金属膜蚀刻液和印刷线路板的蚀刻方法
【专利摘要】本发明涉及印刷线路板制造技术领域，尤其涉及金属膜蚀刻液和印刷线路板的蚀刻方法，其中，金属膜蚀刻液包括如下质量百分比组分：3～16％的FeCl3、4～17％的HCl、0.5～3.12％的NaClO3、0.001～0.18％的表面活性剂和余量的水。通过该配方制成的用于印刷线路板蚀刻的金属膜蚀刻液，可以保证对印刷线路板的金属膜做到更加精细的蚀刻，不会出现蚀刻不良的现象，适用在半导体装置、液晶显示装置、触控产品、IC卡等的印刷线路板的金属膜成形线路图案的制作中，具有更广阔的应用前景。
【专利说明】
金属膜蚀刻液和印刷线路板的蚀刻方法
技术领域
[0001] 本发明设及印刷线路板制造技术领域，尤其设及金属膜蚀刻液和印刷线路板的蚀 刻方法。
【背景技术】
[0002] 随着电子工业的发展，印刷线路板的数量也在快速的增长。铜凭借其自身绝对优 良的导电、导热性能，与我们的生产、生活关系非常密切，被广泛地应用于电气、轻工、机械 制造、建筑工业、国防工业等领域，在中国有色金属材料的消费中仅次于侣。铜在电气、电子 工业中应用最广、用量最大，占总消费量一半W上。用于各种电缆和导线，电机和变压器，开 关W及印刷线路板的制造中。近年来，随着超大规模集成电路工艺技术的不断进步，半导体 器件的特征尺寸越来越小，集成度越来越高，超大规模集成电路中设计的金属导线变细使 得金属电阻增大，产生的热量增多，而产生了严重的电迁移现象，同时由于线间电容和金属 电阻增大引起的延迟也不断恶化，运些都大大影响了半导体忍片的性能。
[0003] 近年随着电子工业的发展，锻金属膜W及印刷线路板的生产发展极为迅速，他们 是电子元件工业中的最大行业，W惊人的速度突飞猛进，令世人瞩目。在电子元件工业中往 往采用铜及其合金制品作为导电线路。由于铜的电阻率较低，导电性好，在承受相同电流 时，铜互连线横截面积互连线小，因而相邻导线间的寄生电容小，信号串扰也小。铜互连线 的时间参数RC比侣互连小，信号在铜互连线上传输的速度也比较快，运对高速IC是很有利 的。铜的抗电迁移率比侣好(化< l〇7A/cm2 ,Al< 106A/cm2)，不会因为电迁移产生连线空桐， 从而提高了器件可靠性。因此，采用铜互连的器件能满足高频、高集成度、大功率、大容量、 使用寿命长的要求，传统的侣互连工艺也逐渐被铜互连工艺所取代。广泛用于电气、电讯和 电子等行业中。在运些应用的领域中要想得到符合我们实际要求的铜质线路，那么对铜的 蚀刻就成为必不可少的工序，工业中往往采用W氯化铜、氯化铁、过硫酸盐、过氧化氨-硫 酸、氨碱等蚀刻液进行蚀刻铜膜层，但是运些蚀刻液要么存在稳定性差、蚀刻速率慢，要么 存在用量大、蚀刻成本高等问题，运些问题都制约了铜及其合金制品在工业生产中的引用 发展。所W在此情形之下一种成本低、蚀刻速度快、稳定性好、可W精细化蚀刻的蚀刻液就 显得十分必要。
[0004] 目前铜及其铜合金的蚀刻液主要有W下几种:一、WCuCh为氧化主剂的酸性氯化 铜蚀刻液:在该种蚀刻液中随着反应的进行，会生成的CU2Cb不易溶于水，则在铜的表面形 成一层氯化亚铜膜，运种膜能够阻止反应的进一步进行。过量的cr能与C112CI2络合形成可 溶性的络离子(CuCb)2^,从铜表面上溶解下来，从而提高了蚀刻速率，但是cr是靠HCi引 入，但是该蚀刻液中随着酸浓度的增加，氯化铜的溶解度迅速降低，也会影响蚀刻速率，所 W该类蚀刻液往往进入一个死循环。二、WCuCh为氧化主剂的碱性氯化铜蚀刻液:该蚀刻 液工艺窗叶分狭窄，只有在135~165g/L时，蚀刻速率高且溶液稳定，超过或低于该浓度 蚀刻液极不稳定；另外，如果蚀刻液中的抑值较低，蚀刻液中的Cu2+不能被完全络合成[Cu (N也)2] +，溶液要出现沉淀。S、W过硫酸锭为氧化主体的蚀刻液:该蚀刻液主要过硫酸锭易 分解，其蚀刻速度和溶铜能力都不如氯化物高，一般只能用于电锻前的微蚀刻处理。四、W 此化为主体氧化剂的硫酸/双氧水蚀刻液:该蚀刻液因为此化不是很稳定，所W蚀刻液并不 能长时间存放，因为过氧化氨中不存在分子间氨键，浸润效果较差，蚀刻超细、超薄线路时 会出现针孔的现象。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供一种金属膜蚀刻液和印刷线路板的蚀刻方法，旨在解决现 有技术中对印刷线路板的金属膜蚀刻不良和蚀刻速度慢的技术问题。
