物理气相沉积系统与应用其的物理气相沉积方法

物理气相沉积系统与应用其的物理气相沉积方法
【专利摘要】本发明提供一种物理气相沉积系统与应用其的物理气相沉积方法，物理气相沉积系统包含腔室、盖板、台座与准直器。盖板置于腔室上以用于固持靶材。台座置于腔室中以用于支撑晶圆。准直器安装在盖板与台座之间。准直器包含多个侧壁板，侧壁板共同形成多个通道。至少一通道具有入口及与入口相对的出口。入口面对盖板，且出口面对台座。一侧壁板在入口的厚度比侧壁板在出口的厚度薄。因准直器的至少一侧壁在入口的厚度比此侧壁板在出口的厚度薄，或至少一通道的剖面面积大于此通道在出口的剖面面积，原子不会很快阻塞通道，以使得准直器的使用寿命可延长，及可减少工艺维护频率，从而留下更多时间用于制造。
【专利说明】
物理气相沉积系统与应用其的物理气相沉积方法
技术领域
[0001 ]本发明涉及一种物理气相沉积系统。
【背景技术】
[0002]物理气相沉积(physical vapor deposit1n；PVD)一般用于半导体工业内，以及用于太阳能、玻璃涂层及其他工业内。PVD系统用以在诸如半导体晶圆的定位在真空等离子体腔室中的基板上沉积金属层。PVD工艺用以在半导体晶圆上沉积诸如钛或氮化钛的靶材。在典型的PVD系统中，待涂覆的靶材置于真空腔室中，此腔室包含诸如氩的惰性气体。金属层可用作扩散阻障层、黏附层或种晶层、主要导体、抗反射涂层、蚀刻停止层，等等。
[0003]理论上，靶材相对于半导体晶圆应为极宽，以使得相对于半导体晶圆的粒子沉积面而言，靶材为无限源平面。遗憾的是，靶材具有有限尺寸，此尺寸通常与半导体晶圆的尺寸具有相同数量级。逐出或溅射的靶原子趋于在所有方向留下靶材，然后彼此相撞及散射，从而以多种角度到达半导体晶圆。因此，金属层不均匀地形成半导体晶圆中的蚀刻区域内，从而导致蚀刻侧壁上的侧向层相对较厚，及蚀刻底部的层较薄。

【发明内容】

[0004]本发明的一态样提供一种物理气相沉积系统，包含腔室、盖板、台座与准直器。盖板置于腔室上以用于固持靶材。台座置于腔室中以用于支撑一晶圆。准直器置于盖板与台座之间。准直器包含多个侧壁板。侧壁板共同形成多个通道。至少一该些通道具有一入口与相对于入口的一出口。入口面对盖板，且出口面对台座。至少一侧壁板在入口的厚度比侧壁板在出口的厚度薄。
[0005]本发明的另一态样提供一种物理气相沉积系统，包含腔室、盖板、台座与准直器。盖板置于腔室上以用于固持靶材。台座置于腔室中以用于支撑一晶圆。准直器置于盖板与台座之间。准直器包含多个侧壁板。侧壁板共同形成多个通道。至少一通道具有一入口及一出口。入口面对盖板，且出口面对台座。一通道在入口的剖面面积大于通道在出口的剖面面积。
[0006]本发明的再一态样提供一种用于物理气相沉积一晶圆的方法，包含将靶材置于盖板，盖板置于腔室上。将晶圆置于腔室中的台座上。在腔室中安装及定向一准直器，其中准直器包含多个侧壁板。侧壁板共同形成多个通道。至少一通道具有一入口及一出口。入口面对盖板，且出口面对台座。至少一侧壁板在入口的厚度比侧壁板在出口的厚度薄。自靶材中逐出原子，使得原子在由准直器过滤之后沉积在晶圆上。
[0007]在上述实施方式中，因准直器的至少一侧壁在入口的厚度比此侧壁板在出口的厚度薄，或至少一通道的剖面面积大于此通道在出口的剖面面积，原子不会很快阻塞通道，以使得准直器的使用寿命可延长，及可减少工艺维护频率，从而留下更多时间用于制造。
[0008]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
【附图说明】
[0009]图1是依据一些实施方式的物理气相沉积系统的示意图；
