多频电容耦合等离子体刻蚀腔的制作方法

多频电容耦合等离子体刻蚀腔的制作方法
【专利摘要】与气体联用的等离子体处理系统。该等离子体处理系统包括第一电极、第二电极、气体输入口、功率源和无源电路。所述气体输入口可操作地在所述第一电极和所述第二电极之间提供所述气体。所述功率源可操作地将在所述第一电极和所述第二电极之间的所述气体激发成等离子体。所述无源电路耦合于所述第二电极并被配置为调节所述第二电极的阻抗、电势和直流偏压中的一个或多个。所述无源射频电路包括与电感器并联设置的电容器。
【专利说明】多频电容耦合等离子体刻蚀腔 本申请是申请号为201080017815.0,申请日为2010年4月6日日，
【申请人】为朗姆研究公 司，发明创造名称为"多频电容耦合等离子体刻蚀腔"的发明专利申请的分案申请。
[00011 根据35U.S.C.sctn· 119(e)，本申请主张享有申请号为61/166,994,申请日为2009 年4月6日的美国临时专利申请的利益，合并该申请的全部公开内容于此作为参考。
【背景技术】
[0002] 等离子体处理的发展促进了半导体工业的成长。等离子体处理可能涉及不同的等 离子体产生技术，例如电感耦合等离子体处理系统、电容耦合等离子体处理系统、微波产生 等离子体处理系统和类似系统。在涉及材料的刻蚀和/或淀积的工艺中，制造商经常使用电 容耦合等离子体处理系统以制造半导体装置。
[0003] 用新的先进材料、不同材料的复杂堆叠、更薄的层、更小的特征尺寸和更小公差组 装的下一代半导体装置可能要求等离子体处理系统对于等离子体处理参数有更精确的控 制和更宽的操作窗。因此，对于衬底等离子体处理的重要考虑涉及到电容耦合等离子体处 理系统控制复数个等离子体相关处理参数的处理能力。控制等离子体相关处理参数的惯用 方法可以包括使用无源RF耦合电路、射频(RF)发生器或直流电源。
[0004] 图1A示出了在等离子体刻蚀工艺中现有技术的等离子体处理系统100的简化示意 图。等离子体处理系统100包括限制腔102、上电极104、下电极106和RF驱动器108。限制腔 102、上电极104和下电极106被设置为提供等离子体形成空间110 AF驱动器108与下电极 106电连接，而上电极104电接地。
[0005] 操作中，衬底112通过静电力被维持在下电极106上。气源(未示出）给等离子体形 成空间110提供刻蚀气体。RF驱动器108给下电极106提供驱动信号，因此在下电极106和上 电极104之间提供了电压差。该电压差在等离子体形成空间110中产生电磁场，其中等离子 体形成空间110中的气体被电离形成等离子体114。等离子体114刻蚀衬底112的表面。
[0006] 图1B示出了惯用刻蚀处理中等离子体处理系统底部的放大图。如图中所示，等离 子体鞘116形成于等离子体114和衬底表面112之间。等离子体鞘116承受着等离子体114电 势和下电极106电势之间的电势差。通过跨越等离子体鞘116的电势差，来自等离子体114的 等离子118朝着衬底112的表面加速。等离子118对衬底112的撞击致使衬底112表面上的材 料被刻蚀掉。在刻蚀工艺中，中性物质流和来自等离子体的离子致使在衬底112上将淀积聚 合物层。通过这种方式，等离子体114可以被用于刻蚀和/或淀积材料到衬底112上以制造电 子设备。
[0007] 实际上，精确控制等离子体参数和刻蚀/淀积行为的需要要求等离子体处理系统 比图1A和图1B中的等离子体处理系统100更复杂。
[0008] 图2示出了现有技术等离子体处理系统200的简化示意图。如图2所示，等离子体处 理系统200包括上电极204、下电极206、接地上延伸环210、上绝缘体212、接地下延伸环214、 下绝缘体216、RF匹配电路218、RF发生器220、RF匹配电路222和RF发生器224。
[0009]图2的等尚子体处理系统200的基本设置与上述图1A的等尚子体处理系统100相 似，但不同的是上电极204接地被替换为通过RF匹配电路222连接到RF发生器224。以这种方 式，上电极204的RF偏压能被独立地控制。另外，等离子体处理系统200包含接地上延伸环和 接地下延伸环，以消耗(drain)来自等离子体边界的RF电流。在等离子体处理系统200的例 子中，通过下绝缘体216将下电极206与接地下延伸环214电绝缘。相似地，通过上绝缘体212 将上电极204与接地上延伸环210电绝缘。
