一种抗静电的透明隔热ato涂层的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种抗静电的透明隔热ATO涂层的制备方法：包括1)清洗衬底基片；2)溅射镀膜。采用本发明的一种抗静电的透明隔热ATO涂层的制备方法制备的ATO涂层克服了传统湿法制备工艺的诸多不足，具有高透过率、高反射性、高硬度、低电阻、抗静电，耐候性好、隔热性好的特点，且制备方法的工艺重复稳定性好、生产效率高、节能环保，易于大规模工业生产。
【专利说明】
一种抗静电的透明隔热ΑΤΟ涂层的制备方法
技术领域
[0001 ]本发明涉及一种抗静电的透明隔热ΑΤ0涂层的制备方法。
【背景技术】
[0002] 静电是表面电阻很高(通常在1013~1014Ω以上）的绝缘材料表面出现的电荷积累 现象。静电会造成吸引灰尘、电荷击穿、电磁辐射等一系列问题，给生产和生活带来了很大 不便和安全隐患。
[0003] 抗静电薄膜是附着于其它器件表面的很薄的一层涂层，通过其一定的导电性能将 累积在器件表面的电荷导出从而达到防静电的效果的一种功能薄膜。通常其体电阻率1〇 3 Ω · cm，方块电阻在105~109Ω之间的抗静电薄膜可以在几秒种内把器件表面的静电消除。
[0004] 常用抗静电薄膜制备方法为湿法制备，但该法制备的ΑΤ0薄膜存在膜层附着力差、 硬度低、工艺重复性不稳定，废水废液多，不环保的问题。
【发明内容】
[0005] 为解决以上技术问题，本发明提供一种抗静电的透明隔热ΑΤ0涂层的制备方法，使 用该方法制备的抗静电的透明隔热ΑΤ0涂层具有高透、高硬度、低电阻、抗静电、隔热性好的 特点，且工艺重复稳定性好、生产效率高。
[0006] 本发明的一种抗静电的透明隔热ΑΤ0涂层的制备方法，包括如下步骤：
[0007] 1)清洗衬底基片:将衬底基片使用超声波清洗机进行超声清洗后吹干，得到洁净 衬底基片；
[0008] 2)溅射镀膜:将洁净衬底基片置于真空室并抽真空，用RF电源对ΑΤ0陶瓷靶进行溅 射，使洁净衬底基片上附着有ΑΤ0涂层沉积。
[0009] 本申请的抗静电的透明隔热ΑΤ0涂层的制备方法创新地使用溅射镀膜的方法在基 片上进行镀膜，此方法镀的膜更均匀、致密，具有硬度高、与基片的结合稳定度高的特点。
[0010] 作为优选的技术方案，所述ΑΤ0陶瓷靶为掺锑氧化锡ΑΤ0陶瓷靶，所述ΑΤ0涂层为掺 铺氧化锡ΑΤ0涂层。
[0011] 作为优选的技术方案，所述ΑΤ0陶瓷靶的锑含量为0. l-15wt%，所述ΑΤ0涂层的锑 含量为 0.1-15wt%。
[0012] 作为优选的技术方案，步骤1)中，所述衬底基片包括玻璃或有机透明基片中的一 种。
[0013] 作为优选的技术方案，所述有机透明基片包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯 或有机玻璃中的一种。
[0014] 作为优选的技术方案，步骤2)中，所述溅射包括预溅射和正式溅射，所述预溅射的 时间为5-10min，所述正式溅射的时间为30-60min，所述正式溅射的功率为100-800W，所述 正式溅射的气氛为比例为50-80%的Ar/0 2气氛。
[0015] 采用本发明的一种抗静电的透明隔热ΑΤ0涂层的制备方法制备的ΑΤ0涂层克服了 传统湿法制备工艺的诸多不足，具有高透过率、高反射性、高硬度、低电阻、抗静电，耐候性 好、隔热性好的特点，且制备方法的工艺重复稳定性好、生产效率高、节能环保，易于大规模 工业生产。
【附图说明】
[0016] 图1为本发明不同实施例抗静电的透明隔热ΑΤ0涂层光透曲线。
【具体实施方式】
[0017] 下面用具体实例予以说明本发明，应该理解的是，实例是用于说明本发明而不是 对本发明的限制，本发明的范围与核心内容依据权利要求书加以确定。
[0018] 实施例1
[0019] 本实施例提供的一种抗静电的透明隔热ΑΤ0涂层的制备方法，包括如下步骤：
[0020] 1)清洗衬底基片:将玻璃衬底基片放入超声波清洗机内进行超声清洗后吹干，保 证吹干后的玻璃衬底基片表面洁净无油污，得到洁净衬底基片；
[0021 ] 2)溅射镀膜:将洁净衬底基片置于真空室并抽真空达到3 X 10_3Pa时，充入工作气 体，气氛为Ar/02比例80%，工作气压为0.5Pa，用RF电源对锑含量为15wt%的ΑΤ0陶瓷靶进 行预溅射，预溅射5min后，开始正式溅射，功率为800W，30min后使洁净衬底基片上附着有厚 度为200nm、锑含量为15wt %的ΑΤ0涂层沉积。
[0022] 实施例2
[0023] 本实施例提供的一种抗静电的透明隔热ΑΤ0涂层的制备方法，包括如下步骤：
