成膜装置以及成膜方法
【专利摘要】本发明的实施方式提供一种使成膜的再现性进一步提高的成膜装置以及成膜方法。根据实施方式，成膜装置具备等离子体枪、检测部及控制部。等离子体枪能够喷出等离子体气体，而在照射等离子体气体的加工对象物上形成膜。检测部检测等离子体气体喷出方向上的等离子体气体中的温度或发光强度。控制部根据从检测部取得的温度或发光强度，以使温度处于第1温度以上且第2温度以下的范围的等离子体气体、或发光强度处于第1发光强度以上且第2发光强度以下的范围的等离子体气体照射到加工对象物的方式，控制加工对象物与等离子体枪的距离。
【专利说明】成膜装置以及成膜方法
[0001][相关申请]
[0002]本申请享有以日本专利申请2015-52742号(申请日:2015年3月16日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
[0003]本发明的实施方式涉及一种成膜装置以及成膜方法。
【背景技术】
[0004]作为成膜装置之一，有从等离子体枪喷出等离子体气体而在照射有等离子体气体的衬底上形成膜的成膜装置。从等离子体枪喷出的等离子体气体例如有等离子体温度等状态在等离子体中不均的情况。在此情况下，有时膜的膜质或成膜速度等会根据等离子体枪与衬底的距离而改变，从而无法获得每次成膜的再现性。
【发明内容】
[0005]本发明的实施方式提供一种成膜的再现性进一步提高的成膜装置以及成膜方法。
[0006]根据实施方式，提供一种成膜装置，具备:等离子体枪，能够喷出等离子体气体，而在照射所述等离子体气体的加工对象物上形成膜；检测部，检测所述等离子体气体喷出方向上的所述等离子体气体中的温度或发光强度；以及控制部，根据从所述检测部取得的所述温度或所述发光强度，以使所述等离子体气体的温度处于第I温度以上且第2温度以下的范围的所述等离子体气体、或所述等离子体气体的发光强度处于第I发光强度以上且第2发光强度以下的范围的所述等离子体气体照射到所述加工对象物的方式，控制所述加工对象物与所述等离子体枪的距离。
【附图说明】
[0007]图1 (a)及(b)是第I实施方式的成膜装置的示意图。
[0008]图2是第I实施方式的成膜装置的示意图。
[0009]图3是表示第I实施方式的成膜装置的特性的一个示例的曲线图。
[0010]图4是第2实施方式及第3实施方式的成膜装置的示意图。
[0011]图5(a)及(b)是表示第2实施方式的成膜装置的特性的一个示例的曲线图。
[0012]图6是表示第3实施方式的成膜装置的特性的一个示例的曲线图。
[0013]图7是第4实施方式的成膜装置的示意图。
[0014]图8是表示使用有第4实施方式的成膜装置的成膜方法的一个示例的流程图。
【具体实施方式】
[0015]以下，一边参照附图，一边对本发明的各实施方式进行说明。
[0016]此外，附图是示意图或概念图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与实物相同。而且，即便是表示相同部分的情况，也有相互的尺寸或比率根据附图而不同地表示的情况。
[0017]此外，在本申请的说明书与各图中，对于已给出的图中与以上所述的要素相同的要素标注相同的符号，并适当省略详细的说明。
[0018](第I实施方式)
[0019]图1(a)及图1(b)是第I实施方式的成膜装置的示意图。
[0020]图2是第I实施方式的成膜装置的示意图。
[0021]图1(b)是成膜装置(以下，例如为等离子体成膜装置101)的示意剖视图。图2是从成膜装置101喷出的等离子体气体60的示意图。在图1 (a)、图1 (b)及图2中，喷嘴11是以剖面表示。
[0022]如图1(a)所示，本实施方式的成膜装置101具有等离子体枪10、检测部20及控制部30。
[0023]等离子体枪10喷出等离子体气体60。等离子体枪10能够对安装在等离子体气体60的喷出目的地(例如等离子体枪10的正下方)的工件(加工对象物)照射等离子体气体60而形成膜。所谓加工对象物，例如为半导体衬底、机械零件等。等离子体枪10具有喷嘴11。等离子体气体60从喷嘴11喷出。在本实施方式中，加工对象物为部件71。膜形成在部件71的表面71a。