[0006] 为实现上述目的，本发明的技术方案是：金属膜蚀刻液，包括如下质量百分比组 分：
[000
[000 Hk 组分：
[000
[001 Hk 组分：
[001
[0012]优选地，所述表面活性剂为阴离子型表面活性剂或非离子型表面活性剂;进一步 地，表面活性剂具有选自由-S03M基、-0S03M基和-COOM基中的一种或两种W上的官能团的 阴离子型表面活性剂;或具有氧亚烷基的重复单元结构的非离子型表面活性剂。
[0013] 本发明的金属膜蚀刻液的有益效果:本发明的金属膜蚀刻液中，FeCb化学性质稳 定，不容易分解，蚀刻速度快，那么可W有效提高金属膜蚀刻液对印刷线路板上的金属膜蚀 刻速度;而且该种金属膜蚀刻液在蚀刻的过程中需要监控的变化量单一，即只需要在蚀刻 过程中监控溶液的比重，即可得到稳定的蚀刻速率;另外，本发明实施例的金属膜蚀刻液中 加入的再生型离子氧化剂NaCl〇3,可W保证Fe3+维持在一定浓度，不至于顺着反应的进行过 多的氧化为化运样就可W保证金属膜蚀刻液持续有效;本发明实施例的金属膜蚀刻液中 加入的表面活性剂，可W降低溶液的表面张力，使得金属膜蚀刻液的浸润性更好，不会产生 蚀刻不良的问题。
[0014] 本发明的另一技术方案是：印刷线路板的蚀刻方法，包括如下步骤：
[0015] 涂胶:提供一待蚀刻的印刷线路板，所述印刷线路板包括基板和基板上表面设置 的金属膜，在所述金属膜的表面上涂覆一层感光胶；
[0016] 曝光显影:对完成所述涂胶步骤后的所述印刷线路板进行曝光，去除显影部分的 感光胶；
[0017] 蚀刻:将完成所述曝光显影步骤后的所述印刷线路板置于上述的金属膜蚀刻液内 进行蚀刻，形成线路；
[0018] 脱胶:将完成所述蚀刻步骤后的所述印刷线路板的金属膜表面上剩余的所述感光 化去除。
[0019] 进一步地，所述蚀刻步骤中，蚀刻的时长为70~180s。
[0020] 进一步地，所述蚀刻步骤中，所述金属膜蚀刻液的溫度为38~45°C。
[0021 ]进一步地，所述蚀刻步骤中，所述金属膜蚀刻液的表面张力为30~40mN/m。
[0022] 进一步地，所述蚀刻步骤中，所述金属膜蚀刻液的pH值为5.8~6.8。
[0023] 进一步地，所述蚀刻步骤中，形成的所述线路之间的宽度差为4~祉m。
[0024] 通过本发明的印刷线路板的蚀刻方法进行的印刷线路板的金属膜的蚀刻，可W保 证对印刷线路板的金属膜做到更加精细的蚀刻，不会出现蚀刻不良的现象，适用在半导体 装置、液晶显示装置、触控产品、IC卡等的印刷线路板的金属膜成形线路图案的制作中，具 有更广阔的应用前景。
【附图说明】
[0025] 图1为本发明实施例提供的印刷线路板的蚀刻方法的流程图。
[0026] 图2为印刷线路板的金属膜在本发明实施例提供的金属膜蚀刻方法下进行蚀刻的 结构变化示意图。
[0027] 图3处于本发明实施例提供的金属膜蚀刻方法中蚀刻步骤时的印刷线路板的结构 示意图。
[0028] 图4为印刷线路板的金属膜蚀刻不良的结构示意图。
[0029] 图5为通过本发明实施例提供的金属膜蚀刻液进行蚀刻的印刷线路板的结构示意 图。
[0030] 附图标记包括：
[0031 ] 10-印刷线路板 11-基板 12-金属膜
[0032] 20-感光胶 30-金属膜蚀刻液。
【具体实施方式】
[0033] 为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，W下结合 实施例与附图1~5,对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅 仅用W解释本发明，并不用于限定本发明。
