圆筒型的溅射靶、烧结体、成形体及其制造方法

圆筒型的溅射靶、烧结体、成形体及其制造方法
【专利摘要】本发明的目的在于提供应变小、强度高的圆筒型溅射靶及圆筒型成形体、圆筒型溅射靶、圆筒型烧结体、圆筒型成形体及其制造方法。或者，提供均质性高的圆筒型溅射靶、圆筒型烧结体、圆筒型成形体及其制造方法。本发明的一个实施方式的溅射靶具有圆筒型烧结体，圆筒型烧结体的相对密度为99.7％以上且99.9％以下。另外，圆筒型溅射靶具有隔着规定的间隔而相邻的多个圆筒型烧结体，相邻的多个圆筒型烧结体之间的相对密度之差可以为0.1％以下。
【专利说明】
圆筒型的溅射靶、烧结体、成形体及其制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及圆筒型溅射靶、圆筒型烧结体、圆筒型成形体及它们的制造方法。尤其是，涉及构成圆筒型溅射靶的圆筒型烧结体的密度。
【背景技术】
[0002]近年来，平板显示器(FHhFlat Panel Display)的制造技术、太阳能电池的制造技术快速地发展，大型的平板电视、太阳能电池的市场日益扩大。另外，随着这些市场的发展，为了降低产品的制造成本，正在推行玻璃基板的大型化。现今，正进行着用于所谓第8代的2200mmX2400mm尺寸的装置的开发。尤其是，在用于在大型的玻璃基板上形成金属薄膜或金属氧化物薄膜的靶装置中，逐渐使用圆筒型(也称为旋转型或回转型)溅射靶来取代以往的平板型溅射靶。与平板型溅射靶相比，圆筒型溅射靶具有如下优点:靶的使用效率高、腐蚀发生得少、因堆积物的剥离引起的颗粒发生得少。
[0003]如上所述，用于在大型的玻璃基板上形成薄膜的溅射装置所用的圆筒型溅射靶需要3000mm以上的长度。由于将这种长度的圆筒型溅射靶制造成一体并进行磨削加工要耗费制造成本，因此是不实用的。因此，通常将几十mm以上且几百mm以下的多个圆筒型烧结体相连接来构成圆筒型溅射靶。
[0004]在这里，不局限于如上所述的圆筒型的烧结体，但为了提高机械性强度以及提高使用了上述烧结体的薄膜的膜质，普通的烧结体被要求具有高密度。例如，专利文献I中公开了为了实现烧结体的高密度化，而尽可能提高形成烧结体之前的成形体的密度的技术。另外，如上所述，在连接了多个烧结体的溅射靶中，相邻的烧结体之间的密度之差(即烧结体密度的“固体间偏差”)会对溅射特性产生影响。
[0005](现有技术文献)
[0006](专利文献)
[0007]专利文献I:日本特开2014 — 040348号公报
[0008]然而，圆筒型烧结体与平板型烧结体相比，烧结时的收缩行为复杂，若收缩大则容易发生应变等。另外，还与平板型烧结体同样地，为了减少烧结时的收缩量，当制造高密度的成型体时，难以去除包含于内部的粘结剂等，无法收缩成所需的形状。

【发明内容】

[0009]本发明鉴于如上所述的问题而提出，其目的在于提供应变小、强度高的圆筒型溅射靶、圆筒型烧结体、圆筒型成形体及它们的制造方法。或者，本发明的目的在于提供均质性高的圆筒型溅射靶、圆筒型烧结体、圆筒型成形体及它们的制造方法。
[0010]本发明的一个实施方式的圆筒型溅射靶具有圆筒型烧结体，并且圆筒型烧结体的相对密度为99.7 %以上且99.9 %以下。
[0011]本发明的一个实施方式的用于圆筒型溅射靶的圆筒型烧结体的相对密度为99.7%以上且99.9%以下。
[0012]另外，在另一个实施方式中，圆筒型溅射靶可以为具有经由规定的间隔而相邻的多个圆筒型烧结体，相邻的多个圆筒型烧结体之间的相对密度之差为0.1%以下。