[0010]图2是依据一些实施方式的图1中准直器的示意图；
[0011]图3是沿图2中线段3-3的剖视图；
[0012]图4A与图4B是根据一些其他实施方式的图2中准直器的剖视图；
[0013]图5A是根据又一些其他实施方式的图2中准直器的剖视图；
[0014]图5B及图5C是根据又一些其他实施方式的图2中准直器的剖视图；
[0015]图6是沿图2中线段6-6的剖视图；
[0016]图7是依据一些实施方式用于物理气相沉积晶圆的方法的流程图；
[0017]图8是依据一些实施方式用于物理气相沉积晶圆的方法的流程图。
[0018]其中，附图标记
[0019]100:准直器350:靶材
[0020]110:侧壁板400:台座[0021 ]122:渐缩边缘 450:支撑晶圆
[0022]123a:尖端500:直流电电源
[0023]123b、123c:末端550:磁场产生器
[0024]124:扁平边缘600:磁铁
[0025]132:主表面650:射频偏压电源
[0026]160:通道3-3、6_6:线段
[0027]162:入口A1、A2:剖视面积
[0028]164:出口D1、D2:深度
[0029]200:腔室T1、T2:厚度
[0030]300:盖板Θ:角度[0031 ]SlO、S20、S30、S40、S42、S44、S46:操作步骤
【具体实施方式】
[0032]以下
【发明内容】
提供众多不同的实施方式或范例以用于实施本发明提供的标的物的不同特征。下文中描述组件及排列的特定范例以简化本发明。组件及排列当然仅为范例，及不意欲进行限制。例如，在下文的描述中，第一特征在第二特征上方或之上的形成可包含其中第一特征与第二特征以直接接触方式形成的实施方式，及亦可包含其中在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征无法直接接触的实施方式。此外，本发明在多个范例中可重复元件符号及/或字母。此重复用于实现简化与明晰的目的，及其自身并不规定所论述的多个实施方式及/或配置之间的关系。
[0033]此外，本发明中可使用诸如「下方(beneath)」、「以下(below)」、「下部(lower)」、「上方(above)」、「上部(upper)」等等的空间相对术语在以便于描述，以描述一个元件或特征与另一或更多个元件或特征的关系，如图式中所图示。空间相对术语意欲包含在使用或操作中的装置除图式中绘示的定向以外的不同定向。或者，设备可经定向(旋转90度或其他定向)，及本发明中使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。
[0034]除非另行定义，否则本发明中使用的全部术语(包含技术及科学术语)具有相同意义，如本发明所属于的技术的一般技术者所通常理解。将进一步理解，术语(如常用词典中定义的彼等术语)应解释为具有一意义，意义符合其在相关领域及本发明的上下文中的意义，及不应以理想化或过度正式的意义解释，除非本发明中明确定义如此。
[0035]为增大逐出或溅射靶原子在半导体晶圆上的定向性，可使用准直器。准直器是具有多个通道以允许原子穿过的结构。随着原子向半导体晶圆行进，实质上不垂直于半导体晶圆的原子冲击准直器侧壁及黏附至侧壁。由此，准直器仅允许遵循实质垂直于半导体晶圆的路径的原子穿过。然后，形成于半导体晶圆上金属层因此而具有一般均匀的厚度。然而，随着越来越多原子黏着在准直器侧壁上，原子可能阻塞通道及阻止原子进入通道。最终，必须更换准直器。因此，为延长准直器使用寿命，以下段落中提供使用准直器的物理气相沉积(physical vapor deposit1n;PVD)系统及PVD方法。
