部件。[0020]电子装置制造系统可使用处理腔室内的压力控制W控制处理速率或其它处理参数。已知的处理腔室气流控制设备通常包含处理气体入口，通过所述处理气体入口，处理气体可供应至所述腔室。所述处理气体入口可位于所述处理腔室的顶部。气体排气口通常位于所述处理腔室的侧边上，与所述处理气体入口相对，例如，举例而言，在所述处理腔室的底部。合适的累，例如满轮累，可位于邻近所述排气口或位于所述排气口下方。已知的处理腔室气流控制设备通常包含排气口阀，所述排气口阀可通过朝向及远离所述口线性移动(例如，对于底部排气口，在此定义为所述Z方向的上和下）而密封和开启所述排气口。所述排气口阀在所述Z方向上的定位调整可被用W调节腔室压力和/或控制所述整体气流速率。然而，运样的处理腔室气流控制设备可能经受所不期望的在所述处理腔室内的不均匀气流模式。运些不均匀气流模式可能造成不均匀的处理或其它问题，例如不均匀沉积、不均匀蚀亥Ij，W及类似问题。[0021]依据一个或多个【具体实施方式】的处理腔室气流控制设备可被提供，W改善处理腔室内的气流模式的控制。运样的处理腔室气流控制设备可包含排气口阀，所述排气口阀经配置W密封所述处理腔室的排气口并相对于所述排气口而在所述X、Y及Z方向上移动。所述排气口阀在所述X、Y及Z方向上的移动可产生在所述阀与所述排气口之间的用W调整所述处理腔室内的气流模式的各种尺寸及位置的开口。换句话说，通过利用在所述X、Y及Z方向中的一个或多个方向上的所述阀的选择性移动改变排气口开口的所述尺寸及位置，所述处理腔室内的所述气流模式可如所期望地变换和/或调整。所述X及Y方向被定义为在平行于所述排气口的平面中，而所述Z方向被定义为垂直于所述排气口，正如将在附图中示出的W及在W下更详细地解释的。[0022]在一个方面中，用于处理腔室气流控制的设备可包含多个致动器、禪接至所述多个致动器的支撑臂组件、W及禪接至所述多个致动器之一和排气口阀的滑动构件，且所述滑动构件经配置W调整所述排气口的中屯、与转动轴之间的偏移。此配置可允许所述排气口阀相对于处理腔室的排气口在所述X、Y和/或Z方向上移动。[0023]在另一个方面中，用于处理腔室气流控制的设备可包含:多个线性致动器，所述线性致动器经配置W在所述Z方向上移动排气口阀；至少一个旋转致动器，所述旋转致动器经配置W在所述X及Y方向上移动所述排气口阀；W及多个可旋转关节臂（rotatable-jointarm),每个可旋转关节臂禪接至所述排气口阀及所述多个线性致动器中相应的一个。所述多个可旋转关节臂中的一个可禪接至所述旋转致动器。此配置可允许所述阀相对于处理腔室的排气口在所述X、Y和/或Z方向上移动。[0024]在一个进一步的方面中，用于处理腔室气流控制的设备可包含具有第一端和第二端的臂，所述第一端在偏移所述阀的中屯、的位置可旋转地禪接至排气口阀，且所述第二端可旋转地禪接至致动器。所述臂可经配置W通过在所述第二端上的连接器而在所述Z方向上线性移动，且伴随在所述第一和第二端的旋转移动，所述臂可经配置W相对于处理腔室的排气口在所述X、Y和/或Z方向上移动所述阀。[0025]W上示出W及描述各种方面的示例性【具体实施方式】的进一步细节，W及包含调整处理腔室内的处理气体流动的方法在内的其它方面将在W下连同图1-6进行更详细地解释。[0026]图1依据一个或多个【具体实施方式】示出了电子装置制造系统100。电子装置制造系统100可经配置W处理单一个基板或同时处理二个或更多个基板。基板可为半导体晶片、玻璃板或面板，和/或其它用来制作电子装置和/或电路部件的工件。一个或多个基板处理，例如脱气、清洁或预当前第1页1 2 3 4