共同精加工表面的制作方法

文档序号:10574979阅读:269来源:国知局
共同精加工表面的制作方法
【专利摘要】本发明涉及共同精加工表面。用于共同精加工表面的方法,包括:将由第一材料形成的并具有第一表面的第一结构粘接到在由第二材料形成的并具有第二表面的第二结构中限定的孔中,使得在第一表面和第二表面之间存在偏移。第一表面和第二表面被共同研磨以减小偏移。然后第一表面和第二表面可以齐平。第一表面的边缘可以被倒角以减轻在共同研磨和/或共同抛光期间的损坏。填充材料可以被定位在第一结构和第二结构之间的间隙中,以减轻在共同研磨和/或共同抛光期间的损坏。
【专利说明】共同精加工表面
[0001]对相关申请的交叉引用
[0002]本申请是2015年3月6日提交的题为“Co-Finishing Surface(共同精加工表面)”的美国临时专利申请N0.62/129,714的非临时专利申请,并要求该美国临时专利申请的权益,其公开内容的整体通过引用结合于此。
技术领域
[0003]本公开内容一般涉及复合表面(compound surface)的处理,并且更具体地,涉及共同精加工由脆性材料形成的复合表面,从而形成均匀表面。
【背景技术】
[0004]可以制造用于诸如电子设备之类的各种不同产品的表面。取决于打算如何使用该表面和/或可以包括该表面的产品,这样的表面可以被制造成具有各种不同的属性。
[0005]在某些情况下,这样的表面可以由单个结构形成。在其它情况下,这样的表面可以是通过将多个结构附接在一起而形成的复合表面。在表面是复合表面的情况下,附接多个结构可能导致不平的表面。

【发明内容】

[0006]本公开内容公开了用于共同精加工表面的系统和方法。具有第一表面的第一结构可被附接到在具有第二表面的第二结构中限定的孔中,以使得第一表面和第二表面之间存在偏移。第一表面和第二表面可被共同研磨和共同抛光(和/或以其它方式共同精加工),以减小和/或消除偏移。以这种方式,在附接期间,在允许结构的厚度变化的同时可以形成更均质的复合表面。
[0007]在各种实施例中,用于共同精加工表面的方法可以包括:将由第一材料形成的并具有第一表面的第一结构粘接到在由第二材料形成的并具有第二平面的第二结构中限定的孔中,使得在第一表面和第二表面之间存在偏移;共同研磨第一表面和第二表面以减小偏移;以及共同抛光第一表面和第二表面,以使得第一表面和第二表面齐平。
[0008]在一些实施例中,用于共同精加工表面的方法可以包括:粗磨第一材料的第一表面,所述第一表面具有在所述第一表面中限定的孔;将具有第二表面的第二材料附接到所述孔,以使得第二表面凸出于第一表面一个偏移或第一表面凸出于第二表面所述偏移;以及共同精加工第一表面和第二表面以减小所述偏移。
[0009]在一个或多个实施例中,用于共同精加工表面的方法可以包括:将蓝宝石窗口粘合地粘接到氧化锆结构,使得由蓝宝石窗口的第一表面和氧化锆结构的第二表面形成的组合表面不均匀;将填充材料放置在蓝宝石窗口和氧化锆结构之间的间隙中;以及共同精加工第一表面和第二表面,以使得组合表面均匀并使第一表面的第一几何形状与第二表面的第二几何形状一致。
[0010]应该理解的是,前面的概述和下面的详细描述二者是为了示例和说明的目的,并不一定要限制本公开内容。包含在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出本公开内容的主题。描述和附图一起用来解释本公开内容的原理。
【附图说明】
[0011]图1A-图1H示出了在用于共同精加工表面的示例过程的多个示例阶段的部件。
[0012]图2是示出了用于共同精加工表面的示例方法的方法简图。这个示例方法可形成在图1H中示出的共同精加工的复合表面。
[0013]图3A-图3B示出了在用于共同精加工表面的示例过程的多个示例阶段的部件的第一替代实施例。
[0014]图4A-图4B示出了在用于共同精加工表面的示例过程的多个示例阶段的部件的第二替代实施例。