[0036]图1是依据一些实施方式的物理气相沉积系统的示意图。物理气相沉积系统包含准直器100、腔室200、盖板300与台座400。盖板300置于腔室200上以用于固持靶材350。台座400置于腔室200中以用于支撑晶圆450。准直器100安装在盖板300与台座400之间。例如，准直器100可经由多个固定元件(如螺杆)而安装在腔室200的壁上。
[0037]图2是依据一些实施方式的图1中准直器100的示意图，且图3是沿图2中线段3-3的剖视图。准直器100包含多个侧壁板110，这些侧壁板110共同形成多个通道160。至少一通道160具有入口 162及与入口 162相对的出口 164。至少一侧壁板110于入口 162的厚度Tl比侧壁板110于出口 164的厚度T2薄。换言之，至少一通道160于入口 162的剖面面积((^08 8-sect1nal area)Al大于通道160于出口 164的剖面面积A2。请参看图1。通道160的入口 162面对盖板300，且通道160的出口 164面对台座400。
[0038]请参看图1至图3。准直器100的功能将允许遵循相对垂直于晶圆450的路径的原子穿过，且拦截相对不垂直于晶圆450的原子。此举确保均匀的金属材料层在晶圆450的表面上形成。逐出或溅射原子从通道160的入口 162进入准直器100且从出口 164离开。在物理气相沉积操作的期间，以较大角度散射的原子可冲射在准直器100的侧壁板110上。此横向生长可能导致在侧壁板110顶部的过度生长。然而，由于至少一侧壁板110的厚度Tl比厚度T2薄，或至少一通道160的剖面面积Al大于剖面面积A2，原子不会很快阻塞通道160，以使得准直器100的使用寿命可延长，及可减少工艺维护频率，从而留下更多时间用于制造。
[0039]在图3中，至少一侧壁板110具有毗邻入口 162的渐缩(tapered)边缘122。本发明中所使用的术语「渐缩边缘」意谓着侧壁板110的每一主表面132朝向彼此渐缩以形成锐利或尖锐边缘，或主表面132向渐缩边缘122的末端(例如图3中的尖端123a)倾斜。换言之，通道160朝向出口 164渐窄。本发明中的主表面132与彼此相对及分别面对两相邻的通道160。原子主要黏着在这些主表面132上。
[0040]在图3中，渐缩边缘122具有尖端123a。因此，图3中的侧壁板110的剖视图实质上形成三角形。尖端123a具有角度Θ，范围自约I度至约89度。在一些实施方式中，厚度Tl的范围自约I毫米至约2厘米。
[0041]图4A与图4B是根据一些其他实施方式的图2中准直器100的剖视图。在图4A中，渐缩边缘122具有圆形末端123b。例如，自剖视图可见，渐缩边缘122的末端是圆形。在图4B中，渐缩边缘122具有扁平末端123c。例如，自剖视图可见，渐缩边缘122具有扁平顶部。上文提及的渐缩边缘122的末端形状仅为说明，且不会限制本发明所主张的范畴。基本上，只要厚度Tl(请参看图3)比厚度T2(请参看图3)薄，则实施方式符合所主张的范畴。因图4A及图4B中的准直器100的其他相关结构细节类似于图3中的准直器100，因此将不再赘述。
[0042]图5Α是根据又一些其他实施方式的图2中准直器100的剖视图。在图5Α中，至少一侧壁板110更具有毗邻出口 164的扁平(flat)边缘124。详细而言，图5Α中的侧壁板110具有毗邻入口 162的渐缩边缘122与毗邻出口 164的扁平边缘124。两个主表面132中位于渐缩边缘122区域中的部分向渐缩边缘122末端(例如图5A中的尖端123a)倾斜，且两个主表面132中位于扁平边缘124区域中的部分实质上互相平行。在一些实施方式中，渐缩边缘122的高度比扁平边缘124短，如图5A中所示。在一些其他实施方式中，渐缩边缘122及扁平边缘124具有实质上相等的高度。在又一些其他实施方式中，渐缩边缘122的高度比扁平边缘124长。因图5A中的准直器100的其他相关结构细节类似于图3中的准直器100，因此便不再赘述。
