掩膜集成框架及蒸镀设备的制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种掩膜集成框架及蒸镀设备，该掩膜集成框架包括框架以及设置在所述框架上的掩膜板，所述掩膜集成框架设置有对位标记，所述对位标记包括设置在所述框架上的第一对位孔以及设置在所述掩膜板上的第二对位孔，所述第二对位孔为通孔，所述第二对位孔在所述框架上的正投影位于所述第一对位孔的内壁上，所述第一对位孔为盲孔或者通孔，当所述第一对位孔为盲孔时，所述第一对位孔底部最深的位置位于所述第二对位孔在所述框架上的正投影之外。本发明提供的掩膜集成框架可以有效缓解由于框架上的对位孔中残留液体从而干扰对位的问题。
【专利说明】
掩膜集成框架及蒸镀设备
技术领域
[0001]本发明涉及显示领域，尤其涉及一种掩膜集成框架及蒸镀设备。
【背景技术】
[0002]OLED(Organic Light Emitting D1de，有机发光二极管)显示面板具有自发光、反应快、亮度高、轻薄等诸多优点，已经逐渐成为显示领域的主流。
[0003]OLED显示面板包括阵列排布的多个子像素单元，每一个子像素单元包括阳极、发光层和阴极，其中，发光层采用有机电致发光材料形成，目前主要采用掩膜板并通过蒸镀工艺制作在各子像素单元中，在进行蒸镀工艺时，掩膜板必须焊接在框架上放在蒸镀机里面使用，掩膜板和框架焊接在一起称为MFA(Mask Frame Assemble，掩膜集成框架)。
[0004]为在蒸镀前与TFT基板对位，MFA的四角设置有用于对位的对位标记(mark)，目前设计是在框架的四个角分别制作半刻蚀圆锥形孔，并在对位掩膜板(align mask)上对应的位置制作对位孔，所形成的对位标记的结构如图1所示，俯视图如图2所示，对位掩膜板210’上的对位孔211’的中心与其下方的框架100 ’上的半刻蚀圆锥形孔1 I’的中心重合，在对位过程中，通过CCD图像传感器对其进行图像采集，并利用灰阶的不同识别出对位掩膜板上的对位孔的边缘，进而实现与TFT基板进行对位，然而，对于上述的MFA，在对掩膜板清洗后，框架上的半刻蚀圆锥形孔容易残留液体(药液或者水)，且不易蒸发或者吹干，在后续的使用中，残留的液体容易干扰对位，在CCD图像传感器采集的图像中容易出现类似污渍痕迹，造成对位掩膜板抓取失败，使蒸镀机产生报警。
【发明内容】
[0005](一)要解决的技术问题
[0006]本发明要解决的技术问题是:提供一种掩膜集成框架及蒸镀设备，可以有效缓解由于框架上的对位孔中残留液体从而干扰对位的问题。
[0007](二)技术方案
[0008]为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种掩膜集成框架，包括框架以及设置在所述框架上的掩膜板，所述掩膜集成框架设置有对位标记，所述对位标记包括设置在所述框架上的第一对位孔以及设置在所述掩膜板上的第二对位孔，所述第二对位孔为通孔，所述第二对位孔在所述框架上的正投影位于所述第一对位孔的内壁上，所述第一对位孔为盲孔或者通孔，当所述第一对位孔为盲孔时，所述第一对位孔底部最深的位置位于所述第二对位孔在所述框架上的正投影之外。
[0009]优选地，所述第一对位孔包括第一部，所述第一部的内壁与所述掩膜板所在平面非垂直，所述第二对位孔在所述框架上的正投影位于所述第一部的内壁上。
[0010]优选地，当所述第一对位孔为盲孔时，所述第一部呈圆锥体状，且所述第一部的轴线垂直于所述掩膜板所在平面。
[0011]优选地，所述第一部的锥角为60度?150度，所述第一部的高为1.5毫米?2.0毫米。
[0012]优选地，所述第一对位孔还包括呈柱体状的第二部，所述第二部的轴线垂直于所述掩膜板所在平面，所述第二部的高度为0.8毫米?1.2毫米。
[0013]优选地，当所述第一对位孔为通孔时，所述第一部呈柱体状，且所述第一部的轴线与所述掩膜板所在平面非垂直。
[0014]优选地，所述第一部的轴线与所述掩膜板所在平面之间的夹角为30度?60度。
[0015]优选地，所述第一对位孔还包括位于所述第一部至少一端的第三部，所述第三部呈柱体状，且所述第三部的轴线与所述掩膜板所在平面垂直。
[0016]优选地，所述框架以及所述掩膜板均为金属材质，所述掩膜板焊接在所述框架上。
[0017]优选地，包括多个所述对位标记。