[0015]图5是示出了用于共同精加工表面的制造系统的示意图。该系统可以执行图2的示例方法和/或形成在图1H中示出的共同精加工的复合表面。
【具体实施方式】
[0016]下面的描述包括体现本公开内容的各种元素的样本系统、方法和装置。然而,应该理解的是,所描述的公开内容可以用除了本文所述的那些形式之外的各种形式来实施。
[0017]可以通过将两个或更多个结构附接或以其它方式粘接在一起而形成复合表面。这样的过程可能会由于与结构的厚度有关的制造公差而导致结构的相应表面之间的偏移,从而形成非均匀和非连续的复合表面。当使用粘合剂或其它粘接结构时,这可能会加剧,这是由于粘合剂的厚度可能增加偏移。试图通过使用较少的粘合剂来增加与厚度相关的制造公差可能降低粘接强度。相反,试图通过使用更多的粘合剂来增加粘接强度可能会减小与厚度相关的制造公差。
[0018]表面之间的偏移可能会导致一些问题。由于一个表面可能会凸出于另一表面(或从另一表面突起),凸出的表面的边缘可能会更容易受到冲击(诸如,如果落到表面上),特别是如果由脆性材料形成的话。这种冲击可能会使得复合表面的一个或多个部分破裂和/或以其它方式损坏复合表面的一个或多个部分。此外,这种偏移可能会导致光不均匀地反射。另外,该偏移也可能不美观,特别是如果被定位成邻近于用户的皮肤的话,并且可能被视为比如果复合表面是同质的更低质量的制造。
[0019]本公开内容涉及共同精加工表面。第一结构可以粘接(诸如,使用热活性膜)或以其它方式附接到在第二结构中限定的孔中,使得第一结构的第一表面从第二结构的第二表面偏移(例如,凸出)。第一表面和第二表面可以被共同精加工(诸如通过共同研磨和/或共同抛光),以减少和/或消除该偏移,以使得第一表面和第二表面齐平或更平齐。以这种方式,在允许附接的结构的厚度之间的更大公差和/或允许以高的粘接强度来附接结构的同时,可以形成均质的(例如,均匀的和连续的)复合表面。
[0020]在各种实现中,在共同精加工期间,可以使用可以防止损坏的技术。例如,在共同精加工期间,可以给表面中的一个或多个表面的边缘倒角以减轻破裂。通过另一个示例的方式,第一结构和第二结构之间的间隙可用诸如热固化的环氧树脂填充物之类的抵抗结构相对于彼此的运动的材料填充。这样的填充材料也可以形成抵抗污染物(诸如水、灰尘和/或在共同精加工中所使用的颗粒或物质)的通过的密封部。
[0021]第一结构和第二结构可以由不同的材料形成,该材料可以是脆性材料。在一些实施中,结构中的一个可以由诸如氧化锆之类的材料形成,而另一个结构由诸如玻璃、化学强化玻璃、氧化铝或蓝宝石之类的材料形成。结构中的任一个都可以由任何上述材料形成。
[0022]在一些实施中,可以在第一表面和第二表面上不同地执行共同精加工,诸如以不同的速度和/或不同的时间量。例如,共同精加工可以使表面中的一个光洁(clear)而使得另一个表面是反光的。通过另一个示例的方式,表面在共同精加工之前可以具有不同的形状或几何形状(诸如平的和弯曲的)且共同精加工可以改变表面中的一个的形状或几何形状,以更紧密地符合另一个表面的形状或几何形状。
[0023]图1A-图1H示出了在用于共同精加工表面的示例过程的多个示例阶段的部件。图1A示出了第一结构101的俯视图。第一结构101可以由诸如氧化锆之类的脆性材料和/或其它这样的材料(诸如玻璃、化学强化玻璃、氧化铝、蓝宝石,等等)形成,并可被构造为具有弯曲形状的圆顶。在其它实施例中,第一结构可以具有不同的形状;其例如可以是非平面的。其可以限定复杂的曲线。其可以是圆锥形。其可以是椭圆形或其它的圆形、截头锥形、诸如梯形、方形、截棱锥等等的平面几何形状。如所示的,第一结构101可以限定孔103,第二结构102(见图1H)可以粘接和/或以其它方式附接到孔103中。第二结构102可以粘接在孔103中,以在第一结构1I中形成窗口。如所示的,第一结构1I的围绕孔103的面积可以被配置为搁板113,第二结构1 2可附接到该搁板113。