[0043]图5B及图5C是根据又一些其他实施方式的图2中准直器100的剖视图。在图5B中，渐缩边缘122具有圆形末端123b。例如，自剖视图可见，渐缩边缘122的末端是圆形。在图5C中，渐缩边缘122具有扁平末端123c。例如，自剖视图可见，渐缩边缘122具有扁平顶部。在一些实施方式中，渐缩边缘122的高度比扁平边缘124短，如图5B及图5C中所示。在一些其他实施方式中，渐缩边缘122及扁平边缘124具有实质上相等的高度。在又一些其他实施方式中，渐缩边缘122的高度比扁平边缘124长。上文提及的渐缩边缘122的末端形状仅为说明，及应不限制本发明所主张的范畴。基本上，只要侧壁板110于入口 162的厚度Tl(请参看图3)比侧壁板110于出口 164的厚度T2(请参看图3)薄，则实施方式符合本发明所主张的范畴。因图5B及图5C中的准直器100的其他相关结构细节类似于图3中的准直器100，因此便不再赘述。
[0044]请再次参照图2及图3。侧壁板110可为一体成型。或者，在其他实施方式中，侧壁板110可组装在一起以形成准直器100 O侧壁板110可由青铜、钢、铝、钛、不锈钢、合金，或其他适合材料制成。在一些实施方式中，通道160具有六边形的横剖视配置，如图2中所示。因此，通道160共同形成蜂巢外观。对于六边形通道160而言，进入通道160的原子具有较低可能性黏附在通道160的角落。因此，准直器100的使用寿命可延长。然而，在一些其他实施方式中，亦可制造具有其他横剖视配置的通道160，如三角形、正方形、矩形、其他可成巢状的形状，或上述的组合。
[0045]图6是沿图2中线段6-6的剖视图。在图6中，通道160在准直器100中心区域的深度Dl比通道160在准直器100的边界区域的深度D2深。更详细而言，靶材350的原子的逐出或溅射方向较广。大量原子进入准直器100中心区域，且少数原子进入准直器100的边界区域。穿过通道160的原子量依据通道160的深度而定。通道160的深度D2并不比深度Dl深，因此较少原子在边界区域被过滤，从而产生过滤原子的均匀空间分布。
[0046]请再次参看图1。在图1中，准直器100靠近盖板300且远离台座400。例如，准直器100可置于腔室200的上半部分中。此配置阻止由准直器100过滤的原子由于准直器100的图案(例如图2中的蜂巢图案)而在晶圆450上形成图案化层。
[0047]在一些实施方式中，物理气相沉积系统更包含电性连接至盖板300的直流电(direct current;DC)电源500。直流电电源500确定腔室200与安装在盖板300上的靶材350之间的电压电位。直流电电源500的负端可连接至盖板300，且正端可接地至腔室200。一负偏压被施加至盖板300，同时使腔室200保持接地电位。如此一来，腔室200中可产生电场。
[0048]在物理气相沉积系统中藉由将等离子体馈气引入腔室200产生等离子体，馈气如氩。电子与等离子体馈气的原子碰撞以产生离子。由直流电电源500施加的负偏压吸引离子前往靶材350。离子以高能量碰撞靶材350。换言之，盖板300上的负偏压加速所形成的等离子体中的正离子前往革El材350以自革El材350派射原子。藉由直接动量转移而自革El材350表面逐出溅射原子。溅射原子可或可不离子化，且部分的溅射原子随后穿过准直器100并到达晶圆450上。在一些实施方式中，靶材350可由铝、钽、钛、铜或其他适合靶材制成。