[0013]用于形成本发明的一个实施方式的圆筒型溅射靶中所使用的圆筒型烧结体的圆筒型成形体的相对密度为54.5%以上且58.0%以下。
[0014]另外，在另一个实施方式中，圆筒型成形体还可以利用10MPa以上且200MPa以下的冷等静压加压来形成。
[0015]根据本发明，可提供应变小、强度高的圆筒型溅射靶、圆筒型烧结体、圆筒型成形体及它们的制造方法。或者，可提供均质性高的圆筒型溅射靶、圆筒型烧结体、圆筒型成形体及它们的制造方法。
【附图说明】
[0016]图1为示出构成本发明的实施方式的圆筒型溅射靶的圆筒型烧结体的一例的立体图。
[0017]图2为示出本发明的实施方式的装配之后的圆筒型溅射靶的结构的一例的剖视图。
[0018]图3为示出本发明的实施方式的圆筒型烧结体的制造方法的工艺流程图。
[0019]图4为示出本发明的实施方式的圆筒型烧结体的制造方法中的圆筒型成形体的密度与圆筒型烧结体的密度之间的关系的图。
[0020](附图标记的说明)
[0021 ] 100:圆筒型溅射靶;110:圆筒型烧结体;120:间隔；
[0022]130:圆筒基材；140:焊料
【具体实施方式】
[0023]以下，参照附图，对本发明的圆筒型溅射靶及其制造方法进行说明。然而，本发明的圆筒型溅射靶及其制造方法能够以各种不同方式实施，并不解释为局限于以下示出的实施方式的记载内容。此外，在本实施方式中参照的附图中，对于相同部分或具有相同功能的部分标注相同的附图标记，并省略其的反复说明。
[0024]此外，在以下的说明中，以相对密度来表示成形体的密度及烧结体的密度。相对密度根据理论密度及测定密度，以相对密度=(测定密度/理论密度)X 100( % )来表示。所谓理论密度是指，从使用的原料计算出的密度的值，当称量原料，使它的组成为氧化铟为90%质量、氧化锡为10%质量时，以(In2O3的密度(g/cm3)X90+Sn02的密度(g/cm3)X10)/100来计算。Ιη2θ3的密度计算为7.18g/cm3，Sn02的密度计算为6.95g/cm3，可计算出理论密度为7.15(g/cm3)。另一方面，所谓测定密度为将重量除以体积的值。在成形体的情况下为使用实际测量尺寸计算的体积来进行计算。在烧结体的情况下根据阿基米德原理求出体积来进行计算。
[0025]此外，烧结体间之差表示上述相对密度之差。例如，相对密度为99.5 %的烧结体A与相对密度为99.6 %的烧结体B的相对密度之差计算为99.6%-99.5%=0.1%。若烧结体之间的成份相同，则理论密度相同，因此仅仅以求出相邻的烧结体的差，即可评价相邻的烧结体之间的密度的偏差。此时，将相邻的烧结体之间的差的最大值作为差来进行评价。本发明中的溅射靶可适用于由相同组成的烧结体排列而成的组合体。
[0026](实施方式)
[0027]利用图1至图4，说明本发明的实施方式的圆筒型溅射靶及圆筒型烧结体的结构。首先，利用图1及图2，对圆筒型溅射靶的概要进行说明。
[0028](圆筒型溅射靶的概要)
[0029]图1为示出构成本发明的实施方式的圆筒型溅射靶的圆筒型烧结体的一例的立体图。如图1所示，圆筒型溅射靶100具有中空结构的多个圆筒型烧结体110。上述多个圆筒型烧结体110经由规定的间隔相邻地配置。在这里，图1中为了便于说明，放大图示了相邻的圆筒型烧结体110的间隔。
[0030]在这里，优选地，圆筒型烧结体110的相对密度优选为99.7 %以上且99.9 %以下。另外，优选地，相邻的圆筒型烧结体IlOa与IlOb之间、或IlOb与IlOc之间的相对密度之差，即圆筒型烧结体110的固体之间的相对密度之差优选为0.1%以下。