[0024]在本实施方式中，等离子体枪10在Z方向(铅垂方向)上移动自如地设置。等离子体枪10从某基准点来看在Z方向移动例如500mm(毫米)。由此，等离子体枪10在Z方向上的位置发生变化。
[0025]成膜装置101还具有枪移动机构40。枪移动机构40使等离子体枪10移动。枪移动机构40例如由控制部30控制。
[0026]枪移动机构40具有作为用来使等离子体枪10移动的动力源的致动器。作为致动器，可举出例如步进电动机或伺服电动机等。控制部30例如将特定的脉冲数输入至致动器的驱动器。由此，致动器驱动，而使等离子体枪10例如以μπι(微米)为单位而移动。等离子体枪10在Z方向上的位置得以调整。
[0027]如图1 (b)所示，成膜时等离子体枪10的喷嘴11的喷出口 Ila与部件71的表面71a的距离(以下，称为“喷镀距离Dn”)得以调整。
[0028]如图1 (b)所示，对等离子体枪10供给支援等离子体化的支援气体(载气)、成为膜73的材料的喷镀材料及电源等(参照图1(b)中的箭头Sul)。作为喷镀材料，可举出例如SiC(碳化硅)或Y2O3 (氧化钇)等。喷镀材料例如为粉体或浆料。喷镀材料碰撞到部件71的表面71a而形成膜73。
[0029]在使用SiC作为喷镀材料的情况下，作为膜73的结晶构造，可举出例如立方晶(3C-SiC)、六方晶(4H-SiC、6H-SiC)等。膜73的特性(例如热导率或腐蚀性等)根据膜73的结晶构造而不同。膜73的结晶构造例如会根据成膜温度而变化。
[0030]如图2所示，等离子体气体60在喷出等离子体气体60的方向上具有温度分布。等离子体气体60的温度是在成膜时使所要形成的膜的膜质变化的因素。这里，膜质是所要形成的膜的结晶性及膜的配向性。等离子体气体60的温度越靠前端侧越低。等离子体气体60具有例如5000°C的区域、3000°C的区域及2000°C的区域。
[0031]检测部20检测等离子体气体60的状态。这里，等离子体气体60的状态是指等离子体气体60的温度及等离子体气体60的发光强度的任一个。
[0032]检测部20包含温度检测部21。温度检测部21检测作为等离子体气体60的状态的温度。温度检测部21包含例如非接触型的温度传感器(例如温度监控器)。
[0033]控制部30也可利用温度监控器来监控等离子体气体60的温度，在等离子体气体60的温度未达到预先设定的温度的情况下，发出作为装置异常的警报。在此情况下，不将等离子体气体60照射到加工对象物。也就是说，不进行成膜步骤。这里，预先设定的温度例如可为室温。
[0034]控制部30根据利用检测部20所获得的等离子体气体60的状态来调整喷镀距离Dn0
[0035]控制部30例如是计算机的CPU (Central Processing Unit，中央处理器)D以下说明的控制部所具有的各机构是通过由控制部30执行特定程序来实现。
[0036]控制部30具有距离控制机构31。
[0037]距离控制机构31根据利用温度检测部21检测的等离子体气体60的温度，取得用来成为特定成膜温度的目标距离Tnl，且使用枪移动机构40使等离子体枪10移动以使距离Dn成为目标距离TnI。
[0038]距离控制机构31使用枪移动机构40使等离子体枪10移动以使等离子体枪10在Z方向上的位置逐次变化，并且利用温度检测部21而检测等离子体气体60的温度。由此，取得等离子体枪10在Z方向上的位置与等离子体气体60的温度的对应关系，也就是，等离子体气体60的温度分布。
[0039]图3是表示第I实施方式的成膜装置的特性的一个示例的曲线图。
[0040]图3是等离子体气体60的温度分布的一个示例。在图3中，横轴表示等离子体枪10在Z方向上的位置Zg (mm)，纵轴表示温度Tp (°C )。
[0041]距离控制机构31记录等离子体气体60的温度处于预先设定在距离控制机构31的温度范围(第I温度Tpl以上且第2温度Tp2以下)期间的等离子体枪10在Z方向上的位置的范围(Zgl?Zg2 ;以下，称为“第I范围”)。这里，所谓温度范围，例如为能够成膜具有特定结晶构造的膜的温度范围。能够成膜具有6H-SiC的结晶构造的膜的温度范围例如为 3000 ± 100°C。