[0049]在一些实施方式中，物理气相沉积系统可更包含置于腔室200周围的磁场产生器550，磁场产生器550恰好位于台座400上方的区域中，以用于在腔室200中产生磁场。磁场用以藉由使得电子螺旋形穿过等离子体而增长电子滞留时间。藉由改变磁场产生器550的磁场形状，可定向控制等离子体。因此，等离子体馈气的离子化位准亦提高。在一些实施方式中，磁场产生器550可为共轴电磁线圈(包含螺线管)，或永久性磁铁的适当排列，或电磁线圈与永久性磁铁的组合，如熟习此项技术者将理解。可向磁场产生器550施加直流电及/或射频偏压以产生磁场。等离子体均匀性(尤其是晶圆450附近的等离子体均匀性)由磁场产生器550控制且由射频或直流电偏压供应。此外，由于晶圆450通常为圆形晶圆，因此可使用同心电磁线圈。
[0050]在一些实施方式中，为控制涂覆金属层的密度及分布，可操纵靶材350周围的磁场。因此，物理气相沉积系统可更包含置于盖板300上方的磁铁600。当物理气相沉积系统正在操作时，由磁铁600产生的磁场促使磁场与靶材350表面相交的处发生电弧，由此影响涂布层形成之处。磁铁600可悬垂在盖板350上。改变磁铁600的位置即提供对电弧的定位，以用于控制气相沉积。尽管磁铁600在本发明中描述为单个磁铁，但应理解，对本发明进行最低程度修改后亦可使用磁铁组合件或永久性磁铁与电磁体的某个组合。
[0051 ] 在一些实施方式中，台座400可为静电卡盘(electrostatic chuck;ESC)以用于将晶圆450静电固持就位，然而本发明所主张的范畴不限定于此。尽管静电卡盘在设计方面有所不同，但这些卡盘基于向卡盘中的一或更多个电极施加电压以便分别诱发晶圆450与电极中的反向极性电荷的原理。相反电荷之间的静电吸引力压住晶圆450以抵对卡盘，由此夹持晶圆450。此外，台座400的额外功能可包含在沉积及溅射期间的晶圆温度控制。
[0052]在一些实施方式中，物理气相沉积系统可更包含电气连接至台座400的射频偏压电源650。由射频偏压电源650施加射频频率以便将能量耦合至动能电子，以激发晶圆450附近的等离子体离子。通常，由于电子的较低质荷比，射频偏压电源650的功率频率是超高频(very high frequency ;VHF)。于再派射步骤中使用在晶圆450附近形成的VHF親合等离子体的离子。然而，在其他实施方式中，台座400可接地或保持电浮动。
[0053]图7是依据一些实施方式用于物理气相沉积晶圆的方法的流程图。为明晰描述，此方法可用于但不应仅限于图1的物理气相沉积系统。请参看图1及图7。如操作步骤SlO中所示，靶材350置于盖板300，此盖板300置于物理气相沉积系统的腔室200上。在一些实施方式中，靶材350可由铝、钽、钛、铜或其他适合靶材制成。
[0054]如操作步骤S20所示，晶圆450置于腔室200中的台座400上。在一些实施方式中，台座400可为静电卡盘(electrostatic chuck;ESC)以用于将晶圆450静电固持就位，然而本发明所主张的范畴不限定于此。
[0055]如操作步骤S30所示，准直器100经安装及定向在腔室200中。请参看图1及图3。更详细而言，准直器100可由多个固定元件(如螺杆)安装在腔室200的壁上。准直器100经定向以使得其通道160的入口 162面对靶材350及盖板300，而准直器100的通道160的出口 164面对晶圆450及台座400。至少一侧壁板110在入口 162的厚度Tl比此侧壁板110在出口 164的厚度T2薄，或至少一通道160在入口 162的剖面面积Al大于此通道160在出口 164的剖面面积A2o
