一种用于晶片铜抛修整的转接机构的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种用于晶片铜抛修整的转接机构，包括加工轴、轴盘、由尼龙材料制成的转接盘和螺栓，加工轴底部设有连接法兰，轴盘底部设有第一凹槽，轴盘外设有若干紧固板和顶出机构，顶出机构包括支撑座、顶出板和限位块，支撑座内设有空腔，支撑座两侧设有导板，导板上设有通孔，顶出板一侧设有转板，转板两侧设有凸杆，转接盘包括上圆盘和下圆盘，下圆盘底部设有第二凹槽，第二凹槽内设有十字方槽；本发明结构合理，拆装方便，实用性高，针对小型机和大型机之间的存在的差异，可将大陶瓷盘转接到小机型上进行修整，以降低晶片TTV，实现平坦度要求，同时提高加工效率。
【专利说明】
一种用于晶片铜抛修整的转接机构
技术领域
[0001]本发明涉及一种用于晶片铜抛修整的转接机构，属于蓝宝石衬底片加工技术领域。
【背景技术】
[0002]平坦度是蓝宝石衬底加工中的一项重要质量指标，在衬底加工工序中，铜抛作为塑造晶片平坦度的重要工序，把贴片后的晶片整体厚度差(TTV)做好成为了关键。
[0003]在铜抛加工中，晶片与钻石抛光液之间的磨削产生的热量会导致盘面发生形变，从而影响晶片平坦度，在目前的铜抛工序中，主流的设备有两种，一种适用于陶瓷盘直径355mm的小机型，该机型由于铜盘盘面直径较小，较容易控制盘面的平坦度，所加工的晶片TTV较优，但加工量不高，另一种用于陶瓷盘直径485mm的大机型，该机型由于铜盘盘面直径大，盘面的平坦度不易控制，所加工的晶片TTV达不到较高的水准。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种用于晶片铜抛修整的转接机构，针对两者之间的存在的差异，设法将大盘转接到小机型上进行修整，以降低晶片TTV，实现平坦度要求，提高加工效率。
[0005]本发明是通过如下的技术方案予以实现的:
一种用于晶片铜抛修整的转接机构，包括加工轴、轴盘、由尼龙材料制成的转接盘和螺栓，其中，所述加工轴底部设有连接法兰，所述连接法兰上设有若干连接孔，所述若干连接孔绕连接法兰一周均匀间隔设置，通过螺栓穿过连接孔和轴盘实现加工轴和轴盘相连，所述轴盘底部设有第一凹槽，所述轴盘外设有若干紧固板和顶出机构，所述若干紧固板绕轴盘一周均匀间隔设置，所述紧固板上设有紧固螺钉，所述紧固螺钉端部置于第一凹槽内；所述顶出机构位于轴盘顶部两侧，所述顶出机构包括支撑座、顶出板和限位块，所述支撑座内设有空腔，所述空腔与第一凹槽连通，所述支撑座两侧设有导板，所述导板上设有通孔，所述限位块位于导板一侧，且与支撑座相连，所述顶出板位于导板另一侧，所述顶出板一侧设有转板，所述转板置于导板之间，且两侧设有凸杆，所述凸杆置于通孔内，所述转板上设有倾斜面，所述倾斜面与限位块配合；
所述转接盘包括上圆盘和下圆盘，所述上圆盘和下圆盘与轴盘和加工轴同轴设置，所述上圆盘底部与下圆盘顶部相连，所述上圆盘外壁与第一凹槽内壁间隙配合，所述下圆盘置于若干紧固板之间，所述下圆盘底部设有第二凹槽，所述第二凹槽为圆柱形槽，所述第二凹槽内设有十字方槽，所述十字方槽的交叉点位于第二凹槽顶表面圆心处。
[0006]上述一种用于晶片铜抛修整的转接机构，其中，所述顶出板上设有若干固定孔。
[0007]上述一种用于晶片铜抛修整的转接机构，其中，所述上圆盘和第二凹槽顶表面为水平面或略下凹面。
[0008]上述一种用于晶片铜抛修整的转接机构，其中，所述上圆盘直径dl为355mm，厚度hi 为15mm。