[0010]等离子体处理系统200可以是单频、双频(DFC)或三频RF电容放电系统。RF发生器 224提供的射频的非限制性例子包括2、27和60MHz。在等离子体处理系统200中，衬底208可 以被配置在下电极206的上方进行处理。
[0011]考虑到其中的情况，举例来说，正在处理衬底208。在等离子体处理中，带有接地路 径的RF发生器220提供低功率RF偏压通过RF匹配电路218到下电极206。作为一个例子，RF匹 配电路218可以被用于最大化至等离子体处理系统200的功率输送。来自提供给下电极206 的RF发生器220的驱动信号在下电极206和上电极204之间提供了电压差。该电压差产生致 使气体被电离的电磁场，因此在上电极204和下电极206之间产生等离子体(为简化示意图 没有示出气体和等离子体）。等离子体可以用于刻蚀和/或淀积材料到衬底208上以制造电 子设备。
[0012]考虑到其中的情况，举例来说，在刻蚀处理中制造商可能想要调整上电极204的电 压以对等离子体处理参数提供额外的控制。带有接地路径的RF发生器224通过RF匹配电路 222可以调节上电极204的电压。在图2例子中的RF发生器224可以是高功率的。
[0013]现在将参考图3描述另一种现有技术的等离子体处理系统。
[0014]图3示出了现有技术等离子体处理系统300的简化示意图。如图3中所示，等离子体 处理系统300包括上电极204、下电极206、接地上延伸环210、上绝缘体212、接地下延伸环 214、下绝缘体216、RF匹配电路218、RF发生器220、RF滤波器322和直流电源324。在等离子体 处理系统300中，衬底208可以被配置在下电极206之上进行处理。
[0015]图3的等离子体处理系统300与上述图2的多频电容耦合等离子体处理系统200相 似，但与图3例子中不同处在于，带有接地路径的直流电源324通过RF滤波器322耦合到上电 极204 AF滤波器322通常被用于提供不想要的谐振射频能量的衰减，而不给直流电源324引 入损失。不想要的谐振射频能量在等离子体放电时产生并可以防止其通过RF滤波器322返 回到直流电源。
[0016] 考虑到其中的情况，举例来说，在等离子体处理中，制造商可能想要调整上电极 204的直流电势以对等离子体处理参数提供额外的控制。在图3的例子中，上电极204的直流 电势可以通过使用直流电源324来调整。典型地，在上电极204上施加直流偏压的目的是想 阻止电子流向上电极204,因此让它们局限于等离子体中。以这种方式，能够增加等离子体 密度，由此增加衬底208材料的刻蚀速率。
[0017] 前述等离子体处理系统要求使用外部的RF和/或直流电源以调整上电极上的电压 来获得对等离子体相关参数的额外控制。因为外部的电源的实施可能昂贵，为了实现RF耦 合和直流偏压，已经开发了使用带有直流电流接地路径的RF耦合电路的等离子体处理系 统。这种现有技术的等离子体处理系统现在将参考图4和图5进行描述。
[0018] 图4示出了惯用等离子体处理系统400的简化示意图。如图4中所示，等离子体处理 系统400包括上电极204、下电极206、接地上延伸环404、上绝缘体212、接地下延伸环412、下 绝缘体216、RF匹配电路218、RF发生器220、导电耦合部件410和RF耦合电路402。在等离子体 处理系统400中，衬底208可以被配置在下电极206之上进行处理。
[0019]图4的等离子体处理系统400与上述图2和图3的多频电容耦合等离子体处理系统 200和300相似，但不同的是，图4的例子中上电极204被连接到无源电路(RF耦合电路402)而 不是外部的RF或直流电源。特别地，RF耦合电路402与带有直流接地路径的上电极204耦合。 取代图2和图3中已使用的外部电源，在图4中通过提供直流电流返回到接地和RF耦合电路 402来获得至上电极204的RF耦合与直流偏压。
[0020] 图4等离子体处理系统400不同于图2和图3的例子还在于，在等离子体处理系统 400中各种延伸环是不同的，如下面将进一步讨论的。
[0021] 在等离子体处理系统400中，通过上绝缘体112上电极与接地上电极延伸环404电 绝缘。接地上电极延伸环404可以由导电铝材料构成，在其表面上覆盖有石英层414。相似 地，通过下绝缘体216下电极206与直流接地下延伸环412电绝缘。接地下延伸环412可以由 导电铝材料构成，在其表面上可覆盖石英层416。其他导电材料也可以用于下电极延伸环 412的构成。