[0018]为解决上述技术问题，本发明还提供了一种蒸镀设备，包括上述的掩膜集成框架。
[0019](三)有益效果
[0020]本发明实施方式提供的掩膜集成框架可以有效缓解由于框架上的对位孔中残留液体从而干扰对位的问题。
【附图说明】
[0021 ]图1是现有的掩膜集成框架上的对位标记的结构示意图；
[0022]图2是图1中的对位标记的俯视图；
[0023]图3是本发明实施方式提供的一种掩膜集成框架的示意图；
[0024]图4是本发明实施方式提供的一种掩膜集成框架上的对位标记的示意图；
[0025 ]图5是图4中的对位标记的俯视图；
[0026]图6是本发明实施方式提供的另一种掩膜集成框架上的对位标记的示意图。
【具体实施方式】
[0027]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0028]本发明实施方式提供了一种掩膜集成框架，包括框架以及设置在所述框架上的掩膜板，所述掩膜集成框架设置有对位标记，所述对位标记包括设置在所述框架上的第一对位孔以及设置在所述掩膜板上的第二对位孔，所述第二对位孔为通孔，所述第二对位孔在所述框架上的正投影位于所述第一对位孔的内壁上，所述第一对位孔为盲孔或者通孔，当所述第一对位孔为盲孔时，所述第一对位孔底部最深的位置位于所述第二对位孔在所述框架上的正投影之外。
[0029]本发明实施方式提供的掩膜集成框架可以有效缓解由于框架上的对位孔中残留液体从而干扰对位的问题。
[0030]例如，对于本发明实施方式提供的掩膜集成框架，所述第一对位孔可以包括第一部，所述第一部的内壁与所述掩膜板所在平面非垂直，所述第二对位孔在所述框架上的正投影位于所述第一部的内壁上。
[0031]参见图3，图3是本发明实施方式提供的一种掩膜集成框架的示意图，该掩膜集成框架包括框架100以及设置在框架上的掩膜板，掩膜板包括设置有对位孔的掩膜板210(即对位掩膜板)以及未设置有对位孔的掩膜板220，所述掩膜集成框架设置有对位标记I，对位标记I包括设置在所述框架100上的第一对位孔以及设置在所述掩膜板210上的第二对位孔，掩膜板210上的第二对位孔为通孔；
[0032]其中，框架100上的第一对位孔可以为盲孔，所形成的对位标记的结构可以如图4所示，如图4所示，第二对位孔211在框架100上的正投影位于第一对位孔101的内壁上，且第一对位孔101底部最深的位置位于第二对位孔211在框架100上的正投影之外，即第一对位孔101底部最深的位置不位于第二对位孔211在框架100上的正投影之内；
[0033]对于图4中的对位标记，其俯视图如图5所示，当第一对位孔101中残留有较少的液体时，由于重力作用，残留液体通常位于第一对位孔最深的位置处(即图5中的虚线区域内)，在进行对位时，蒸镀机可以仍能够利用框架上第一对位孔的灰阶与掩膜板灰阶不同，有效识别出对位标记，避免残留液体对对位的干扰。
[0034]其中，框架100的厚度c可以为20毫米?30毫米，例如，可以为15毫米等，对于上述的对位标记，第一对位孔101的开口直径d可以为5毫米?7毫米，例如可以为6毫米，开口形状可以为圆形，也可以为正多边形(如正八边形)。例如，如图4所示，框架100上的第一对位孔101可以包括呈圆锥体状的第一部(即虚线BB’下方的部分)以及呈柱体状的第二部(即虚线BB’上方的部分)，第二对位孔211在框架100上的正投影位于第一部的内壁上，在制作时，可以先对掩膜板进行刻蚀形成第二部，然后再进行刻蚀形成第一部；
[0035]其中，对于第一对位孔101的第一部，其轴线垂直于所述掩膜板210所在平面，其锥角α可以为60度?150度，例如，可以为90度、120度，其高b可以为1.5毫米?2.0毫米，例如可以为1.8毫米(mm)；
[0036]对于第一对位孔101的第二部，其轴线也可以垂直于掩膜板210所在平面，其高度a可以为0.8毫米?1.2毫米，例如可以为1.0毫米。
[0037]优选地，框架100上的第一对位孔可以为通孔，从而可以避免在该第一对位孔中残留液体，进而避免残留液体对对位的干扰，例如，对位标记可以如图6所示，掩膜板210上的第二对位孔211以及框架100上的第一对位孔101均为通孔，其中，框架100上的第一对位孔101包括第一部(虚线CC’与虚线DD’之间的部分)，所述第一部呈柱体状，且第一部的轴线与掩膜板210所在平面非垂直，第二对位孔211在框架100上的正投影位于第一部的内壁上，从而可以保证蒸镀机能够利用框架上第一对位孔的灰阶与掩膜板灰阶不同，有效识别出对位标记；