[0024]在各种实现中,第一结构101和第二结构102的组合组件可以形成电子设备(诸如智能电话、移动计算设备、平板计算设备、台式计算机、膝上型计算机、可穿戴设备、显示器、数字媒体播放器,等等)和/或其它装置的外壳的一部分。在这样的实现中,第二结构102可以用作窗口,通过该窗口,一个或多个传感器和/或其它设备可以发送和/或接收光、无线电信号和/或其它无线传输,等等。
[0025]图1B示出了沿图1A的线A-A截取的第一结构101的侧面剖视图。如所示的,第一结构具有第一表面110。还如所示的,第一结构具有限定开口 103的侧面111和搁板113。
[0026]第一结构101可进行一个或多个处理操作。这样的处理操作可从第一表面110去除材料,从而使得第一表面110反射性更强,和/或以其它方式改变第一表面110。例如,第一表面110可进行一个或多个粗磨和/或其它磨削操作(具有研磨作用的加工处理,其中表面的材料使用包括诸如金刚石和/或其它具有研磨作用的材料之类的具有研磨作用表面的磨具去除)。
[0027]图1C示出了已经在第一表面110上执行了粗磨处理之后的图1B的第一结构101的示例。如所示的,通过去除第一表面110的一部分,第一结构101的厚度已减小。通过示例的方式,粗磨处理可以去除第一表面110的约100-150微米。
[0028]图1D示出了第二结构102已经粘接和/或以其它方式附接到孔103中之后的图1C的第一结构101。第二结构102可以由诸如玻璃、化学强化玻璃、氧化锆、氧化铝、蓝宝石之类的脆性材料和/或其它这样的材料形成。第二结构102可以由与第一结构101不同的材料形成,从而使得第一结构101由第一材料形成,而第二结构102由第二材料形成。第二结构102可以具有第二表面114,虽然在一些实施例中,第一表面和第二表面可具有相似或相同的形状,但是在其它实施例中,第二表面114可以被配置成具有与第一面表110不同的形状或几何形状。如所示的,虽然第二结构可以是凸的、凹的、复杂的曲线、锥形、椭圆形或其它的非平面,并形成任何合适的或希望的几何形状(例如,梯形、截棱锥、截头圆锥形的形状,等等),但是第二表面114是平的且第一表面110是弯曲的。
[0029]第二结构102可以粘合地粘接到孔103中。如所示的,第二结构102可以用粘合剂116粘合地粘接到搁板113。在一些实现中,粘合剂116可以是热活性膜(HAF),当HAF在被加热的同时被在第二结构102和搁板113之间加压时,HAF粘合地粘接第二结构102和搁板113。在其它实现中,粘合剂116可以是任何其它种类的粘合剂,诸如单组分粘合剂、二元粘合剂,等等。
[0030]如所示的,由第一表面110和第二表面114形成的复合表面可能不是均匀和连续的。相反,第一表面110和第二表面114的位置相差偏移104。第一表面110和第二表面114之间这样的偏移104可以引起一些问题。由于第二表面114可能会凸出于第一表面110(或从第一表面110突起),因此第二表面114的边缘可能会比第二表面114的其余部分更容易受到冲击(诸如,如果落到表面上),特别是如果第二结构102由脆性材料形成的话。这种冲击可能会使第二结构102和/或第二表面114中的一个或多个部分破裂和/或以其它方式损坏第二结构102和/或第二表面114中的一个或多个部分。
[0031]此外,第一表面110和第二表面114之间的偏移104可能会导致光不均匀地反射。偏移104也可能不美观,特别是如果由第一表面110和第二表面114形成的复合表面被定位成邻近于用户的皮肤的话,并且可能被视为比如果复合表面是同质的更低质量的制造。