[0022]导电耦合部件410被配置在下电极延伸环412的铝部分之上来为直流电流返回接 地提供路径。导电耦合部件410可以由硅构成。可选地，导电耦合部件410也可以由其他导电 材料构成。在等离子体处理系统400中，导电耦合部件410为环形。环形有利地提供了在等离 子体处理腔的底部直流电流返回到接地的径向均匀性。尽管如此，导电耦合部件410可以被 制成任何合适的形状，比如圆盘形、圆圈形和可以为直流电流返回到接地提供均匀性的类 似形状。
[0023] 提供控制RF耦合到接地的RF耦合电路402于上电极20LRF耦合电路402不需要电 源，也就是说，RF耦合电路402是无源电路。分别地，RF耦合电路402可以被配置为变化阻抗 和/或电阻以改变上电极204上的RF电势和/或直流偏压的电路。参考图5,现在将描述RF耦 合电路402的现有技术示例。
[0024]图5是示例RF耦合电路402的分解图。如图5中所示，RF耦合电路402包括电感器 502、可变电容器504、RF滤波器506、变阻器508和开关510 AF耦合电路402被配置为电感器 502串联带有接地路径的可变电容器504,以产生可变阻抗输出。可变电容器504的非限制性 示例电容值包括在约20pF到约4000pF之间，这时运行频率约为2MHz。电感器502的非限制性 示例电感值约为14nH。
[0025] 连接RF滤波器506到变阻器508和开关510以产生可变电阻输出。当开关510打开， 图4的上电极204是悬空的且没有直流电流路径。当开关510闭合，电流路径将会通过图4的 导电耦合部件410从上电极304跨越等离子体(未示出）流到直流接地下延伸环412。
[0026] 可变电容器504和电感器502被配置在电流路径中由此提供阻抗给电流。可以通过 改变可变电容器504的值来调整RF耦合电路402的阻抗。可以通过改变RF耦合电路402中跨 越电感器502和可变电容器504的阻抗来控制图4的上电极204的RF电势。如前面提到的，RF 耦合电路302是无源电路并因此不需要电源。
[0027] 此外，变阻器508被配置于电流路径中以给电流提供电阻。可以通过改变变阻器 508的值来调整RF耦合电路402的电阻。因此，可以控制图4上的电极204的直流电势以提供 位于在图5开关510断开时的直流悬浮(floating)和图5开关510闭合时的直流接地之间的 渐变的直流电势值。
[0028] 通过采用RF耦合直流电流接地路径来调整上电极204上的RF阻抗和/或直流偏压， RF耦合电流402提供了控制等离子体处理参数的方法和设置(例如等离子体密度、离子能量 和化学组成及性质）。可以在不使用任何外部电源下完成控制。
[0029] 对于大衬底直径，新生代等离子体刻蚀装置将需要硬件几何尺寸的比例缩放性 (scaling)及电流处理的良好转换性(transferability)。不幸的是，上述等离子体处理系 统没有为大衬底直径提供足够的比例缩放性和电流处理的转换性。对于大衬底直径，所需 要的是提供比例缩放和电流处理的转移性并能控制等离子体相关参数的等离子体处理系 统。

【发明内容】

[0030] 本发明的目的是提供一种电容耦合等离子体处理系统，其为大衬底直径提供了比 例缩放性及电流处理的转换性，等离子体均匀性、密度和径向分布的可控性。
[0031] 本发明的一个方面涉及与气体联用的等离子体处理系统。该等离子体处理系统包 括第一电极、第二电极、气体输入口、功率源和无源电路。气体输入口可操作地在第一电极 与第二电极之间提供气体。功率源可操作地将在第一电极和第二电极之间的气体激发成等 离子体。无源电路被耦合于第二电极并被配置为调整第二电极的阻抗、电势和直流偏压中 的一个或多个。该无源射频电路包括与电感器并联设置的电容器。
[0032] 本发明其他的目的、优点和新颖性特征在下面的说明书中部分陈述，且部分对本 领域的技术人员通过对以下内容的审阅将变得明显，或可以通过本发明的实施认识到。借 助所附权利要求特别指出的机构和组合，可以认识并获得本发明的目的和优点。
【附图说明】
[0033]附图被合并并形成说明书的一部分，示出了本发明的示例实施方式，并与说明书 一起用于解释本发明的原理。在图中：