[0042]距离控制机构31根据所述所取得的等离子体枪10的第I范围，算出用来成膜具有特定结晶构造的膜的目标距离Tnl。目标距离Tnl例如根据所述所取得的等离子体枪10的第I范围的平均值而算出。
[0043]距离控制机构31使用枪移动机构40而使等离子体枪10移动，将距离Dn设为目标距离TnI。
[0044]以下，对使用有本实施方式的成膜装置101的成膜方法的一个示例进行说明。
[0045]对成膜装置101的等离子体枪10供给支援气体、喷镀材料及电源等。将等离子体气体60从喷嘴11喷出。
[0046]控制部30的距离控制机构31例如将步进电动机的脉冲数通知给枪移动机构40。由此，等离子体枪10移动，等离子体枪10在Z方向上的位置变化。伴随于此，距离控制机构31使用温度检测部21来测量等离子体气体60的温度。由此，取得等离子体气体60的温度分布，且根据该温度分布而取得用来成为特定成膜温度的目标距离Tnl。距离控制机构31使用枪移动机构40使等离子体枪10移动，将距离Dn设为目标距离Tnl。
[0047]进行成膜。
[0048]如上所述，在第I实施方式中，取得目标距离Tnl，且将喷镀距离Dn设为所取得的目标距离Tnl，由此可在每次成膜时以所需的成膜温度成膜出膜。由此，根据所形成的膜的膜质不均得以抑制且膜质实质上成为固定的第I实施方式，成膜的再现性提高。例如，根据第I实施方式，能够成膜具有所需结晶构造(例如6H-SiC)的膜。
[0049](第2实施方式)
[0050]图4是第2实施方式及第3实施方式的成膜装置的示意图。
[0051]如图4所示，第2实施方式(及第3实施方式)的成膜装置102具有等离子体枪
10、检测部20及控制部30。检测部20具有发光强度检测部22。控制部30除具有距离控制机构31之外，还具有判断机构32。在成膜装置102中，除控制部30的判断机构32以外，与成膜装置101相同。
[0052]图5是表示第2实施方式的成膜装置的特性的一个示例的曲线图。
[0053]图5(a)表不使等呙子体气体60喷出时的时间Tp与发光强度Ip的关系。在图5(a)中，纵轴表示发光强度Ip (A.U.-Arbitrary Unit，任意单位)，横轴表示从开始喷出起的时间Tp (s:second，秒)。在图5 (a)所示的例中，在约8s开始供给电源，且在约18s开始供给支援气体。图5(b)是将图5(a)中的范围Anl扩大而成的图。
[0054]如图5 (a)所示，等离子体气体60的发光强度在从开始供给支援气体起的短暂的期间(约18s?约30s)为1000以下。在超过约30s时，等离子体气体60的发光强度急剧上升，在约35s以后，等尚子体气体60的发光强度大致为2500左右而稳定。
[0055]像这样，为使等离子体气体60的发光强度稳定，从开始供给电源起需要例如数10秒。如果在等离子体气体60的状态不稳定的期间开始成膜，那么例如会产生膜质不均。例如会产生膜厚不均。从而无法进行稳定的成膜。
[0056]因此，在本实施方式中，控制部30的判断机构32例如在像第I实施方式中所说明的那样取得目标距离Tnl且控制距离Dn之前，使用发光强度检测部22来判断等离子体气体60的状态是否稳定。以下，对发光强度检测部22及判断机构32进一步进行说明。
[0057]发光强度检测部22检测作为等离子体气体60的状态的发光强度。发光强度检测部22例如为检测发光强度的等离子体工艺监控器。在本实施方式中，发光强度检测部22具有等离子体发光探针22a。发光强度例如是对等离子体气体60的特定位置检测。
[0058]控制部30也可利用等离子体工艺监控器来监控等离子体气体60的发光强度，在等离子体气体60的发光强度未达到预先设定的发光强度的情况下，发出作为装置异常的警报。在此情况下，不将等离子体气体60照射到加工对象物。也就是说，不进行成膜步骤。
[0059]判断机构32根据利用发光强度检测部22检测的发光强度，进行等离子体气体60的状态是否稳定的判断处理。