[0034] 如图3所示，本发明实施例提供的金属膜蚀刻液30,用于蚀刻印刷线路板，其包括 如下质量百分比组分：
[0035]
[0036] 如图2~3所示，本发明实施例提供的金属膜蚀刻液30中，FeCb化学性质稳定，不 容易分解，蚀刻速度快，那么可W有效提高金属膜蚀刻液30对印刷线路板10上的金属膜蚀 刻速度;而且该种金属膜蚀刻液30在蚀刻的过程中需要监控的变化量单一，即只需要在蚀 刻过程中监控溶液的比重，即可得到稳定的蚀刻速率;另外，本发明实施例的金属膜蚀刻液 30中加入的再生型离子氧化剂化Cl化，可W保证化维持在一定浓度，不至于顺着反应的进 行过多的氧化为化运样就可W保证金属膜蚀刻液30持续有效;本发明实施例的金属膜蚀 刻液30中加入的表面活性剂，可W降低溶液的表面张力，使得金属膜蚀刻液30的浸润性更 好，不会产生蚀刻不良的问题。
[0037] 且本发明实施例的金属膜蚀刻液30中才用到化C13材料相对于氯化铜、过硫酸盐、 过氧化氨-硫酸、氨碱等化学品价格更便宜，为企业带来更大的经济效益。
[0038] 具体的，本发明实施例的金属膜蚀刻液30不仅可W对印刷线路板10等较粗、厚线 路进行成型，而且对半导体装置、液晶显示装置、IC卡、触控产品等超细引线的制作也有很 好的蚀刻效果。
[0039] 本发明实施例的金属膜蚀刻液30至少含有Fe化3、化Cl化、肥1和表面活性剂成分， 形成金属膜蚀刻液30的表面张力可W控制在40mN/mW下，pH可W调节到5.8~6.8之间。 化化3作为与金属膜的Cu原子发生氧化还原反应的氧化剂发挥作用，化Cl化作为与Fe2+、Cu+ 发生氧化还原反应的再生氧化剂发挥二次离子氧化的作用，HCl可W防止Fe化3发生水解， 产生沉淀的问题。并且过量的Cl-能与CuCl络合形成可溶性的络离子(CuCb)2-,从而提高了 蚀刻速率。表面活性剂主要是降低蚀刻液的表面张力，提高蚀刻液浸渗性，控制横向蚀刻保 证纳米级膜厚、微米级线宽的蚀刻效果。
[0040] 本实施例中，进一步的，所述金属膜蚀刻液30包括如下质量百分比组分：
[0041]
[0042] 00包括如下质量百分比组分：
[0043]
[0044] 也就是说，在本实施例的金属膜蚀刻液30中；
[0045] FeCb 的质量百分比可选为3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、11%、12%、 13%、14%、15% 或者 16%;
[0046] HCl的质量百分比可选为4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、11%、12%、13%、 14%、15%、16% 或者 17%;
[0047] 化 Cl〇3 的质量百分比可选为 0.5%、0.75%、1%、1.25%、1.5%、1.75%、2%、 2.25%、2.5%、2.75%、3%或者3.12%;
[004引表面活性剂的质量百分比可选为0.001%、0.005%、0.01%、0.02%、0.025%、 0.05%、0.075%、0.1%、0.125%、0.15% 或者 0.18%;
[0049] 其余量则选用水;水优选采用纯水。
[0050] 本发明实施例的上述配方中，通过比较廉价的FeCl3作为氧化还原反应的主体氧 化剂发挥作用，化Cl化作为与Fe2+、Cu+发生氧化还原反应的再生氧化剂发挥二次离子氧化 的作用，使形成的金属膜蚀刻液30更加经久耐用，表面活性剂的加入可W减小蚀刻液表面 张力，增加蚀刻液与膜层的浸润性，实现高精度蚀刻。
[0051 ] 优选地，所述表面活性剂为具有选自由-S03M基、-0S03M基和-COOM基中的一种或 两种W上的官能团的阴离子型表面活性剂;或具有氧亚烷基的重复单元结构的非离子型表 面活性剂。