[0032]然而,通过粘接第一结构101和第二结构102来形成均匀和连续复合表面可能是困难的。为了精确地匹配第一表面110和第二表面114而没有偏移104,当粘接第一结构101和第二结构102来形成均匀和连续的复合表面时,可能只允许第一结构101和第二结构102的厚度之间的较小的制造公差。由于粘合剂116这可能会加剧,这是因为粘合剂116的厚度可能会增加偏移104。为了精确地匹配第一表面110和第二表面114,试图通过使用较少的粘合剂116来增加第一结构101和第二结构102的厚度之间的制造公差可能会降低第一结构101和第二结构102之间的粘接强度。相反,试图通过使用更多的粘合剂116来增加第一结构101和第二结构102之间的粘接强度可能会减小第一结构101和第二结构102的厚度之间的制造公差,从而使得第一表面110和第二表面114的精确匹配越来越依赖于第一结构101和第二结构102的准确厚度。
[0033]这样,第一表面110和第二表面114可以在第一表面110和第二表面114附接之后,使用诸如研磨(具有研磨作用的加工工艺,比磨削的研磨作用小,其中材料是通过摩擦表面和研具之间的具有研磨作用的材料去除的)或抛光(具有研磨作用的工艺,比研磨的研磨作用小,其中表面是通过用抛光工具来摩擦表面和/或将表面暴露于化学作用来光滑的)之类的一个或多个工艺来共同精加工。这种共同精加工允许在第一结构101和第二结构102的厚度之间的更大的制造公差而不降低粘接强度的同时可以减少或消除偏移104。
[0034]这种共同精加工处理可以使第二结构102、第二表面114、粘合剂116等等承受各种应力。可以使用一种或多种不同技术来最小化由这种共同精加工处理对第二结构102、第二表面114、粘合剂116等等造成的损坏。
[0035]例如,在附接第二结构102之前在第一表面110上执行的上述粗磨或磨削工艺可以比诸如研磨或抛光之类的工艺粗糙。这样,可以在上述的附接之前在第一表面110上执行粗磨或磨削工艺(和/或诸如研磨、抛光等的其它工艺),以防止对第二结构102、第二表面114、粘合剂116,等等造成损坏。此外,在附接之前可以在第二结构102上执行诸如粗磨、磨削、研磨、抛光等的各种处理。
[0036]此外,第二平面114的边缘可以比第二表面114的其它部分更容易受到来自这样的共同精加工处理的损坏。如所示的,在一些实现中,第二表面114可以被配置成具有倒角边缘118,以减少第二表面114和/或第二结构102的其它部分由于共同精加工而破裂和/或以其它方式损坏的可能性。
[0037]此外,第二结构102和第一结构101的与孔邻接的侧面111之间的间隙117可以填充有一种或多种不同的材料。例如,如图1F所示,诸如热固化环氧树脂的填充材料115或其它填充材料115可被定位在间隙117中。这样的填充材料115可以在第一结构101和第二结构102之间形成缓冲。这样的填充材料115(其可以被定位成垂直于一个或多个共同精加工操作的方向)也可以在一个或多个共同精加工处理期间吸收在第一结构101和第二结构102之间的侧向力、抵抗第二结构102相对于第一结构101的运动、防止由于共同精加工对粘合剂116的粘接的损坏和/或其它损坏。
[0038]此外,填充材料115可在第一结构101和第二结构102之间形成密封。这样的密封可以形成抵抗水、空气、灰尘和/或其它污染物通过间隙117的环境屏障。这样的密封也可以抵抗可以在一个或多个共同精加工处理中使用的砂砾、抛光化合物和/或其它颗粒通过间隙117。
[0039]如在图1E中所示的,在各种实现中,液体小珠形式的填充材料115可以被放置在图1D的粘接的第一结构101和第二结构102的间隙117上。如图1F所示,填充材料115可以接着渗入到间隙117中,从而填充间隙117。
[0040]图1G示出了在第一表面110和第二表面114上执行共同研磨处理之后的图1F的第一结构101和第二结构102的示例。这样的共同研磨工艺可以去除第一表面110和第二表面114的一部分。然而,由于共同研磨工艺可能没有上述的粗磨或磨削工艺粗糙,因此与上述的粗磨或磨削工艺相比,通过共同研磨工艺从第一表面110去除的材料可能更少。例如,虽然共同研磨工艺可以从第一表面110和第二表面114去除不同量的材料,但是共同研磨工艺可以从第一表面110和/或从第二表面114去除大约60至90微米的材料。如所示的,这可以使得偏移104减小。还如所示的,共同研磨工艺可能已经去除了倒角边缘118。