[0009]上述一种用于晶片铜抛修整的转接机构，其中，所述下圆盘厚度h2为32mm。
[0010]上述一种用于晶片铜抛修整的转接机构，其中，所述第二凹槽直径d2为485mm，深度h3为12mm。
[0011]上述一种用于晶片铜抛修整的转接机构，其中，所述十字方槽宽度d3为10mm，深度h4为5mm。
[0012]本发明的有益效果为:
将加工轴底部与小机型相连，第二凹槽内可置直径为485mm的陶瓷盘，通过轴压压紧实现转接盘和陶瓷盘压紧安装，旋紧紧固板上的紧固螺钉即可，当加工轴旋转时可带动陶瓷盘旋转，实现晶片铜抛修整;拆卸时，旋松紧固螺钉，通过拉起顶出机构的顶出板，转板端部转至支撑座的空腔内，当倾斜面与限位块配合时，可置于第一凹槽内抵出转接盘，随后取出转接盘和陶瓷盘即可。
[0013]本发明上圆盘和下圆盘与轴盘和加工轴同轴设置，防止转动偏心；通过固定孔将顶出板固定，防止机构旋转时顶出板甩脱;上圆盘直径为355，保证第一凹槽可置直径355mm的陶瓷盘，提高多用性;上圆盘和第二凹槽顶表面为水平面或略下凹面，保证转接盘与陶瓷盘的接触面紧密，避免因为某出凸起导致加压不均;十字方槽避免接触面与陶瓷盘之间完全密合而形成真空增加取陶瓷盘的难度;第二凹槽深度为12mm，小于陶瓷盘的厚度，防止对铜抛机盘面造成划伤;转接盘为尼龙材料，硬度高，不易变形，较轻便。
[0014]综上，本发明结构合理，拆装方便，实用性高，针对小型机和大型机之间的存在的差异，可将大陶瓷盘转接到小机型上进行修整，以降低晶片TTV，实现平坦度要求，同时提高加工效率。
【附图说明】
[0015]图1为本发明结构示意图。
[0016]图2为本实用剖视示意图。
[0017]图3为本发明俯视图。
[0018]图4为本发明转接盘仰视图。
【具体实施方式】
[0019]下面结合附图对本发明的【具体实施方式】作进一步说明。
[0020]一种用于晶片铜抛修整的转接机构，包括加工轴1、轴盘2、由尼龙材料制成的转接盘3和螺栓4，其中，所述加工轴I底部设有连接法兰5，所述连接法兰5上设有若干连接孔6，所述若干连接孔6绕连接法兰5—周均匀间隔设置，通过螺栓4穿过连接孔6和轴盘2实现加工轴I和轴盘5相连，所述轴盘5底部设有第一凹槽7，所述轴盘7外设有若干紧固板8和顶出机构9，所述若干紧固板8绕轴盘2—周均匀间隔设置，所述紧固板8上设有紧固螺钉10，所述紧固螺钉10端部置于第一凹槽7内；
所述顶出机构9位于轴盘2顶部两侧，所述顶出机构9包括支撑座11、顶出板12和限位块13，所述支撑座11内设有空腔14，所述空腔14与第一凹槽7连通，所述支撑座11两侧设有导板15，所述导板15上设有通孔16，所述限位块13位于导板15—侧，且与支撑座11相连，所述顶出板12位于导板15另一侧，所述顶出板12上设有若干固定孔16，所述顶出板12—侧设有转板17，所述转板17置于导板15之间，且两侧设有凸杆18，所述凸杆18置于通孔16内，所述转板17上设有倾斜面19，所述倾斜面19与限位块13配合；
所述转接盘3包括上圆盘20和下圆盘21，所述上圆盘20和下圆盘31与轴盘2和加工轴I同轴设置，所述上圆盘20底部与下圆盘21顶部相连，所述上圆盘20外壁与第一凹槽7内壁间隙配合，所述上圆盘20直径dl为355mm，厚度hi为15mm;