[0034]图1A示出了等离子体刻蚀处理期间，现有技术等离子体处理系统的简化示意图； [0035]图1B示出了惯用刻蚀处理期间，图1等离子体处理系统底部的放大图；
[0036]图2示出了带有耦合到上电极的RF发生器的现有技术等离子体处理系统的简化示 意图；
[0037]图3示出了带有连接到上电极的直流电源的现有技术等离子体处理系统；
[0038]图4示出了现有技术的带有RF电路设置的等离子体处理系统，RF电路设置带有直 流接地路径并耦合到上电极；
[0039]图5示出了RF电路设置的简化示意图；
[0040]图6示出了按照本发明一个实施方式的等离子体处理系统的简化示意图，其中等 离子体处理系统包含耦合到带有直流接地路径的跨越电感器的谐振滤波器电路装置的上 电极；
[0041]图7示出了按照本发明的一个实施方式的代表数据图，与悬空上电极之外相似配 置系统的刻蚀速率相比，示出了衬底上刻蚀速率的测量结果，以及与其相对的远离衬底中 心的半径或距离；
[0042] 图8示出了按照本发明的一个实施方式的代表数据图，示出了带有直流接地路径 的谐振滤波器电路的阻抗，以及与其相对的谐振滤波器的可变电容器组件的电容值；
[0043] 图9示出了按照本发明的一个实施方式的代表数据图，示出了下电极的直流电压 和上电极的RF电压，以及与其相对的谐振RF电路的可变电容器组件的电容值。
【具体实施方式】
[0044] 图6示出了按照本发明一个实施例的等离子体处理系统600。如图6中所示，等离子 体处理系统600包括上电极204、下电极206、RF匹配电路218、RF发生器220、上绝缘体212、下 绝缘体216、接地下延伸环214、接地上延伸环210、一组限制环602、RF接地装置604和谐振滤 波器606。谐振滤波器606包括电感器608、可变电容器610和寄生电容612。在等离子体处理 系统600中，衬底208可以被配置在下电极206之上进行处理。
[0045] RF发生器220通过RF匹配电路218提供给下电极206射频功率。RF发生器220提供的 射频的非限制性例子包括2MHz、27MHz和60MHz。
[0046]上电极204与下电极206相对并电容耦合到下电极206。此外，上电极204被耦合到 接地并通过上绝缘体112与接地上延伸环210电绝缘。下电极206被親合到接地并通过下绝 缘体216与接地下延伸环214电绝缘。
[0047] 上电极204能被耦合到谐振滤波器606。通过RF接地装置604也能将上电极104接 地。寄生电容612定义为电极204接地的寄生电容。电感器608和可变电容器610彼此并联设 置并分别接地。
[0048]操作中，通过气源(未示出）将气体614提供到等离子体形成空间618中。由RF发生 器220通过RF匹配电路218将驱动信号提供给下电极206。该驱动信号在上电极204和下电极 206之间产生电磁场，此电磁场将等离子体形成空间618中的气体614转变为等离子体622。 然后可以将等离子体622用于刻蚀衬底208以制成电子设备。
[0049] 谐振滤波器606的阻抗能够通过改变可变电容器610的电容来控制。通过调节谐振 滤波器606的阻抗，能够控制上电极604和接地上限制环610之间的低频RF电路路径。另外， 更改谐振滤波器606的阻抗修改了上电极204的RF电压和等离子体622上下鞘之间的相位关 系。以这种方式，通过简单地调节谐振滤波器606的阻抗，就能控制等离子体处理参数，诸如 等离子体622的形状和密度。
[0050] 例如，如果谐振滤波器606的阻抗高，低频RF电流被阻挡不能进入上电极204,形成 大电极直流自偏压。在这种情况下，提供直流电流路径跨越上电极204和接地上延伸环 (210)及接地下延伸环(214)之间的等离子体，在RF循环期间等离子体鞘不会塌陷在上电极 204。因此，接近电极204的电子能被反射回到等离子体并在等离子体中保持被捕获状态、产 生更多电离并因此增加等离子体密度。另外通过调节谐振滤波器，上下等离子体鞘能够在 接近同相（in-phase)条件下运行，导致等离子体中大量电子的捕获并因此导致衬底208刻 蚀速率的局部增加。因此，用这种方式，经合适调谐的谐振滤波器606可以有与施加直流偏 压到上电极204同样的效果，就像图3中现有技术等离子体处理系统300所做的那样。