[0056]请再次参看图1及图7。如操作步骤S40所示，自靶材350逐出原子，使得原子在由准直器100过滤之后沉积在晶圆450上。准直器100的功能将仅允许遵循相对垂直于晶圆450的路径的原子穿过，并拦截相对不垂直于晶圆450的原子。由于侧壁板110在入口 162的厚度Tl(请参看图3)比此侧壁板110在出口 164的厚度T2(请参看图3)薄，因此原子不会很快阻塞通道160，使得可延长准直器100的使用寿命，及可减少工艺维护频率，从而留下更多时间用于制造。
[0057]图8是依据一些实施方式用于物理气相沉积晶圆的方法的流程图。请参看图1及图
8。由于操作细节与图7类似，因此下文中将不重复在此方面进行描述。在一些实施方式中，为从靶材350逐出原子，可在腔室200中提供诸如氩的等离子体馈气，如操作步骤S42中所示。随后，在腔室200中产生电场以用于控制等离子体馈气的动量，如操作步骤S44中所示。例如，图1中的直流电电源500可电性连接至盖板300以提供穿过腔室200中的等离子体馈气的电场。因此，电子与等离子体馈气的原子碰撞以产生离子。由直流电电源500施加的负偏压吸引离子前往靶材350，以从靶材350溅射原子。
[0058]在一些实施方式中，如操作步骤S46中所示，在腔室200中产生磁场。例如，磁场产生器550可置于腔室200周围以用于在腔室200中产生磁场。磁场用以藉由使得电子螺旋形穿过等离子体而增长电子滞留时间。因此，等离子体馈气的离子化位准亦提高。
[0059]在一些实施方式中，可控制腔室200中的磁场分布。例如，图1中的磁铁600可置于盖板300上方。在改变磁铁600的定位时，磁场分布变更，由此控制气相沉积。
[0060]在一些实施方式中，可操纵邻近于晶圆450的等离子体部分。例如，射频偏压电源650可电性连接至台座400以用于将能量耦合至动力电子，以激发晶圆450附近的等离子体离子。
[0061]准直器的功能为允许遵循相对垂直于晶圆的路径的原子穿过，及拦截相对不垂直于晶圆的原子。此举确保均匀的金属材料层在晶圆表面上形成。逐出或溅射的靶原子从通道入口进入准直器及从出口离开。在物理气相沉积操作的期间，以较大角度散射的原子可能冲射在准直器的侧壁板上。此横向生长可能导致在侧壁板顶部的过度生长。然而，由于至少一侧壁在入口的厚度比此侧壁板在出口的厚度薄，或至少一通道的剖面面积大于此通道在出口的剖面面积，原子不会很快阻塞通道，以使得准直器的使用寿命可延长，及可减少工艺维护频率，从而留下更多时间用于制造。
[0062]本发明的一态样提供一种物理气相沉积系统，包含腔室、盖板、台座与准直器。盖板置于腔室上以用于固持靶材。台座置于腔室中以用于支撑一晶圆。准直器置于盖板与台座之间。准直器包含多个侧壁板。侧壁板共同形成多个通道。至少一该些通道具有一入口与相对于入口的一出口。入口面对盖板，且出口面对台座。至少一侧壁板在入口的厚度比侧壁板在出口的厚度薄。
[0063]本发明的另一态样提供一种物理气相沉积系统，包含腔室、盖板、台座与准直器。盖板置于腔室上以用于固持靶材。台座置于腔室中以用于支撑一晶圆。准直器置于盖板与台座之间。准直器包含多个侧壁板。侧壁板共同形成多个通道。至少一通道具有一入口及一出口。入口面对盖板，且出口面对台座。一通道在入口的剖面面积大于通道在出口的剖面面积。