[0031 ]另外，圆筒型烧结体110的厚度可为6.0mm以上且15.0mm以下。另外，圆筒型烧结体110的圆筒轴方向的长度可为150mm以上且380mm以下。另外，相邻的圆筒型烧结体110之间的圆筒轴方向的间隔可为0.2mm以上且0.5mm以下。另外，优选地，关于圆筒型烧结体110的表面粗糙度，平均面粗糙度(Ra)为0.5μπι以下。
[0032]圆筒型烧结体110的材料优选为氧化铟锡(IT0，IndiumTin Oxide)、氧化铟镓锌(IGZO，铟(Indium)-镓(Gal Iium)-锌(Zinc)-氧化物(Oxide))等的陶瓷类材料。
[0033]图2为示出本发明的实施方式的装配之后的圆筒型溅射靶的结构的一例的剖视图。如图2所示，装配之后的圆筒型溅射靶100中，在图1中示出的圆筒型烧结体110的中空部分配置有圆筒基材130。圆筒基材130和圆筒型烧结体110借助于焊料140而钎焊，相邻的圆筒型烧结体110经由间隔120而配置。
[0034]为了可高效率地释放在将靶材进行溅射时电子或离子与靶材发生冲突而产生的热量，圆筒基材130的材料可使用热导率高且具有可向靶材施加偏置电压的程度的导电性的金属材料。具体地，可使用T1、Cu、包含它们的合金及不锈钢(SUS)，作为可用于圆筒基材130的金属材料。
[0035]与圆筒基材130相同地，焊料140的材料可使用热导率高、具有导电性且在使圆筒基材130保持圆筒型烧结体110的方面具有充分的粘结力和强度的材料。然而，也可以为焊料140的热导率低于圆筒基材130的热导率的材料。另外，也可以为焊料140的导电性低于圆筒基材130的导电性的材料。可使用例如铟(In)、锡(Sn)及包含它们的合金来作为焊料140。
[0036]如上所述，根据本实施方式的溅射靶，通过使圆筒形烧结体的相对密度在如上所述的范围之内，可取得如下效果:提高圆筒型烧结体的机械性强度，降低使用了上述圆筒型烧结体的薄膜的杂质，提高膜密度。另外，分别使圆筒型烧结体的固体之间的相对密度之差在如上所述的范围之内，在具有多个圆筒型烧结体的圆筒型溅射靶中可抑制电场的应变。其结果，可在溅射时取得稳定的放电特性，可在超过I个圆筒型烧结体的尺寸的大型的基板上形成膜质的面内均匀性非常高的薄膜。
[0037][圆筒型烧结体的制造方法]
[0038]接着，利用图3，详细地说明本发明的圆筒型溅射靶的圆筒型烧结体的制造方法。图3为示出本发明的实施方式的圆筒型烧结体的制造方法的工艺流程图。在图3中，例示了氧化铟锡(ITO,Indium Tin Oxide)烧结体的制造方法，然而烧结体的材料不局限于ITO，还可用于IGZO等其他金属氧化物烧结体中。
[0039]首先，准备原料。用于混合的原料使用例如氧化物或合金等中含有的金属元素。原料可使用粉末状，并且可根据所针对的溅射靶的成份而适当选择。例如，在ITO的情况下，准备氧化铟的粉末及氧化锡的粉末(步骤S301及步骤S302)。通常，这些原料的纯度为2N(99%质量)以上，优选为3N(99.9%质量)以上，更优选为4N(99.99%质量)以上。若纯度低于2N，则存在如下问题:圆筒型烧结体中含有大量杂质，因此无法取得所需的物性(例如，透过率的减小、膜电阻的增加、局部性地含有异物时伴随电弧而产生颗粒)。