[0041]如所示的,在一些实施例中,共同研磨工艺也可以改变第二表面114的几何形状。该改变可使得第二表面114的几何形状更接近地匹配第一表面110的几何形状。例如,可以使得共同研磨之前的第二表面114的平的几何形状像共同研磨后的第一表面110的弯曲的几何形状一样更弯曲。
[0042]图1H示出了在第一表面110和第二表面114上执行共同抛光处理之后的图1G的第一结构101和第二结构102的示例。这样的共同抛光处理可以去除第一表面110和第二表面114的一部分。然而,由于共同抛光工艺可能没有上述的共同研磨工艺粗糙,因此与上述的共同研磨工艺相比,通过共同抛光工艺从第一表面110和第二表面去除的材料可能更少。例如,虽然共同抛光工艺可以从第一表面110和第二表面114去除不同量的材料,但是共同研磨工艺可以从第一表面110和/或从第二表面114去除大约10至20微米的材料。如所示的,通过消除偏移104,这可以得到由第一表面110和第二表面114形成的均质(连续且均匀)复合表面。
[0043]如所示的,在一些实施例中,共同抛光处理也可以改变第二表面114的几何形状。该改变可使得第二表面114的几何形状更接近地匹配第一表面110的几何形状。例如,可以使得共同抛光之前的第二表面114的几何形状像共同抛光后的第一表面110的弯曲的几何形状一样还更弯曲。
[0044]虽然以上讨论将共同研磨和共同抛光二者描述为改变第二表面114的几何形状,但是应该理解的是这是示例。在各种实现中,在不脱离本公开内容范围的情况下,这样的改变可以通过处理中的一个或多个来执行,而不用由这二者来执行。在还有的实现中,虽然各种其它共同精加工操作可被执行用来改变这样的几何形状,但是在不脱离本公开内容范围的情况下,共同研磨和共同抛光可以都不改变第二表面114的几何形状。
[0045]此外,虽然以上讨论将共同精加工第一表面110和第二表面114描述为包括共同研磨和共同抛光二者,但是应该理解的是,这是示例。在各种实现中,在不脱离本公开内容范围的情况下,这样的共同精加工可以省略这些处理中的一个或多个,和/或可以包括诸如磨削之类的一个或多个其它处理。
[0046]虽然诸如共同研磨和共同抛光之类的共同精加工处理在以上被描述为在第一表面110和第二表面114二者上执行,但是这样的共同精加工处理可以不相同地在第一表面110和第二表面114上执行。在不脱离本公开内容范围的情况下,在一个或多个共同精加工处理的至少一部分期间,第一表面110和第二表面114可以以不同的精加工速度、利用不同的精加工工具和/或以不同的次数来进行精加工。
[0047]例如,可以通过将研具定位成如下来执行共同研磨处理:使得研磨第一表面110和第二表面114 二者的研具将第二表面114研磨到足够的材料被从第二表面114去除为止。在这样的示例中,当只有第二表面114被研磨时,可以以第一速度执行研磨,而当第一表面110和第二表面114二者被研磨时,以第二速度执行研磨。这可能会导致由于不同的研磨次数和/或研磨速度,第一表面110被构造成是反光的,而第二表面114被构造成是半透明、透明或光洁的和/或其它精加工的变化。
[0048]通过另一示例的方式,可以如下执行抛光处理:首先抛光第一表面110的一部分,然后抛光第二表面114,并且然后抛光第一表面110的另一部分。这样的抛光可以以不同的速度、不同的时间量等等来抛光第一表面110和第二表面114。这种变化可能会导致第一表面110被构造成是反光的,而第二表面114被构造成是半透明、透明或光洁的和/或其它精加工变化。