[0051]以这种方式，通过简单地调节谐振滤波器606的阻抗，就有可能控制衬底208上方 等离子体622的径向分布，并因此控制等离子体处理参数诸如刻蚀速率的径向分布。这将在 下面参考图7进一步讨论。
[0052]图7比较了带有悬空上电极204的等离子体处理系统和按照本发明一个实施例的 等离子体处理系统（其中上电极204耦合到谐振滤波器606)的作为衬底半径函数的刻蚀速 率。该图包括的图700中，X轴是衬底半径(单位mm)，y轴是衬底208的刻蚀速率(单位Λ/min )。曲线图700点状函数702和虚线状函数704。点状函数702代表了等离子体处理系统的刻蚀 速率和衬底半径的函数关系，其中上电极204是悬空的。虚线形函数704代表了按照本发明 一个方面的刻蚀速率和晶圆半径的函数关系，其中上电极204耦合到谐振滤波器606。
[0053]点706显示，在衬底的中心即衬底半径为0mm时，点状函数702的特征在于有大约 395〇A/min的最大刻蚀速率。随着半径增大，点状函数7〇2递减至如点712和点714所显示 的从衬底中心算起在± 147mm处的大约3 75 〇A/m i η的最小刻蚀速率。
[0054]点708显示，在衬底的中心即晶圆半径为Omm时，虚线状函数704的特征在于有大约 475〇Λ/ω?η的最大刻蚀速率。随着半径增大，虚线状函数704递减至如点710和点716所显 示的从衬底中心算起在± 147mm处的大约385〇A/mm的最小刻蚀速率。
[0055]从曲线图700清楚地看到，带有悬空上电极的等离子体处理系统和按照本发明的 实施例等离子体处理系统的最大刻蚀速率均在衬底中心实现。从曲线图700进一步清楚地 看到，带有悬空上电极204的等离子体处理系统和按照本发明的实施例等离子体处理系统 的刻蚀速率随着与衬底中心距离的增大而减小。然而，这里的关键点在于作为将谐振滤波 器606实现于上电极204的结果，刻蚀速率的径向分布是如何改变的。
[0056]按照本发明的实施例等离子体处理系统衬底中心即点708的刻蚀速率比带有悬空 上电极204的等离子体处理系统衬底中心即点706的刻蚀速率大出约20 %。按照本发明的实 施例等离子体处理系统在半径为± 147mm即点716和点710处的衬底边缘的刻蚀速率，比带 有悬空上电极204的等离子体处理系统在半径为± 147mm即点712和点714处的刻蚀速率大 出约2.7%。因此从这里清楚地看到，耦合到上电极204的谐振滤波器606的作用主要是增大 在衬底中心的刻蚀速率。
[0057]虽然维持刻蚀速率的径向均匀性往往是大多数等离子体处理应用的目标，但有优 先增大衬底中心刻蚀速率的能力可能在许多案例中是有用的。例如，在等离子体处理系统 600名义上提供导致中心低刻蚀速率的刻蚀速率的案例中，通过使用适当调谐的谐振滤波 器606,可以弥补这种偏差并因此产生整个衬底都有均匀刻蚀速率的最终结果。
[0058]大体上，在等离子体处理系统600中，通过调节谐振滤波器606,技术人员就有能力 简单地调整刻蚀速率对半径的曲线图的形状。该能力使得刻蚀速率能被调节或与等离子体 处理系统的其他部分相匹配，以提供处理后刻蚀速率增大且整个表面刻蚀均匀的衬底。 [0059]图8示出了作为可变电容器610的电容的函数800的谐振滤波器606的阻抗的曲线 图。如图8所示，曲线图的X轴代表可变电容器610的电容(0pF，1450pF)，而曲线图的y轴代表 谐振滤波器606的阻抗(-2000 Ω，2500Ω )。该案中此处的RF频率为2MHz左右。
[0060] 如图中所示，谐振滤波器606的阻抗从点802逐渐增大到点804,在点802可变电容 器610接近于没有电容，在点804时可变电容器610有大约800pF的电容。然后谐振滤波器606 的阻抗从点804更急剧地增大到点806,在点806时可变电容器610有大约lOOOpF的电容。然 后谐振滤波器606的阻抗从点806渐近地增大，到点808,在点808时可变电容器610有大约 1200pF的电容。