[0052] 例如，阴离子型表面活性剂可W选用硬脂酸、油酸或者月桂酸）；非离子型表面活 性剂可W选用烷基酪聚氧乙締酸、高碳脂肪醇聚氧乙締酸或者脂肪酸聚氧乙締醋。
[0053] -般的蚀刻液在蚀刻金属膜12的时候，都会出现纵向和横向蚀刻的情况，理想的 是只需要纵向深度蚀刻，横向蚀刻就形成侧蚀，不利于线路的制作，参阅图4所示为金属膜 12蚀刻不良图。
[0054] -般的金属膜蚀刻液30具有很高良率的刻蚀纳米级厚度、微米级线宽的金属膜 层，主要是因为该蚀刻液的表面张力过大，刻蚀的时候很容易产生气泡，不可能刻蚀干净细 微的线缝，本发明实施例提供的金属膜蚀刻液30加入阴离子型表面活性剂或非离子型表面 活性剂，它一端是非极性的碳氨链（控基），亲水性较弱，另一端则是极性基团（如-OH、- C00H、-N此、-SO抽等），与水有很大的亲和力，亲水基留在水中而将疏水基伸向空气，W减小 排斥。而疏水基与水分子间的斥力相当于使表面的水分子受到一个向外的推力，抵消表面 水分子原来受到的向内的拉力，亦即使水的表面张力降低;参阅图3所示，运样像B区的气泡 就会更容易破裂，因为金属膜蚀刻液30的张力更小，它和金属膜12的铜表面的浸润性更好， A区的气泡也将更不容易产生，例如在C区不会形成气泡；因此，本发明实施例提供的金属膜 蚀刻液30可W取得极佳的刻蚀效果。
[0055] 如图1~5所示，本发明实施例还提供了一种印刷线路板的蚀刻方法，包括如下步 骤：
[0056] 涂胶:提供一待蚀刻的印刷线路板10,在该印刷线路板10的金属膜12表面上涂覆 一层感光胶20;其中，印刷线路板10的上部结构一般为金属膜12,下部结构一般为基板11 (基板11即为IT0,也叫氧化物半导体，不会被金属膜蚀刻液30腐蚀的结构）；
[0057] 曝光显影:对完成所述涂胶步骤后的所述印刷线路板10进行曝光，去除显影部分 的感光胶20;该步骤主要是标注需要蚀刻成型的线路；
[0058] 蚀刻:将完成所述曝光显影步骤后的所述印刷线路板10置于上述的金属膜蚀刻液 30内进行蚀刻，形成线路；
[0059] 脱胶:将完成所述蚀刻步骤后的所述印刷线路板10的金属膜12表面上剩余的所述 感光胶20去除。
[0060] 在本发明实施例的该方法中，金属膜蚀刻液30主要是利用FeCl3与CU发生反应生 成CuCl2,但是Cu2+具有氧化性，CuCb同时也会与CU原子发生氧化还原反应生成CuCl,生成 的CuCl不易溶于水，则在铜的表面形成一层CuCl的纯化膜，运种膜能够阻止反应的进一步 进行，随着反应的进行，纯化膜的增厚反应就会趋于停止，运时，HCi则用来提供过量的cr， 过量的Cl-能与CuCl络合形成可溶性的络离子(化C13)2-，从铜表面上溶解下来，运样就可W 保证化C13与CU继续反应，提高了蚀刻速率。并且肥1可W保证蚀刻液的酸性环境，防止化C13 发生水解反应，产生沉淀。随着FeCl3与CU反应的进一步进行，反应中Fe3+逐渐转变为Fe2+， Fe2+自身没有氧化型，随着反应的进行，Fe2+的浓度进一步增加，金属膜蚀刻液30的蚀刻速 率会逐渐下降，运样化Cl化作为再生型氧化剂发生作用，NaCl化具有很强的氧化性，能够将 失效金属膜蚀刻液30中的化2+、加氧化为Fe3+、CU2+使金属膜蚀刻液30重新具有稳定的蚀刻 速率。为了保证良好的蚀刻效果，提高蚀刻液的润湿性和浸渗性，能够使蚀刻更均匀，能够 蚀刻纳米级膜厚、微米级线宽的铜及其合金膜层。本发明金属膜蚀刻液30中的一定量的表 面活性剂，是具有选自由-S03M基、-0S03M基和-COOM基组成的一种或两种W上的官能团的 阴离子型表面活性剂和或具有氧亚烷基的重复单元结构的非离子型表面活性剂，它一端是 非极性的碳氨链(控基），另一端则是极性基团（如-OH、-C00H、-N出、-SO抽等），与水有很大的 亲和力。该表面活性剂可W显著减低金属膜蚀刻液30的表面张力，可W防止在蚀刻过程中 金属膜12表面产生的气泡，而造成蚀刻不净的情况，也可W防止超细的线缝内，金属膜蚀刻 液30无法浸润的问题。且该金属膜蚀刻液30能够蚀刻厚度为纳米级，线宽在几微米的膜层。
