Ito玻璃及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种ITO玻璃及其制备方法，其中，所述制备方法包括：将玻璃基片送入真空室中，将真空室盖盖好，先用机械泵对真空室进行预抽，当真空室内压强抽至3?5Pa后，开启分子泵，将室内压强抽至4×10?5?5×10?5Pa；对玻璃基片进行加热处理；通入反应气体，并开启靶材机构进行溅射；稳定溅射10?15min后，移开衬底挡板，靶材机构对玻璃基片进行溅射处理，得到所述ITO玻璃，制得的ITO玻璃稳定性较好、外表无缺陷。
【专利说明】
I TO玻璃及其制备方法
技术领域
[0001 ]本发明涉及ΙΤ0玻璃，具体地，涉及ΙΤ0玻璃及其制备方法。
【背景技术】
[0002] ΙΤ0玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法镀上一层 氧化铟锡(俗称ΙΤ0)膜加工制作成的。在溅射过程中需要控制好室内的真空度和和溅射时 间，溅射工艺直接影响到玻璃的镀膜质量。
[0003] 因此，提供一种稳定性较好、外表无缺陷的ΙΤ0玻璃及其制备方法是本发明亟需解 决的问题。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的是提供一种稳定性较好、外表无缺陷的ΙΤ0玻璃及其制备方法。
[0005] 为了实现上述目的，本发明提供了一种ΙΤ0玻璃的制备方法，其中，所述制备方法 包括：
[0006] (1)将玻璃基片送入真空室中，将真空室盖盖好，先用机械栗对真空室进行预抽， 当真空室内压强抽至3-5Pa后，开启分子栗，将室内压强抽至4 X 10-5-5 X l(T5Pa;
[0007] (2)对玻璃基片进行加热处理；
[0008] (3)通入反应气体，并开启靶材机构进行溅射；
[0009] (4)稳定溅射10-15min后，移开衬底挡板，靶材机构对玻璃基片进行溅射处理，得 到所述ΙΤ0玻璃。
[0010] 本发明还提供了一种ΙΤ0玻璃，其中，所述ΙΤ0玻璃由上述的制备方法制得。
[0011] 通过上述技术方案，本发明提供的ΙΤ0玻璃的制备方法包括:将玻璃基片送入真空 室中，将真空室盖盖好，先用机械栗对真空室进行预抽，当真空室内压强抽至3-5Pa后，开启 分子栗，将室内压强抽至4 X 10-5-5 X l(T5Pa;对玻璃基片进行加热处理;通入反应气体，并 开启靶材机构进行溅射;稳定溅射10-15min后，移开衬底挡板，靶材机构对玻璃基片进行溅 射处理，得到所述ΙΤ0玻璃，制得的ΙΤ0玻璃表面无缺陷，玻璃温度性优良，同时制备该ΙΤ0玻 璃的方法简单。
[0012] 本发明的其他特征和优点将在随后的【具体实施方式】部分予以详细说明。
【具体实施方式】
[0013] 以下对本发明的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体 实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
[0014] 本发明提供了一种IT0玻璃的制备方法，其中，所述制备方法包括:将玻璃基片送 入真空室中，将真空室盖盖好，先用机械栗对真空室进行预抽，当真空室内压强抽至3_5Pa 后，开启分子栗，将室内压强抽至4 X 10-5-5 X l(T5Pa;对玻璃基片进行加热处理;通入反应 气体，并开启靶材机构进行溅射;稳定溅射10-15min后，移开衬底挡板，靶材机构对玻璃基 片进行溅射处理，得到所述ITO玻璃。制得的ITO玻璃表面无缺陷，玻璃温度性优良，同时制 备该ΙΤ0玻璃的方法简单。
[0015] 在本发明的一种优选的实施方式中，为了使得溅射离子能够更好的附着在玻璃基 片的表面，提高镀膜质量，所述加热处理中，加热温度为130-135°c，加热时间为10-15min。
[0016] 为了进一步提高镀膜质量，所述反应气体由氩气和氧气组成，优选的，所述氩气和 所述氧气的体积比为3-5:1。
[0017] 在本发明的一种优选的实施方式中，为了使得玻璃表面的镀膜层无缺陷，所述靶 材机构对玻璃基片进行溅射处理的时间为5-15min。
[0018] 为了去除靶材表面的氧化膜和杂质，尽量减少杂质对薄膜的影响，提高成膜质量， 所述靶材机构在使用前需进行高功率溅射处理，处理时间为15-20min。
[0019] 本发明还提供了一种ITO玻璃，其中，所述ITO玻璃由上述的制备方法制得。
[0020] 以下将通过实施例对本发明进行详细描述。
[0021] 实施例1
[0022] 将玻璃基片送入真空室中，将真空室盖盖好，先用机械栗对真空室进行预抽，当真 空室内压强抽至3Pa后，开启分子栗，将室内压强抽至4 X l(T5Pa;对玻璃基片进行加热处理 (加热温度为130°C，加热时间为lOmin);通入反应气体(所述反应气体由氩气和氧气组成， 且氩气和氧气的体积比为3:1)，并开启靶材机构进行溅射;稳定溅射10min后，移开衬底挡 板，靶材机构对玻璃基片进行溅射处理(时间为5min)，得到所述ΙΤ0玻璃A1。
[0023] 实施例2
[0024]将玻璃基片送入真空室中，将真空室盖盖好，先用机械栗对真空室进行预抽，当真 空室内压强抽至5Pa后，开启分子栗，将室内压强抽至5 Xl(T5Pa;对玻璃基片进行加热处理 (加热温度为135°C，加热时间为15min);通入反应气体(所述反应气体由氩气和氧气组成， 且氩气和氧气的体积比为5:1)，并开启靶材机构进行溅射;稳定溅射15min后，移开衬底挡 板，靶材机构对玻璃基片进行溅射处理(时间为15min)，得到所述ΙΤ0玻璃A2。