[0060]判断机构32监控利用发光强度检测部22逐次检测的发光强度，在例如满足以下两个条件时，判断为等离子体气体60的状态稳定。
[0061]如图5(b)所示，第I个条件是:等离子体气体60的发光强度每特定时间的增加量Δ Ip成为预先设定的第I阈值ThI以下。
[0062]如图5(a)所示，第2个条件是:等离子体气体60的发光强度成为预先设定的第2阈值ThA以上(本例中，例如为1900以上)。
[0063]判断机构32在判断为等离子体气体60的状态不稳定的情况下，经过特定时间(例如数ms)之后，再次进行判断处理。
[0064]以下，对使用有本实施方式的成膜装置102的成膜方法的一个示例进行说明。
[0065]对成膜装置102的等离子体枪10供给支援气体、喷镀材料及电源等。将等离子体气体60从喷嘴11喷出。
[0066]控制部30的判断机构32根据利用发光强度检测部22检测的发光强度，进行等离子体气体60的状态是否稳定的判断处理。判断机构32在判断为等离子体气体60的状态不稳定的情况下，经过特定时间之后，再次进行判断处理。判断机构32在判断为等离子体气体60的状态稳定的情况下，结束判断处理。
[0067]在判断为等离子体60的状态稳定的情况下，例如开始成膜步骤。例如像第I实施方式中所说明的那样，取得目标距离TnI且控制距离Dn。
[0068]如上所述，在第2实施方式中，判断机构32根据利用发光强度检测部22检测的发光强度来判断等离子体气体60的稳定性。由此，能够更稳定地形成膜。在第2实施方式中，成月旲的再现性也进一步提尚。
[0069](第3实施方式)
[0070]图6是表示第3实施方式的成膜装置的特性的一个示例的曲线图。
[0071]图6表示等离子体枪10在Z方向上的位置与等离子体气体60的发光强度Ip的关系。在图6中，纵轴表示发光强度Ip(A.U.)，横轴表示等离子体枪10在Z方向上的位置(mm) ο
[0072]如图6所示，等离子体气体60在稳定状态下，在喷出等离子体气体60的方向上具有发光强度分布。
[0073]如上所述，等离子体气体60的发光强度与等离子体气体60的密度及等离子体气体60的解尚状态有关。在等尚子体气体60中，例如，发光强度尚的部位处的等尚子体气体60的密度高于发光强度低的部位处的等离子体气体60的密度。等离子体气体60的发光强度是与所形成的膜的成膜速度相关的因素。例如，如果等离子体气体60的密度不均，那么例如成膜速度实质上不会固定。所形成的膜73的膜厚实质上不会固定。
[0074]因此，在本实施方式中，成膜装置102的距离控制机构31根据利用发光强度检测部22检测的等离子体气体60的发光强度，取得用来成为特定成膜速度的目标距离Tn2。具体来说，例如，距离控制机构31使用枪移动机构40使等离子体枪10移动而使等离子体枪10在Z方向上的位置逐次变化，并且利用发光强度检测部22来检测等离子体气体60的发光强度。由此，取得等离子体枪10在Z方向上的位置与等离子体气体60的发光强度的对应关系，也就是说，取得等离子体气体60的发光强度分布。而且，距离控制机构31记录等离子体气体60的发光强度处于预先设定在距离控制机构31的发光强度范围(第I发光强度Ipl以上且第2发光强度Ιρ2以下)期间的等离子体枪10在Z方向上的位置的范围(Zg3?Zg4 ;以下，称为“第2范围”)。这里，发光强度范围例如是能够以特定成膜速度成膜特定膜的发光强度范围。能够以特定生长速度成膜出膜的发光强度范围例如为Z±lmm。因此，需要在等离子体枪10上搭载高解析度的致动器(例如步进电动机或伺服电动机)。
[0075]距离控制机构31根据所述所取得的等离子体枪10的第2范围(Zg3?Zg4)，算出用来以特定成膜速度成膜的目标距离Tn2。目标距离Τη2例如是根据所述所取得的等离子体枪10的第2范围(Zg3?Zg4)的平均值而算出。
[0076]以下，对使用有本实施方式的成膜装置102的成膜方法的一个示例进行说明。
[0077]对成膜装置101的等离子体枪10供给支援气体等。将等离子体气体60从喷嘴11嗔出。