[0064]本发明的再一态样提供一种用于物理气相沉积一晶圆的方法，包含将靶材置于盖板，盖板置于腔室上。将晶圆置于腔室中的台座上。在腔室中安装及定向一准直器，其中准直器包含多个侧壁板。侧壁板共同形成多个通道。至少一通道具有一入口及一出口。入口面对盖板，且出口面对台座。至少一侧壁板在入口的厚度比侧壁板在出口的厚度薄。自靶材中逐出原子，使得原子在由准直器过滤之后沉积在晶圆上。
[0065]前述内容概括数个实施方式的特征，以便彼等熟习此项技术者可更佳地理解本发明的态样。彼等熟习此项技术者应了解，本发明可易于用作设计或修正其他工艺及结构的基础，以实现与本发明介绍的实施方式相同的目的及/或达到与其相同的优势。彼等熟习此项技术者亦应了解，等效构造不脱离本发明的精神及范畴，及可在不脱离本发明精神及范畴的情况下在本发明中进行多种变更、取代及更动。
【主权项】
1.一种物理气相沉积系统，其特征在于，包含: 一腔室； 一盖板，置于该腔室上以用于固持一靶材； 一台座，置于该腔室中以用于支撑一晶圆；以及 一准直器，置于该盖板与该台座之间，其中该准直器包含: 多个侧壁板，该些侧壁板共同形成多个通道，其中至少一该通道具有一入口与相对于该入口的一出口，该入口面对该盖板，且该出口面对该台座，至少一该侧壁板在该入口的一厚度比该侧壁板在该出口的一厚度薄。2.根据权利要求1所述的物理气相沉积系统，其特征在于，至少一该侧壁板具有毗邻于该入口的一渐缩边缘。3.根据权利要求2所述的物理气相沉积系统，其特征在于，至少一该侧壁板更具有两个主表面，该些主表面分别面对两毗邻的该些通道，且该些主表面向该渐缩边缘的一末端倾斜。4.根据权利要求2所述的物理气相沉积系统，其特征在于，至少一该侧壁板更具有毗邻该出口的一扁平边缘。5.根据权利要求1所述的物理气相沉积系统，其特征在于，至少一该通道向该出口渐窄。6.根据权利要求1所述的物理气相沉积系统，其特征在于，至少一该通道在该准直器的一中心区域的一深度比该通道在该准直器的一边界区域的一深度大。7.一种物理气相沉积系统，其特征在于，包含: 一腔室； 一盖板，置于该腔室上以用于固持一靶材； 一台座，置于该腔室中以用于支撑一晶圆；以及 一准直器，置于该盖板与该台座之间，其中该准直器包含: 多个侧壁板，该些侧壁板共同形成多个通道，其中至少一该通道具有一入口及一出口，该入口面对该盖板，且该出口面对该台座，一该通道在该入口的一剖面面积大于该通道在该出口的一剖面面积。8.根据权利要求7所述的物理气相沉积系统，其特征在于，该准直器靠近该盖板且远离该台座。9.一种用于物理气相沉积一晶圆的方法，其特征在于，包含: 将一靶材置于一盖板，其中该盖板置于一腔室上； 将该晶圆置于该腔室中的一台座上； 在该腔室中安装及定向一准直器，其中该准直器包含: 多个侧壁板，该些侧壁板共同形成多个通道，其中至少一该通道具有一入口及一出口，该入口面对该盖板，且该出口面对该台座，至少一该侧壁板在该入口的一厚度比该侧壁板在该出口的一厚度薄；以及 自该靶材中逐出原子，使得该些原子在由该准直器过滤之后沉积在该晶圆上。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该逐出步骤包含: 在该腔室中提供等离子体馈气；以及awfrIMsrss^rf蜮撕搀￥铝屮旺益够#1^ιφ侧鉬搀坩Kc/C P 务 狀 hk Xl V 9SZ8890T Zo
【文档编号】C23C14/34GK105887026SQ201510859862
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2015年11月30日
【发明人】纪志坚, 苏鸿文, 李佩璇
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司