[0049]通过还有的另一示例的方式,可以使用具有多个精加工表面的精加工工具来在第一表面110和第二表面114上执行共同精加工处理。该多个精加工表面可以能够与其它多个精加工表面以不同的精加工速度来操作,以使得第一表面110可以通过精加工表面之一以第一速度来精加工,而第二表面114可以由另一个精加工表面以第二速度来精加工。这些不同的精加工速度可能会导致第一表面110被构造成是反光的,而第二表面114被构造成是半透明、透明或光洁的和/或其它精加工变化。
[0050]图2是示出了用于共同精加工表面的示例方法200的方法简图。该示例方法200可形成图1H中示出的共同精加工的复合表面。
[0051]流程可以在块201处开始,其中可以在第一材料的第一表面上执行粗磨操作。然后流程可以前进到块202,其中可以为第二材料的第二表面的边缘倒角。接着,流程可以前进到块203,其中可以研磨第二材料的第二表面。
[0052]流程随后可前进到块204,其中,第二材料可以被附接到第一材料的孔中。将第二材料附接到第一材料可能会导致第二表面被定位成凸出于第一表面。接着,流程可以前进到块205,其中可以填充第一材料和第二材料之间的间隙。流程然后可以前进到块206。
[0053]在块206处,第一表面和第二表面可以被共同研磨。共同研磨可以改变第二表面的形状或几何形状。共同研磨也可以改变第一表面和第二表面之间的偏移(诸如通过减少或消除偏移)。然后流程可以前进到块207,其中第一表面和第二表面可以被共同抛光。共同抛光也可以改变第二表面的形状或几何形状和/或改变第一表面和第二表面之间的偏移。
[0054]虽然示例方法200被示出和描述为包括以特定顺序执行的特定操作,但是可以理解的是,这是示例。在各种实现中,在不脱离本公开内容范围的前提下,可以执行相同、相似的各种顺序和/或不同的操作。
[0055]例如,在各种实现中,诸如在块201、202和/或203处所示的那些操作可以省略。通过另一示例的方式,示例方法200被示出和描述为共同研磨,随后进行共同抛光。然而,在各种实现中,在不脱离本公开内容范围的情况下,可以执行可以或可以不包括共同研磨、共同抛光和/或其它共同精加工处理的各种共同精加工操作。
[0056]返回到图1H,虽然示出了由特别构造的第一结构101和第二结构102形成的特定复合组件,但是可以理解的是,这是示例。在不脱离本公开内容范围的情况下,由不同地构造的第一结构101和/或第二结构102形成的其它复合组件是可能的和可以想到的。
[0057]例如,第一结构被示出为配置有凹的形状或几何形状。但是,图3A-图3B示出了在用于共同精加工表面的示例过程的多个示例阶段的部件的第一替代实施例,其中第一结构或材料301被配置成具有平的形状或几何形状(图3A示出通过将第二结构或材料302附接到第一结构或材料301而形成的复合组件,而图3B示出执行了一个或多个共同精加工处理之后的图3A的复合组件)。此外,图4A-图4B示出了在用于共同精加工表面的示例过程的多个示例阶段的部件的第二替代实施例,其中第一结构或材料401被配置成具有凸的形状或几何形状(图4A示出通过将第二结构或材料402附接到第一结构或材料401而形成的复合组件,而图4B示出执行了一个或多个共同精加工处理之后的图4A的复合组件)。
[0058]另外,虽然图1H将第二表面114示出为在共同精加工之后与第一表面110齐平,但是可以理解的是,这是示例。在各种实现中,在不脱离本公开内容范围的情况下,在共同精加工之后,第二表面114可以仍然凸出于(虽然偏移104可以被减小)第一表面110(诸如在图4B中)和/或第一表面110可以凸出于第二表面114(诸如在图3B中,其中偏移304变为反向偏移)。
[0059]此外,虽然图1H将孔103示出为延伸通过第一结构101,但是可以理解的是,这是示例。在各种实现中,诸如在图3B中所示的,孔103可以仅部分地延伸到第一结构101中,以使得第二结构102可以附接到其中的腔被形成。