[0078]控制部30的距离控制机构31使用枪移动机构40使等离子体枪10移动，而使等离子体枪在Z方向上的位置变化。伴随于此，距离控制机构31使用发光强度检测部22来测量等尚子体气体60的发光强度。由此，取得等尚子体气体60的发光强度分布，且根据该发光强度分布而取得用来使成膜速度成为特定速度的目标距离Tn2。
[0079]控制部30在成膜步骤中，使用枪移动机构40使等离子体枪10移动，而以使喷镀距离Dn成为目标距离Τη2的方式调整等离子体枪10的Z方向距离。进行成膜。
[0080]如上所述，在第3实施方式中，取得目标距离Τη2，且使喷镀距离Dn成为所取得的目标距离Τη2，由此可使成膜速度成为特定速度。由此，能够更稳定地形成膜。在第3实施方式中，成膜的再现性也进一步提高。
[0081](第4实施方式)
[0082]图7是第4实施方式的成膜装置的示意图。
[0083]图7是表示本实施方式的成膜装置103的整体概要的立体图。
[0084]如图7所示，成膜装置103具有等离子体枪10、检测部20及控制部30。成膜装置103还具有:等离子体温度传感单元81、等离子体发光监控器单元82、涂布单元83及使等离子体枪10移动到所述单元的搬送机器人(未图示)。
[0085]检测部20具有温度检测部21及发光强度检测部22。
[0086]控制部30具有距离控制机构31及判断机构32。
[0087]温度检测部21设置在等离子体温度传感单元81。发光强度检测部22设置在等离子体发光监控器单元82。涂布单元83具有用来安装部件71且在部件71成膜(涂布)的安装台83a。搬送机器人使等离子体枪10在各单元间移动。搬送机器人例如可由控制部30控制。
[0088]如图7所示，等离子体温度传感单元81以与等离子体发光监控器单元82及涂布单元83相邻的方式配置。等离子体发光监控器单元82以与涂布单元83相邻的方式配置。
[0089]在等离子体温度传感单元81中，测量从等离子体枪10喷出的等离子体气体60的温度。在等尚子体发光监控器单兀82中，测量从等尚子体枪10喷出的等尚子体气体60的发光强度。在涂布单元83中，对部件71进行成膜。
[0090]控制部30的距离控制机构31根据等离子体气体60的温度及等离子体气体60的发光强度来取得目标距离Tn3。将喷镀距离Dn设为目标距离Τη3。由此，可使所要形成的膜的膜质实质上固定。可使所要形成的膜的膜厚实质上固定。成膜的再现性进一步提高。
[0091]以下，一边参照图8，一边对使用有成膜装置103的成膜方法的一个示例进行说明。
[0092]图8是表示使用有第4实施方式的成膜装置的成膜方法的一个示例的流程图。
[0093]在成膜装置103的安装台83a安装要涂布的部件71 (第I步骤STl)。
[0094]预先使等离子体枪10移动到等离子体发光监控器单元82。对等离子体枪10接通电源(第2步骤ST2)。对等离子体枪10供给支援气体等(第3步骤ST3)。由此，产生等离子体气体60，且开始从喷嘴11喷出等离子体气体60 (第4步骤ST4)。
[0095]控制部30的判断机构32使用发光强度检测部22来监控等离子体气体60的发光强度，且使用判断机构32来判断等离子体气体60的状态是否稳定(第5步骤ST5)。该步骤可适当省略。判断机构32在判断为等离子体气体60的状态不稳定的情况下，经过特定时间(例如数ms)之后，再次进行判断处理。判断机构32在判断为等离子体气体60的状态稳定的情况下，结束判断处理。
[0096]在判断为等离子体气体60的状态稳定的情况下，使等离子体枪10移动到等离子体温度传感单元81 (参照图7中的箭头Awl)。
[0097]控制部30的距离控制机构31使用枪移动机构40使等离子体枪10移动，并且使用温度检测部21来判断等离子体气体60的温度是否处于预先设定在距离控制机构31的温度范围内(第6步骤ST6)。记录等离子体枪10的第I范围(Zgl?Zg2)。
[0098]使等离子体枪10移动到等离子体发光监控器单元82 (参照图7中的箭头Aw2)。
[0099]控制部30的距离控制机构31使用枪移动机构40使等离子体枪10移动，并且使用发光强度检测部22来判断等离子体气体60的发光强度是否处于预先设定在距离控制机构31的发光强度范围内(第7步骤ST7)。记录为第I范围内且等离子体气体60的温度处于预先设定在距离控制机构31的发光强度范围内的期间的等离子体枪10的第2范围(Zg3?Zg4)。第2范围包含于第I范围。等离子体枪10的移动也可在第I范围内进行。