[0025] 实施例3
[0026] 将玻璃基片送入真空室中，将真空室盖盖好，先用机械栗对真空室进行预抽，当真 空室内压强抽至4Pa后，开启分子栗，将室内压强抽至4.5 X l(T5Pa;对玻璃基片进行加热处 理（加热温度为132°C，加热时间为12min);通入反应气体(所述反应气体由氩气和氧气组 成，且氩气和氧气的体积比为4:1)，并开启靶材机构进行溅射;稳定溅射12min后，移开衬底 挡板，靶材机构对玻璃基片进行溅射处理(时间为l〇min)，得到所述ΙΤ0玻璃A3。
[0027] 对比例1
[0028] 将玻璃基片送入真空室中，将真空室盖盖好，先用机械栗对真空室进行预抽，当真 空室内压强抽至2Pa后，开启分子栗，将室内压强抽至3 Xl(T5Pa;对玻璃基片进行加热处理 (加热温度为120°C，加热时间为5min);通入反应气体(所述反应气体由氩气和氧气组成，且 氩气和氧气的体积比为1:1)，并开启靶材机构进行溅射;稳定溅射5min后，移开衬底挡板， 靶材机构对玻璃基片进行溅射处理(时间为3min)，得到所述ΙΤ0玻璃D1。
[0029] 对比例2
[0030] 将玻璃基片送入真空室中，将真空室盖盖好，先用机械栗对真空室进行预抽，当真 空室内压强抽至7Pa后，开启分子栗，将室内压强抽至7 Xl(T5Pa;对玻璃基片进行加热处理 (加热温度为145 °C，加热时间为20min);通入反应气体(所述反应气体由氩气和氧气组成， 且氩气和氧气的体积比为6:1)，并开启靶材机构进行溅射;稳定溅射20min后，移开衬底挡 板，靶材机构对玻璃基片进行溅射处理(时间为20min)，得到所述ITO玻璃D2。
[0031] 测试例1
[0032]对制得的ΙΤ0玻璃A1-A3、D1和D2进行附着力和稳定性测试，在附着力测试中：用胶 带贴附在膜层表面并迅速撕下，观察膜层损伤情况，在稳定性测试中：将ΙΤ0玻璃在300°C下 加热，贯穿ΙΤ0玻璃变形情况。
[0033] 表 1
[0034]
LUU&」 通]Q：上还衣格数聒q以有出，仕不友明范围円制得的1TU坂埚A1-A3仕附宥刀测试 和稳定性测试中，其表面膜层无损伤，且也无变形情况，而在本发明范围外制得的ΙΤ0玻璃 D1和D2表面膜层有轻微损伤或严重损伤，高温下玻璃也有变形情况。
[0036] 以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中 的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这 些简单变型均属于本发明的保护范围。
[0037] 另外需要说明的是，在上述【具体实施方式】中所描述的各个具体技术特征，在不矛 盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可 能的组合方式不再另行说明。
[0038] 此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本 发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
【主权项】
1. 一种ITO玻璃的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： (1) 将玻璃基片送入真空室中，将真空室盖盖好，先用机械栗对真空室进行预抽，当真 空室内压强抽至3-5Pa后，开启分子栗，将室内压强抽至4 X 10_5-5 X KT5Pa; (2) 对玻璃基片进行加热处理； (3) 通入反应气体，并开启靶材机构进行溅射； (4) 稳定溅射10-15min后，移开衬底挡板，靶材机构对玻璃基片进行溅射处理，得到所 述ITO玻璃。2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述加热处理中，加热温度为130-135 °C，加热时间为10_15min。3. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述反应气体由氩气和氧气组成。4. 根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述氩气和所述氧气的体积比为3-5: 1〇5. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述靶材机构对玻璃基片进行溅射处 理的时间为5-15min。6. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述靶材机构在使用前需进行高功率 溅射处理，处理时间为15-20min。7. -种ITO玻璃，其特征在于，所述ITO玻璃由权利要求1 -6中任意一项所述的制备方法 制得。
【文档编号】C23C14/34GK105908140SQ201610266286
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年4月27日
【发明人】金海涛, 薛辉, 昌江, 任俊春
【申请人】芜湖真空科技有限公司