[0060]另外,虽然图1H被示出和描述为将第二结构102附接到第一结构101的孔103中,但是可以理解的是,这是示例,并且在不脱离本公开内容范围的情况下,其它的配置是可能的和可以想到的。例如,在一些实现中,两个或更多个结构可以被并排地附接,而不是一个结构被附接到在另一结构中限定的孔中。[0061 ]图5是示出了用于共同精加工表面的制造系统500的示意图。系统500可以执行图2的示例方法200和/或形成图1H中示出的共同精加工的复合表面。
[0062]如所示的,系统500可以包括通信地连接到移动装置502(诸如传送带)的控制器501和多个站503-506。如所示的,站503-506可以包括粘接站503、填充站504、共同研磨站505和共同抛光站506。
[0063]控制器501可以包括未示出的部件(诸如一个或多个处理单元、一个或多个通信部件、一个或多个非临时性存储介质[其可以采用如下形式,但不限于,磁存储介质;光存储介质;磁光存储介质;只读存储器;随机存取存储器;可擦除可编程存储器;闪速存储器;等等],等等)。控制器501可以向移动装置502发信号,以在方向507上在站503-506之间移动第一结构101和向站503-506发信号,以在第一结构101上执行各种操作。
[0064]例如,控制器501可以向移动装置502发信号以将第一结构101移动到粘接台503,并向粘接台503发信号以将第二结构102粘接到第一结构。然后控制器501可以向移动装置502发信号以将粘接的第一结构101和第二结构102移动到填充站504,并向填充站504发信号以填充第一结构101和第二结构102之间的间隙117。接着,控制器501可以向移动装置502发信号以将填充的第一结构101和第二结构102移动到共同研磨站505,并向共同研磨站505发信号以共同研磨第一结构101和第二结构102的第一表面110和第二表面114。然后,控制器501可以向移动装置502发信号以将共同研磨的第一结构101和第二结构102移动到共同抛光站506,并向共同抛光站506发信号以共同抛光第一结构101和第二结构102的第一表面110和第二表面114。
[0065]如在以上所描述的和在附图中所示出的,本公开内容涉及共同精加工表面。第一结构可以被粘接(诸如使用热活性膜)或以其它方式附接到在第二结构中定义的孔中,以使得第一结构的第一表面从第二结构的第二表面偏移(例如,凸出)。第一表面和第二表面可被共同精加工(诸如通过共同研磨和/或共通抛光),以减少和/或消除偏移,从而使第一表面和第二表面齐平或更平齐。以这种方式,在允许附接的结构的厚度之间的更大的公差和/或允许要被附接的结构具有高的粘接强度的同时,可以形成均质的(例如,均匀和连续的)复合表面。
[0066]在本公开内容中,所公开的方法可以被实现为可以由设备读取的指令集或软件。此外,应该理解,所公开的方法中的步骤的特定顺序或层次是样本方法的示例。在其它实施例中,方法中的步骤的特定顺序或层次可以在保持在所公开的主题内的同时被重新布置。所附方法权利要求以样本顺序来呈现各步骤的要素,而不一定意味着限于所呈现的特定顺序或层次。
[0067]所描述的公开内容可利用可以包含其上存储有指令的非暂时性机器可读介质的计算机程序产品或软件,该计算机程序产品或软件可用于对计算机系统(诸如计算机控制的制造系统或其它电子设备)进行编程,以执行根据本公开内容的处理。非暂时性机器可读介质包括用于以机器(例如,计算机)可读的形式(例如,软件、处理应用)存储信息的任何机制。非暂时性机器可读介质可以采取如下形式,但不限于,磁存储介质(例如,软盘、盒式磁带,等等);光存储介质(例如,⑶-ROM);磁光存储介质;只读存储器(ROM);随机存取存储器(RAM);可擦除可编程存储器(例如,EPROM和EEPR0M);闪速存储器;等等。
[0068]相信,通过上述描述,将可以理解本公开内容和许多其伴随的优点,并且将会清楚的是,在不脱离所公开的主题或在不牺牲所有其材料优点的情况下,可以对部件的形式、结构和布置进行各种改变。所描述的形式仅是示例性的,并且下列权利要求的目的是要包含和包括这样的变化。