[0100]控制部30的距离控制机构31根据第I范围及第2范围，算出用来成膜特定结晶构造的膜、且用来以特定成膜速度成膜的目标距离Tn3。目标距离Τη3例如是根据所述所取得的等离子体枪10的第2范围的平均值而算出。
[0101]使等离子体枪10移动到涂布单元83 (参照图7中的箭头Aw3)。
[0102]控制部30使用枪移动机构40使等离子体枪10移动，以使喷镀距离Dn成为目标距离Tn3的方式调整等离子体枪10的Z方向距离。对部件进行涂布(第8步骤ST8，成膜步骤)。
[0103]如上所述，在第4实施方式中，取得目标距离Τη3，且将喷镀距离Dn设为所取得的目标距离Τη3，由此能够以特定成膜速度成膜特定结晶构造的膜。因此，可使膜的膜质及膜的膜厚实质上固定。在第4实施方式中，成膜的再现性也进一步提高。
[0104]在对某部件结束成膜之后继续对其他部件成膜的情况下，等离子体气体60可在将其他部件安装在安装台83a之前的期间一直喷出，也可暂时中断喷出。在使等离子体气体60的喷出中断后再开始的情况下，也可再次进行第I步骤ST1，且确认等离子体气体60的状态是否稳定。
[0105]利用控制部30而自动地进行例如第3步骤ST3?第8步骤ST8。
[0106]第6步骤ST6及第7步骤ST7可作为第8步骤ST8 (成膜步骤)的前步骤而每次进行，也可在特定条件下进行第6步骤ST6及第7步骤ST7而预先取得目标距离Tn3，且使用该目标距离Τη3来进行第8步骤ST8 (成膜步骤)。
[0107]以上，一边参照具体例，一边对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不限定于这些具体例。例如，关于成膜装置中包含的等离子体枪、检测部及控制部等各要素的具体构成，只要本领域技术人员能够通过从众所周知的范围内适当选择而同样地实施本发明并且取得相同的效果，那么包含于本发明的范围。
[0108]而且，将各具体例的任意两个以上的要素在技术上可能的范围组合而成的实施例，也就是，使第I?第4实施方式的至少两个复合而成的实施例只要包含本发明的主旨，那么也包含于本发明的范围。
[0109]此外，可由本领域技术人员以作为本发明的实施方式的所述成膜装置为基础而适当设计变更并实施的全部成膜装置只要包含本发明的主旨，那么也属于本发明的范围。
[0110]此外，在本发明的思想范畴内，只要为本领域技术人员，便可想到各种变更例及修正例，且应当了解这些变更例及修正例也属于本发明的范围。
[0111]对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为示例而提出的，并非意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种方式实施，且能够在不脱离发明的主旨的范围进行各种省略、替换、变更。这些实施方式或其变化包含于发明的范围或主旨，并且包含于权利要求书中记载的发明及其均等的范围。
[0112][符号的说明]
[0113]10 等离子体枪
[0114]11 喷嘴
[0115]Ila 喷出口
[0116]20 检测部
[0117]21 温度检测部
[0118]22 发光强度检测部
[0119]22a 等离子体发光探针
[0120]30 控制部
[0121]31 距离控制机构
[0122]32 判断机构
[0123]40 枪移动机构
[0124]60 等离子体气体
[0125]71 部件
[0126]71a 表面
[0127]73 膜
[0128]81 等离子体温度传感单元
[0129]82 等离子体发光监控器单元
[0130]83 涂布单元
[0131]83a 安装台
[0132]101?103成膜装置
[0133]Δ Ip增加量
[0134]Anl范围
[0135]Awl ?Aw3、Sul 箭头
[0136]Dn喷镀距离
[0137]Ip发光强度
[0138]Tp时间