[0061] 如先前讨论的，谐振滤波器606高阻抗的作用是主要在衬底的中心增加等离子体 密度和衬底刻蚀速率。因此，为了能够优先增大中心的刻蚀速率(如图7案例中虚线形函数 704所示），技术人员可以配置可变电容器610来导致最大的阻抗以维持稳定的等离子体 622。在图8中，清楚地看到点808(对应于1200pF的电容值)给出了谐振滤波器606的最大可 能阻抗，因为这是一个非常不稳定的点所以可能难于在那种条件下维持等离子体622。更合 适的选择是产生更小的阻抗值但仍然维持等离子体622。在这里合适选择的例子可以是点 806,其对应的电容值大约为1000pF。
[0062] 图9是可变电容器610电势与电容的函数关系曲线图。如图8所示，曲线图的X轴代 表可变电容器610的电容(0pF，1450pF)，而曲线图的y轴代表电势(_1000V，1500V)。
[0063] 如图9所示，虚线902代表下电极206的直流偏压与可变电容器610的电容的函数关 系，而点线904代表上电极204的峰间（peak-to-peak)RF电压与可变电容器610的电容的函 数关系。该曲线图示出了如何通过简单地改变可变电容器610的值，能够调整下电极206的 直流电压和上电极204的峰间电压。它同时也示出了图8中对应于点806的电容值(那里可变 电容器610 = 1000pF)如何在上电极导致最大的峰间电压，同时还维持下电极206上相对高 的直流偏压值。
[0064]如从前述可以领会到的那样，通过使用带有通过电感器608的直流电流接地路径 的谐振滤波器606电路，调节上电极204上的RF阻抗，本发明的实施方式提供了控制等离子 体参数(例如等离子体密度、离子能和化学组成及性质）的方法和设置。谐振滤波器606电路 和直流接地路径实施相对简单。另外，不使用直流电源就可以实现控制。通过消除对电源的 需要可以实现成本的节省，同时在电容耦合等离子体处理腔中维持等离子体处理的控制。 [0065]为图示和说明的目的前面已提供了对本发明各种优选实施方式的描述。它并不意 指所有的实施例或限制本发明为已公开的明确的形式，显然根据上述教导可以做出许多修 改和变化。如上所述，选择并描述示例的实施例是为了更好地解释本发明的原理和它的实 际应用，从而使本领域的其他技术人员能最好地利用本发明的各种实施方式并在适合预期 的特定使用时做出各种修改。本发明的范围意图由所附权利要求来限定。
【主权项】
1. 用于等离子处理半导体衬底的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括： 下电极，在等离子处理期间在其上支撑有半导体衬底； 围绕所述下电极的下接地延伸环； 上电极； 围绕所述上电极的上接地延伸环； 气体输入口，其可操作地在所述下电极和所述上电极之间提供所述气体； 连接于所述下电极的射频功率源，其可操作地将在所述下电极和所述上电极之间的所 述气体激发成等离子体;和 无源射频电路，其被耦合到所述上电极并包括与电感器并联设置的可变电容器， 其中所述无源射频电路被配置为： 通过改变所述可变电容器的电容来调节所述上电极的阻抗、电势和直流偏压中的一个 或多个来优先提高所述半导体衬底中心的衬底蚀刻率，以及 通过改变所述可变电容器的电容，控制第一射频电路，连接所述下电极和所述下接地 延伸环;控制第二射频电路，连接所述上电极和所述上接地延伸环。2. 根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所述可变电容器和电感器分别接地。3. 根据权利要求1所述的等离子体处理系统，进一步包含开关，所述开关操作为将所述 上电极与所述无源射频电路断开并将所述上电极接地。4. 根据权利要求3所述的等离子体处理系统，进一步包含开关，所述开关操作为将所述 上电极与所述无源射频电路断开并将所述上电极接地。5. 根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中操作频率是约2MHz。6. 根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中当所述可变电容器配置为产生最大 阻抗从而允许维持稳定的等离子体时，所述无源射频电路进一步被配置为优先提高衬底中 心的衬底蚀刻率。
【文档编号】C23C16/509GK105887050SQ201610324272
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2010年4月6日
【发明人】阿列克谢·马拉赫塔诺夫, 拉金德尔·德辛德萨, 越石光, 安德里亚斯·费舍尔
【申请人】朗姆研究公司