[0040]接着，将这些原料粉末粉碎并混合(步骤S303)。原料粉末的粉碎混合处理可利用干式法或湿式法，上述干式法利用氧化锆、氧化铝、尼龙树脂等的球或小珠，上述湿式法利用上述球或小珠的介质搅拌磨、无介质的容器旋转式、机械搅拌式、气流式。在这里，通常，湿式法与干式法相比，粉碎及混合能力优秀，因此，优选使用湿式法来进行混合。
[0041]对于原料成分无特别限定，然而，优选地，根据所针对的溅射靶的成分比进行适当调节。
[0042]在这里，使用细的粒径的原料粉末时，可使烧结体高密度化。另外，可强化粉碎条件来取得细的原料粉末，然而粉碎时使用的介质(氧化锆等)的混入量也增加，会导致产品内的杂质浓度上升。像这样，需要在考虑烧结体的高密度化和产品内的杂质浓度的平衡的同时，将粉碎时的条件设定于适当的范围内。
[0043]接着，将原料粉末的料浆进行干燥/造粒(步骤S304)。在这里，也可进行快速干燥造粒来使料浆快速干燥。快速干燥造粒也可使用喷雾干燥机并调节热风温度、风量。通过进行快速干燥造粒，可抑制因原料粉末的比重差引起的沉降速度的差异所导致的氧化铟粉末与氧化锡粉末分离的情况。通过像这样进行造粒，使配合成分的比例均匀化，原料粉末的可处理性提高。另外，在造粒前后可进行预烧成。
[0044]接着，将根据如上所述的混合及造粒的工序取得的混合物(设置有煅烧工序的情况下，进行煅烧的混合物)加压成形而形成圆筒型成形体(步骤S305)。根据上述工序，将所针对的溅射靶成形为适当的形状。作为成形处理，可例举模具成形、浇铸成形、注射成形等，优选地，为了取得圆筒型之类的复杂的形状，利用冷等静压(CIP)等进行成形。利用CIP成形时，首先将以规定的重量进行了秤量的原料粉向橡胶模具中填充。此时，一边摇晃或轻敲橡胶模具一边填充，从而可除去模具内的原料粉的填充不均匀或空隙。优选地，利用CIP成形的压力为10MPa以上且200MPa以下为宜。通过调节如上所述的成形的压力，在本实施方式中可形成具有54.5 %以上且58.0 %以下的相对密度的圆筒型成形体。更优选地，通过将CIP的成形压力调节为150MPa以上且180MPa以下，可取得55.0%以上且57.5%以下的相对密度的圆筒型成形体。
[0045]接着，烧结由成形工序取得的圆筒型成形体(步骤S306)。使用电炉进行烧结。烧结条件可根据烧结体的成分来适当选择，例如，如果是含有10 %质量的SnO2的ITO，则可在氧气气氛中，在1500 °C以上且1600 °C以下，以1小时以上且20小时以下的条件进行烧结。在烧结温度低于1500 0C时，靶材的密度降低。另一方面，在高于1600 °C时，对电炉或炉材料的损伤大，需要适时维护，据此工作效率明显降低。另外，在烧结时间短于10小时时，靶材的密度会降低，而在长于20小时时，烧结工序的保持时间加长，导致电炉的运转率恶化。另外，烧结工序中使用的氧气的消耗量及用于运转电炉的电力会增加。另外，烧结时的压力可以为大气压，也可以为减压或加压气氛。
[0046]在这里，在利用电炉进行烧结的情况下，可通过调节烧结的升温速度及降温速度，抑制裂纹的产生。具体地，烧结时的电炉的升温速度优选为300°C/小时以下，更优选地为180°C/小时以下。另外，烧结时的电炉的降温速度优选为600°C/小时以下。此外，还可以以阶段性地变化的方式调节升温速度或降温速度。
[0047]通过烧结工序，圆筒型成形体收缩，然而为了在所有材料共通地进入开始热收缩的温度区域之前使炉内的温度均匀，在升温的途中保持温度。由此，消除炉内的温度不均匀，使设置于炉内的所有的烧结体均匀地收缩。另外，按照各材料的每个来分别设定到达温度或保持时间的适当的条件，可取得稳定的烧结体密度。