[0024] 1)清洗衬底基片：将有机玻璃衬底基片放入超声波清洗机内进行超声清洗后吹 干，保证吹干后的有机玻璃衬底基片表面洁净无油污，得到洁净衬底基片；
[0025] 2)溅射镀膜:将洁净衬底基片置于真空室并抽真空达到3 X10_3Pa时，充入工作气 体，气氛为Ar/02比例50 %，工作气压为0.5Pa，用RF电源对锑含量为0. lwt %的ΑΤ0陶瓷靶进 行预溅射，预溅射l〇min后，开始正式溅射，功率为100W，60min后使洁净衬底基片上附着有 厚度为300nm、锑含量为0 · lwt %的ΑΤ0涂层沉积。
[0026] 实施例3
[0027] 本实施例提供的一种抗静电的透明隔热ΑΤ0涂层的制备方法，包括如下步骤：
[0028] 1)清洗衬底基片:将聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底基片放入超声波清洗机内进行超 声清洗后吹干，保证吹干后的聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底基片表面洁净无油污，得到洁净 衬底基片；
[0029] 2)溅射镀膜:将洁净衬底基片置于真空室并抽真空达到3 X10_3Pa时，充入工作气 体，气氛为Ar/02比例65 %，工作气压为0.5Pa，用RF电源对锑含量为6wt %的ΑΤ0陶瓷靶进行 预溅射，预溅射8min后，开始正式溅射，功率为300W，40min后使洁净衬底基片上附着有厚度 为400nm、锑含量为6wt %的ΑΤ0涂层沉积。
[0030] 将以上实施例的产品进行性能检测。用百格测试图层与衬底基片的附着力，用铅 笔硬度计测试薄膜的硬度，用高阻仪测试薄膜的方块电阻，所得结果见表1。
[0031] 表1抗静电的透明隔热ΑΤ0涂层测试结果表
[0033] 由表1可知，使用本发明的方法制备的抗静电的透明隔热ΑΤΟ涂层在硬度大于9H， 表面方块电阻在~300Μ，能达到抗静电效果。
[0034] 用分光光度计测试薄膜的透过率(含衬底基片），结果如图1所示。
[0035] 采用本发明的一种抗静电的透明隔热ΑΤ0涂层的制备方法制备的ΑΤ0涂层克服了 传统湿法制备工艺的诸多不足，具有高透过率、高反射性、高硬度、低电阻、抗静电，耐候性 好、隔热性好的特点，且制备方法的工艺重复稳定性好、生产效率高、节能环保，易于大规模 工业生产。
[0036] 以上所述的实施例只是本发明的较佳的方案，并非对本发明作任何形式上的限 制，在不超出权利要求所记载的技术方案的前提下还有其它的变体及改型。
【主权项】
1. 一种抗静电的透明隔热ΑΤΟ涂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1) 清洗衬底基片：将衬底基片使用超声波清洗机进行超声清洗后吹干，得到洁净衬底 基片； 2) 溅射镀膜:将洁净衬底基片置于真空室并抽真空，用RF电源对ΑΤΟ陶瓷靶进行溅射， 使洁净衬底基片上附着有ΑΤΟ涂层沉积。2. 根据权利要求1所述的一种抗静电的透明隔热ΑΤΟ涂层的制备方法，其特征在于:所 述ΑΤΟ陶瓷靶为掺锑氧化锡ΑΤΟ陶瓷靶，所述ΑΤΟ涂层为掺锑氧化锡ΑΤΟ涂层。3. 根据权利要求2所述的一种抗静电的透明隔热ΑΤΟ涂层的制备方法，其特征在于:所 述ΑΤΟ陶瓷靶的锑含量为0. l-15wt%，所述ΑΤΟ涂层的锑含量为0. l-15wt%。4. 根据权利要求1所述的一种抗静电的透明隔热ΑΤΟ涂层的制备方法，其特征在于：步 骤1)中，所述衬底基片包括玻璃或有机透明基片中的一种。5. 根据权利要求4所述的一种抗静电的透明隔热ΑΤΟ涂层的制备方法，其特征在于:所 述有机透明基片包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或有机玻璃中的一种。6. 根据权利要求1所述的一种抗静电的透明隔热ΑΤΟ涂层的制备方法，其特征在于：步 骤2)中，所述溅射包括预溅射和正式溅射，所述预溅射的时间为5-10min，所述正式溅射的 时间为30_60min，所述正式溅射的功率为100-800W，所述正式溅射的气氛为比例为50-80% 的Ar/0 2气氛。
【文档编号】C23C14/34GK105970154SQ201610344933
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年5月23日
【发明人】黄勇彪, 籍龙占, 林文宝, 刘海燕, 涂代旺, 郑林芬, 谢丑相, 王国昌
【申请人】深圳市众诚达应用材料科技有限公司, 杭州朗旭新材料科技有限公司