所述下圆盘21置于若干紧固板8之间，所述下圆盘21厚度h2为32mm，所述下圆盘21底部设有第二凹槽22，所述上圆盘20和第二凹槽22顶表面为水平面或略下凹面，所述第二凹槽22为圆柱形槽，所述第二凹槽22直径d2为485mm，深度h3为12mm，所述第二凹槽22内设有十字方槽23，所述十字方槽23的交叉点位于第二凹槽22顶表面圆心处，所述十字方槽宽度d3为10mm，深度h4为5mm。
[0021]所述尼龙材料由尼龙612、尼龙66、碳纤维、石墨烯、纳米二氧化硅、二乙基次膦酸铝、甲基环己二胺、甲苯二异氰酸酯按质量比40:50:14:10:7:9:3:2调和而成。
[0022]本发明的工作方式为:
将加工轴底部与小机型相连，第二凹槽内可置直径为485mm的陶瓷盘，通过轴压压紧实现转接盘和陶瓷盘压紧安装，旋紧紧固板上的紧固螺钉即可，当加工轴旋转时可带动陶瓷盘旋转，实现晶片铜抛修整;拆卸时，旋松紧固螺钉，通过拉起顶出机构的顶出板，转板端部转至支撑座的空腔内，当倾斜面与限位块配合时，可置于第一凹槽内抵出转接盘，随后取出转接盘和陶瓷盘即可。
[0023]本发明所述的尼龙材料具有超高硬度高，抗冲击性，不易变形，同时较轻便，耐热阻燃性能好。
[0024]以上所述，仅为本发明较佳的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
【主权项】
1.一种用于晶片铜抛修整的转接机构，包括加工轴、轴盘、由尼龙材料制成的转接盘和螺栓，其特征为，所述加工轴底部设有连接法兰，所述连接法兰上设有若干连接孔，所述若干连接孔绕连接法兰一周均匀间隔设置，通过螺栓穿过连接孔和轴盘实现加工轴和轴盘相连，所述轴盘底部设有第一凹槽，所述轴盘外设有若干紧固板和顶出机构，所述若干紧固板绕轴盘一周均匀间隔设置，所述紧固板上设有紧固螺钉，所述紧固螺钉端部置于第一凹槽内； 所述顶出机构位于轴盘顶部两侧，所述顶出机构包括支撑座、顶出板和限位块，所述支撑座内设有空腔，所述空腔与第一凹槽连通，所述支撑座两侧设有导板，所述导板上设有通孔，所述限位块位于导板一侧，且与支撑座相连，所述顶出板位于导板另一侧，所述顶出板一侧设有转板，所述转板置于导板之间，且两侧设有凸杆，所述凸杆置于通孔内，所述转板上设有倾斜面，所述倾斜面与限位块配合； 所述转接盘包括上圆盘和下圆盘，所述上圆盘和下圆盘与轴盘和加工轴同轴设置，所述上圆盘底部与下圆盘顶部相连，所述上圆盘外壁与第一凹槽内壁间隙配合，所述下圆盘置于若干紧固板之间，所述下圆盘底部设有第二凹槽，所述第二凹槽为圆柱形槽，所述第二凹槽内设有十字方槽，所述十字方槽的交叉点位于第二凹槽顶表面圆心处。2.如权利要求1所述的一种用于晶片铜抛修整的转接机构，其特征为，所述顶出板上设有若干固定孔。3.如权利要求1所述的一种用于晶片铜抛修整的转接机构，其特征为，所述上圆盘和第二凹槽顶表面为水平面或略下凹面。4.如权利要求1所述的一种用于晶片铜抛修整的转接机构，其特征为，所述上圆盘直径dl 为355mm，厚度hi 为 15mm。5.如权利要求1所述的一种用于晶片铜抛修整的转接机构，其特征为，所述下圆盘厚度h2为32mm。6.如权利要求1所述的一种用于晶片铜抛修整的转接机构，其特征为，所述第二凹槽直径d2为485mm，深度h3为12mm。7.如权利要求1所述的一种用于晶片铜抛修整的转接机构，其特征为，所述十字方槽宽度d3为I Omm，深度h4为5mm。
【文档编号】B24B53/017GK105881216SQ201610391751
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年6月6日
【发明人】姚钦, 王禄宝
【申请人】江苏吉星新材料有限公司