[0061] 本实施例中，所述蚀刻步骤中，蚀刻的时长为70~180s。具体的，对印刷线路板10 的金属膜12的蚀刻控制在70~180s，可W保证正常蚀刻出需要的线路，且不会因为蚀刻时 间过长而导致金属膜蚀刻液30横向蚀刻形成不良。
[0062] 更具体的，蚀刻的时间长度可 W为70s、80s、90s、100s、110s、120s、130s、140s、 150s、160s、170s 或者 180s。
[0063] 本实施例中，所述蚀刻步骤中，所述金属膜蚀刻液30的溫度为38~45°C。具体的， 保持在该溫度下能够确保金属蚀刻液具有正常的化学性能，溫度不会过高或者过低而影响 其化学性能，进而影响蚀刻效果。
[0064] 更具体的，金属膜蚀刻液30的溫度可W为38°C、39°C、40°C、41°C、42°C、43°C、44°C 或者45°C。
[0065] 本实施例中，所述蚀刻步骤中，所述金属膜蚀刻液30的表面张力为30~40mN/m。具 体的，上述范围值的表面张力的金属膜蚀刻液30具有最佳的浸润性能，强度适合，在使用 时，不会产生气泡，能够很好地与印刷线路板10的金属膜12的接触蚀刻，实现高精度蚀刻， 蚀刻效果非常好。
[0066] 更具体的，金属膜蚀刻液30的表面张力可W为30mN/m、31mN/m、32mN/m、33mN/m、 34mN/m、35mN/m、36mN/m、37mN/m、38mN/m、39mN/m 或者 40mN/m。
[0067] 本实施例中，所述蚀刻步骤中，所述金属膜蚀刻液30的pH值为5.8~6.8。具体的， 在上述的pH值范围内的金属膜蚀刻液30的酸度适合，能够确保对印刷线路板10的金属膜12 仅有更佳的蚀刻速度，且确保各化学性能稳定，各离子能够正常实现其功能。
[006引更具体的，金属膜蚀刻液30的pH值可W为5.8、5.9、60.、6.1、6.2、6.3、6.4、6.5、 6.6、6.7或者6.8。
[0069] 本实施例中，所述蚀刻步骤中，形成的所述线路之间的宽度差为4~8WI1。具体的， 通过该上述方法蚀刻出来的线路能够实现将线路的宽度差控制在4~8WH，符合生产的要 求。
[0070] 更具体的，形成的线路之间的宽度差为4]im、5皿、6皿、7皿或者8皿。
[0071] 综上，通过本发明的印刷线路板的蚀刻方法进行的印刷线路板10的金属膜12的蚀 亥IJ，可W保证对印刷线路板10的金属膜12做到更加精细的蚀刻，不会出现蚀刻不良的现象， 适用在半导体装置、液晶显示装置、触控产品、IC卡等的印刷线路板10的金属膜12成形线路 图案的制作中，具有更广阔的应用前景。
[0072] W下列举四个具体实施例：
[0073] 实施例一：
[0074] 金属膜蚀刻液30的各组分质量百分比为：3 %的化Cl3、4%的肥1、0.5 %的化Cl化、 0.001 %的表面活性剂和余量的水，并且表面张力为30mN/m，抑为5.8，溫度38°C。蚀刻的金 属膜12中的金属质量占比为90 %的铜和10 %的儀，蚀刻时长为150 S，蚀刻完成后线路之间 的宽度差在如m内，符合工艺要求。
[007引实施例二：
[0076] 金属膜蚀刻液30的各组分质量百分比为：16%的FeCl3、17 %的HCl、3 . 12%的 化Cl化、0.18 %的表面活性剂和余量的水，并且表面张力为40mN/m，抑为6.8，溫度45 °C。蚀 刻的金属膜12中的金属质量占比为70 %的铜、10 %的锋和20%的儀，蚀刻时长为180s，蚀刻 完成后线路之间的宽度差在如m内，符合工艺要求。
[0077] 实施例
[007引金属膜蚀刻液30的各组分质量百分比为:8%的化Cl3、9%的肥1、1.25%的化Cl化、 0.02%的表面活性剂和余量的水，并且表面张力为33mN/m，pH为6.1，溫度40°C。蚀刻的金属 膜12中的金属质量占比为80 %的铜和20 %的儀，蚀刻时长为120S，蚀刻完成后线路之间的 宽度差在化m内，符合工艺要求。