[0048]接着，利用平面磨削盘、圆筒磨削盘、旋盘、切割机、多工序自动数字控制机床(machining center，加工中心)等的机械加工设备，将形成的圆筒型烧结体机械加工成为圆筒型的所需的形状(步骤S307)。进行机械加工，使得上述的圆筒型烧结体成为适合安装于靶装置的形状，并且成为所需的表面粗糙度。在这里，为了获得在溅射中不会发生电场集中而导致异常放电的程度的平坦性，圆筒型烧结体的平均面粗糙度(Ra)优选为0.5μπι以下。通过以上的工序，可取得高密度、均质性高的圆筒型烧结体。
[0049]接着，将进行了机械加工的圆筒型烧结体粘结于基材(步骤S308)。尤其是，在圆筒型派射革E的情况下，以焊料作为粘结剂，将圆筒型烧结体结合(bonding)于称为背衬管的圆筒型基材上。通过以上的工序，可取得使用了如上所述的圆筒型烧结体的圆筒型溅射靶。
[0050]如上所述，根据实施方式的圆筒型溅射靶的制造方法，通过使成型时的压力为10MPa以上且200MPa以下，可取得54.5%以上且58.0%以下的相对密度的圆筒型成形体，通过烧结该圆筒型成形体，可稳定地取得相对密度为99.7%以上且99.9%以下的非常高密度的圆筒型烧结体。进而，该圆筒型烧结体可以以高的再现性来制造，因此可使相邻的多个圆筒型烧结体之间的相对密度之差为0.1 %以下。
[0051]图4为示出本发明的实施方式的圆筒型烧结体的制造方法中，圆筒型成形体的密度与圆筒型烧结体的密度之间的关系的图。在图4中，横轴表示圆筒型成形体的密度，纵轴表示将该圆筒型成形体进行了烧结的圆筒型烧结体的密度。图4中的圆筒型成形体的成形条件为10MPa以上且200MPa以下，圆筒型烧结体的烧结条件为，烧结温度1560 °C，保持20小时。另外，密度评价使用了阿基米德法。
[0052]本发明人进行深入研究的结果发现，如图4所示，将圆筒型烧结体的密度以圆筒型成形体的密度的函数来表示的情况下，圆筒型烧结体的密度具有极大值。即，以往认为，为了取得高密度的圆筒型烧结体，需要形成尽量高的密度的圆筒型成形体，然而，明确的是，存在适合于用于取得更高密度的圆筒型烧结体的圆筒型成形体的密度范围。尤其是，为了降低用户使用时的电弧等不合格率，圆筒型烧结体的相对密度优选为99.7%以上，通过使圆筒型成形体的相对密度为54.5%以上且58.0%以下可取得99.7%以上的相对密度的圆筒型烧结体。
[0053][实施例]
[0054][实施例1]
[0055][圆筒型溅射靶的制造]
[0056]在实施例1中，对制造圆筒型ITO靶材(圆筒型烧结体)的方法进行说明。首先，作为原料粉末，准备了BET(Brunauer，Emmet and Teller’s equat1n)比表面积为4.0?6.0m2/g的4N的氧化铟和BET比表面积为4.0?5.7m2/g的4N的氧化锡。在这里，所谓BET方程比表面积为表示利用BET方程计算的表面积。所谓BET方程是指，将氮、氩、氪、一氧化碳等的气体分子吸附于固体粒子，根据吸附的气体分子的量来测定固体粒子的比表面积的气体吸附法。在这里，称量原料，使氧化铟为90%质量、氧化锡为10%质量。接着，利用湿式的球磨机，将这些原料粉末粉碎、混合。在这里，使用氧化锆球来作为粉碎介质。借助于喷雾干燥机，将混合了的料浆进行快速干燥造粒。
[0057]接着，利用CIP将由上述的造粒工序取得的混合物成形为圆筒型。CIP成形时的压力为150MPa。
[0058]由上述的成形工序取得的圆筒型成形体的各个参数为如下。
[0059]?圆筒外径(直径):190mm