[0069]虽然已经参照各种实施例描述了本公开内容,但可以理解,这些实施例是说明性的,并且本公开内容的范围并不限于这些实施例。许多变化、修改、添加和改进是可能的。更一般地,根据本公开内容的实施例已经在上下文或特定的实施例中进行了描述。在本公开内容的的各种实施例中,功能可以不同地分开或组合到块中或者用不同的术语进行描述。这些和其它变化、修改、添加以及改进会落入如在以下权利要求中所限定的公开内容的范围之内。
【主权项】
1.一种用于共同精加工表面的方法,包括: 将由第一材料形成的并具有非平面的第一表面的第一结构粘接到在由第二材料形成的并具有平面的第二表面的第二结构中限定的孔中,使得在第一表面和第二表面之间存在偏移; 共同研磨第一表面和第二表面以减小偏移;以及 共同抛光第一表面和第二表面,以使得第一表面和第二表面齐平。2.如权利要求1所述的方法,还包括在共同研磨操作之前对第一表面的边缘倒角。3.如权利要求1所述的方法,其中,共同研磨操作或共同抛光操作中的至少一个操作改变第一表面的形状。4.如权利要求1所述的方法,还包括填充粘接的第一结构和孔的侧面之间的间隙。5.如权利要求1所述的方法,其中,第二材料包括氧化锆,并且第一材料包括玻璃、化学强化玻璃、氧化锆、氧化铝和蓝宝石之一。6.如权利要求1所述的方法,其中,共同抛光操作以第一抛光速度抛光第一表面,并且以第二抛光速度抛光第二表面。7.如权利要求1所述的方法,还包括在粘接操作之前研磨第一表面。8.一种用于共同精加工表面的方法,包括: 粗磨第一材料的第一表面,所述第一表面具有在所述第一表面中限定的孔; 将具有第二表面的第二材料附接到所述孔,以使得第二表面凸出于第一表面一个偏移或第一表面凸出于第二表面所述偏移;以及 共同精加工第一表面和第二表面以减小所述偏移;其中 第一表面和第二表面中的至少一个表面是非平面。9.如权利要求8所述的方法,其中: 第二材料被附接到所述孔,以使得第二表面凸出于第一表面所述偏移;以及 在共同精加工操作之后,第二表面仍凸出于第一表面。10.如权利要求8所述的方法,其中: 第二材料被附接到所述孔,以使得第二表面凸出于第一表面所述偏移;以及 在共同精加工操作之后,第一表面仍凸出于第二表面。11.如权利要求8所述的方法,其中,第一材料和第二材料是脆性的。12.如权利要求8所述的方法,其中,附接第二材料的操作使用热活性膜、二元粘合剂或粘合剂将第二材料粘接到第一材料。13.如权利要求8所述的方法,其中,在共同精加工操作之后,第一材料是反光的,并且第二材料是半透明的。14.如权利要求8所述的方法,还包括在第二表面和第一表面之间垂直于共同精加工的方向上放置环氧树脂填充物。15.—种用于共同精加工表面的方法,包括: 将蓝宝石窗口粘合地粘接到氧化锆结构,使得由蓝宝石窗口的第一表面和氧化锆结构的第二表面形成的组合表面不均匀; 将填充材料放置在蓝宝石窗口和氧化锆结构之间的间隙中;以及 共同精加工第一表面和第二表面,以使得组合表面均匀并使第一表面的第一几何形状与第二表面的第二几何形状一致。16.如权利要求15所述的方法,其中,第一表面的第一几何形状是平的,并且第二表面的第二几何形状是弯曲的。17.如权利要求15所述的方法,其中,填充材料在共同精加工操作期间吸收侧向力。18.如权利要求15所述的方法,其中,第一表面具有由共同精加工操作去除的倒角边缘。19.如权利要求15所述的方法,其中,蓝宝石窗口在共同精加工操作之后是透明的。20.如权利要求15所述的方法,其中,共同精加工操作包括磨削第一表面和第二表面。
【文档编号】B24B1/00GK105935896SQ201610124069
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年3月4日
【发明人】松雪直人, 易斌, 曲德政, J·曼君纳赛尔, S·那桑松, T·J·内斯, D·I·纳扎罗, R·A·莫利纳
【申请人】苹果公司
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