[0079] 实施例四：
[0080] 金属膜蚀刻液30的各组分质量百分比为：12%的FeCl3、13%的HCl、2.25%的 NaC103、0.075%的表面活性剂和余量的水，并且表面张力为37mN/m，pH为6.5，溫度42°C。蚀 刻的金属膜12中的金属质量占比为60 %的铜、20 %的锋和20 %的儀，蚀刻时长为70S，蚀刻 完成后线路之间的宽度差在祉m内，符合工艺要求。
[0081] W上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用W限制本发明，凡在本发明的思 想和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 金属膜蚀刻液，用于蚀刻印刷线路板，其特征在于，所述金属膜蚀刻液包括如下质量 百分比组分： FeCl3 VI6% HG1 4~17% NaC103 0.5^3,12% 表面活:性剂 0.001~0.18% 水 余量。2. 根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液，其特征在于，所述金属膜蚀刻液包括如下质量 百分比组分： FeCl3 3-9% HC1 4~10% NaCIO；, 0.5 ~2% 表面活性剂 0.001-0.09% 水 余量。3. 根据权利要求1所述的金属膜蚀刻液，其特征在于，所述金属膜蚀刻液包括如下质量 百分比组分： FeCl3 9-16% HC1 10-17% NaC103 2~3.12% 表面活性剂 0.09~0.丨8% 水 余量。4. 根据权利要求1~3任一项所述的金属膜蚀刻液，其特征在于，所述表面活性剂为阴 离子型表面活性剂或非离子型表面活性剂。5. 印刷线路板的蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤： 涂胶:提供一待蚀刻的印刷线路板，所述印刷线路板包括基板和基板上表面设置的金 属膜，在所述金属膜的表面上涂覆一层感光胶； 曝光显影:对完成所述涂胶步骤后的所述印刷线路板进行曝光，去除显影部分的感光 胶； 蚀刻:将完成所述曝光显影步骤后的所述印刷线路板置于权利要求1~4任一项所述的 金属膜蚀刻液内进行蚀刻，形成线路； 脱胶:将完成所述蚀刻步骤后的所述印刷线路板的金属膜表面上剩余的所述感光胶去 除。6. 根据权利要求5所述的印刷线路板的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻步骤中，蚀刻 的时长为70~180s。7. 根据权利要求5所述的印刷线路板的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻步骤中，所述 金属膜蚀刻液的温度为38~45°C。8. 根据权利要求5所述的印刷线路板的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻步骤中，所述 金属膜蚀刻液的表面张力为30~40mN/m。9. 根据权利要求5所述的印刷线路板的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻步骤中，所述 金属膜蚀刻液的pH值为5.8~6.8。10. 根据权利要求5所述的印刷线路板的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻步骤中，形成 的所述线路之间的宽度差为4~8μπι。
【文档编号】C23F1/02GK105925980SQ201610270217
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年4月27日
【发明人】黄亮, 蒋蔚, 陈凯, 黄受林, 黄海东
【申请人】深圳力合光电传感股份有限公司