[0139]ThI第 I 阈值
[0140]ThA第 2 阈值
【主权项】
1.一种成膜装置，其特征在于具备: 等离子体枪，能够喷出等离子体气体，而在照射所述等离子体气体的加工对象物上形成膜； 检测部，检测所述等离子体气体喷出方向上的所述等离子体气体中的温度或发光强度；以及 控制部，根据从所述检测部取得的所述温度或所述发光强度，以使所述等离子体气体的温度处于第I温度以上且第2温度以下的范围的所述等离子体气体、或所述等离子体气体的发光强度处于第I发光强度以上且第2发光强度以下的范围的所述等离子体气体照射到所述加工对象物的方式，控制所述加工对象物与所述等离子体枪的距离。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于所述控制部根据从所述检测部取得的所述温度及所述发光强度，以使所述等离子体气体的温度处于第I温度以上且第2温度以下的范围、以及所述等离子体气体的发光强度处于第I发光强度以上且第2发光强度以下的范围的所述等离子体气体照射到所述加工对象物的方式，控制所述加工对象物与所述等离子体枪的距离。3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于所述控制部在所述等离子体气体的状态稳定之后，控制所述距离。4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于在所述等离子体气体的所述发光强度的每特定时间的增加率为第I阈值以下且所述等离子体气体的所述发光强度为第2阈值以上的情况下，所述控制部控制所述距离。5.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于所述检测部包含温度监控器，所述温度监控器检测所述等离子体气体的所述温度；且 所述控制部利用所述温度监控器来检测所述等离子体气体的所述温度，在所述等离子体气体的所述温度未达到所设定温度的情况下，不将所述等离子体气体照射到所述加工对象物。6.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于所述检测部包含等离子体工艺监控器，所述等离子体工艺监控器检测所述等离子体气体的所述发光强度；且 所述控制部利用所述等离子体工艺监控器来检测所述等离子体气体的所述发光强度，在所述等离子体气体的所述发光强度未达到所设定发光强度的情况下，不将所述等离子体气体照射到所述加工对象物。7.一种成膜方法，其特征在于具备以下步骤: 对从等离子体枪喷出的等离子体气体，取得所述等离子体气体喷出方向上的所述等离子体气体中的温度分布或发光强度分布； 在照射所述等离子体气体的加工对象物上形成膜之前，根据所取得的所述温度分布或所述发光强度分布，以使所述等离子体气体的温度处于第I温度以上且第2温度以下的范围的所述等离子体气体、或所述等离子体气体的发光强度处于第I发光强度以上且第2发光强度以下的范围的所述等离子体气体照射到所述加工对象物的方式，调整所述加工对象物与所述等离子体枪的距离；以及 对所述加工对象物照射所述等离子体气体，而在所述加工对象物上形成膜。8.根据权利要求7所述的成膜方法，其特征在于调整所述加工对象物与所述等离子体枪的距离的所述步骤是:在照射所述等离子体气体的加工对象物上形成膜之前，根据所取得的所述温度分布及所述发光强度分布，以使所述等离子体气体的温度处于第I温度以上且第2温度以下的范围、及所述等离子体气体的发光强度处于第I发光强度以上且第2发光强度以下的范围的所述等离子体气体照射到所述加工对象物的方式，调整所述加工对象物与所述等离子体枪的距离。9.根据权利要求7或8所述的成膜方法，其特征在于是从所述等离子体枪喷出的所述等离子体气体的状态稳定之后，取得所述温度分布或所述发光强度分布。
【文档编号】C23C16/513GK105986252SQ201510555649
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年9月2日
【发明人】三田浩史, 南云英, 南云英一, 斋藤诚
【申请人】株式会社东芝