[0060]?圆筒内径(直径):159mm[0061 ] ?圆筒轴方向长度:280mm
[0062].成形体密度:4.00g/cm3
[0063]?成形体的相对密度:55.9%
[0064]此外，圆筒型成形体的相对密度由圆筒型成形体的尺寸及重量计算。
[0065]接着，利用电炉，将通过CIP取得的圆筒型成形体进行了烧结。烧结的条件如下。
[0066]?升温速度:300 °C/小时
[0067].高温保持温度:1560°C
[0068].高温保持时间:20小时
[0069]?烧结时气氛:氧气气氛
[0070]?烧结时压力:大气压
[0071]由上述的烧结工序取得的圆筒型烧结体的各个参数如下。
[0072]?圆筒外径(直径):157mm
[0073]?圆筒内径(直径):l3lmm
[0074].圆筒轴方向长度:230mm
[0075]?烧结体密度:7.131g/cm3
[0076].烧结体的相对密度:99.7 %
[0077]S卩，圆筒型成形体的基于烧结工序的收缩率为80%。另外，实施例1的多个圆筒型烧结体之间的相对密度之差为0.03%。此外，圆筒型烧结体的相对密度的评价方法利用了阿基米德法来测定了密度。
[0078]接着，利用圆筒磨削机，将通过上述的烧结取得的圆筒型烧结体进行机械加工，形成了圆筒型烧结体。机械加工之后的圆筒型烧结体的表面粗糙度为Ra = 0.35μπι。此外，利用表面粗糙度仪(日本三丰株式会社制造，型号:SJ301)来进行了表面粗糙度的测定。
[0079]接着，通过将通过机械加工形成的2个圆筒型烧结体接合(bonding)于背衬管，形成了圆筒型溅射靶。此时，接合的2个圆筒型烧结体的相对密度之差为0.1%以下。在此，背衬管的各个参数为如下。
[0080]?材质:Ti[0081 ] ?圆筒外径(直径):133mm
[0082].圆筒轴方向长度:300mm
[0083][圆筒型溅射靶的评价]
[0084]利用通过如上所述的方法制造的圆筒型溅射靶，在以下的条件下进行了放电试验。具体地，进行了靶材使用率、是否产生节瘤及产生频度的评价、是否发生异常放电及产生频度的评价、靶材表面的裂纹评价。利用肉眼检查来进行了这些评价。
[0085].氩气流量:300sccm
[0086]?腔室压力:0.5Pa
[0087].功率密度:4.0ff/cm2
[0088].成膜温度:200 Γ (或“室温”)
[0089]将通过实施例1中记载的方法制造的圆筒型溅射靶，在如上所述的条件中进行了放电试验，最终，靶材使用率为使用至65%，并且未发生节瘤及异常放电，也未发现靶材表面的裂纹。
[0090][实施例2]
[0091]在实施例2中，说明对具有与实施例1不同的相对密度的圆筒型成形体进行了烧结的圆筒型烧结体。实施例2的CIP成形的压力及成形体密度以外的参数与实施例1相同，因此省略说明。在实施例2中，由与实施例1相同的造粒工序取得的混合物，利用CIP成形为圆筒型。CIP成形时的压力为170MPa。在实施例2中，圆筒型成形体的密度为4.05g/cm3，成形体的相对密度为56.6%。
[0092]利用与实施例1相同的工序，将如上所述的圆筒型成形体进行烧结而取得的圆筒型烧结体的密度为7.131g/cm3，且烧结体的相对密度为99.7%。另外，实施例2的多个圆筒型烧结体之间的相对密度之差为0.04%。
[0093]利用与实施例1相同的工序，将如上所述的圆筒型烧结体进行机械加工来制造圆筒型溅射靶，并且通过与实施例1相同的方法，利用上述圆筒型溅射靶进行了放电试验，最终，与实施例1相同地，靶材使用率为使用至65 %，未发生节瘤及异常放电，也未发现靶材表面的裂纹。