[0038]其中，所述第一部的轴线与所述掩膜板所在平面之间的夹角β可以为30度?60度，例如可以为50度等。
[0039]优选地，对于采用通孔方式的第一对位孔，为减小第一对位孔在框架上的所占面积，所述第一对位孔还包括位于所述第一部至少一端的第三部，所述第三部呈柱体状，且所述第三部的轴线与所述掩膜板所在平面垂直，例如，可以如图6所示，在第一对位孔的第一部的上下两端均设置第三部(虚线CC’上方的部分和虚线DD’下方的部分)，在制作时，可以首先对基板的两侧进行刻蚀形成第三部，然后再进行刻蚀形成第一部。
[0040]其中，对于本发明实施方式中的掩膜集成框架，其中的框架100以及掩膜板210均可以为金属材质，掩膜板210可以焊接在框架100上。
[0041 ]优选地，可以掩膜集成框架设置多个上述的对位标记，例如，可以如图1所示，可以在框架100上的左侧和右侧分别设置一条掩膜板210，每一条掩膜板210上的上下两端均设有第二对位孔，从而可以在掩膜集成框架四个角的位置处形成四个对位标记。
[0042 ]此外，本发明实施方式还提供了一种蒸镀设备，包括上述的掩膜集成框架。
[0043]以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。
【主权项】
1.一种掩膜集成框架，包括框架以及设置在所述框架上的掩膜板，所述掩膜集成框架设置有对位标记，所述对位标记包括设置在所述框架上的第一对位孔以及设置在所述掩膜板上的第二对位孔，所述第二对位孔为通孔，其特征在于，所述第二对位孔在所述框架上的正投影位于所述第一对位孔的内壁上，所述第一对位孔为盲孔或者通孔，当所述第一对位孔为盲孔时，所述第一对位孔底部最深的位置位于所述第二对位孔在所述框架上的正投影之外。2.根据权利要求1所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一对位孔包括第一部，所述第一部的内壁与所述掩膜板所在平面非垂直，所述第二对位孔在所述框架上的正投影位于所述第一部的内壁上。3.根据权利要求2所述掩膜集成框架，其特征在于，当所述第一对位孔为盲孔时，所述第一部呈圆锥体状，且所述第一部的轴线垂直于所述掩膜板所在平面。4.根据权利要求3所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一部的锥角为60度?150度，所述第一部的高为I.5毫米?2.0毫米。5.根据权利要求2所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一对位孔还包括呈柱体状的第二部，所述第二部的轴线垂直于所述掩膜板所在平面。6.根据权利要求5所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第二部的高度为0.8毫米?1.2毫米。7.根据权利要求2所述掩膜集成框架，其特征在于，当所述第一对位孔为通孔时，所述第一部呈柱体状，且所述第一部的轴线与所述掩膜板所在平面非垂直。8.根据权利要求7所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一部的轴线与所述掩膜板所在平面之间的夹角为30度?60度。9.根据权利要求7所述掩膜集成框架，其特征在于，所述第一对位孔还包括位于所述第一部至少一端的第三部，所述第三部呈柱体状，且所述第三部的轴线与所述掩膜板所在平面垂直。10.根据权利要求1-9任一所述的掩膜集成框架，其特征在于，所述框架以及所述掩膜板均为金属材质，所述掩膜板焊接在所述框架上。11.根据权利要求1-9任一所述的掩膜集成框架，其特征在于，包括多个所述对位标记。12.一种蒸镀设备，其特征在于，包括权利要求1-11任一所述的掩膜集成框架。
【文档编号】C23C14/56GK105887010SQ201610320002
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年5月13日
【发明人】嵇凤丽, 白珊珊, 梁逸南
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司