[0094][实施例3]
[0095]在实施例3中，说明对具有与实施例1不同的相对密度的圆筒型成形体进行了烧结的圆筒型烧结体。实施例3的CIP成形的压力及成形体密度以外的参数，与实施例1相同，因此省略说明。在实施例3中，由与实施例1相同的造粒工序取得的混合物，利用CIP成形为圆筒型。CIP成形时的压力为180MPa。在实施例3中，圆筒型成形体的密度为4.11g/cm3，成形体的相对密度为57.5%。
[0096]利用与实施例1相同的工序，将如上所述的圆筒型成形体进行烧结而取得的圆筒型烧结体的密度为7.131g/cm3，烧结体的相对密度为99.7%。另外，实施例3的多个圆筒型烧结体之间的相对密度之差为0.06%。
[0097]将如上所述的圆筒型烧结体利用与实施例1相同的工序进行机械加工而制造了圆筒型溅射靶，利用上述圆筒型溅射靶，通过与实施例1相同的方法进行了放电试验，最终，与实施例1相同地，靶材使用率为使用至65%，未发生节瘤及异常放电，也未发现靶材表面的裂纹。
[0098]以下对如上所述的实施例1至3中示出的圆筒型成形体及圆筒型烧结体的比较例进行说明。在以下的比较例中，对将具有与实施例1不同的相对密度的圆筒型成形体进行了烧结的圆筒型烧结体进行说明。以下的比较例的CIP成形的压力、成形体密度及烧结体密度以外的参数与实施例1相同，因此省略说明。
[0099][比较例I]
[0100]在比较例I中，以400MPa的压力进行了CIP成形。比较例I的圆筒型成形体的密度为4.40g/cm3，成形体的相对密度为61.5%。利用与实施例1相同的工序，将如上所述的圆筒型成形体进行烧结而取得的圆筒型烧结体的密度为7.107g/cm3，且烧结体的相对密度为99.4%。使用利用了上述圆筒型烧结体的圆筒型溅射靶进行了如上所述的放电试验，结果，当靶材使用率为65%时，发现了节瘤及电弧的发生。
[0101][比较例2]
[0102]在比较例2中，以300MPa的压力进行了CIP成形。比较例2的圆筒型成形体的密度为4.30g/cm3，成形体的相对密度为60.1 %。利用与实施例1相同的工序，将如上所述的圆筒型成形体进行烧结而取得的圆筒型烧结体的密度为7.107g/cm3，烧结体的相对密度为99.4%。使用利用了上述圆筒型烧结体的圆筒型溅射靶进行了如上所述的放电试验，结果，当靶材使用率为65%时，发现了节瘤及电弧的发生。
[0103][比较例3]
[0104]在比较例3中，以78.5MPa的压力进行了CIP成形。比较例3的圆筒型成形体的密度为3.79g/cm3，成形体的相对密度为53.1 %。利用与实施例1相同的工序，将如上所述的圆筒型成形体进行烧结而取得的圆筒型烧结体的密度为7.121g/cm3，烧结体的相对密度为99.6%。使用利用了上述圆筒型烧结体的圆筒型溅射靶进行了如上所述的放电试验，结果，当靶材使用率为65%时，发现了节瘤及电弧的发生。
[0105]此外，本发明不局限于如上所述的实施方式，在不脱离宗旨的范围内，可进行适当变更。
【主权项】
1.一种圆筒型溅射靶，其特征在于，具有隔着间隔而相邻的多个氧化铟锡或氧化铟镓锌的圆筒型烧结体， 上述圆筒型烧结体的相对密度为99.7%以上且99.9%以下， 相邻的多个上述圆筒型烧结体之间的相对密度之差为0.1 %以下。2.一种圆筒型溅射靶的制造方法，其特征在于，烧结相对密度为54.5 %以上且58.0 %以下的多个氧化铟锡或氧化铟镓锌的圆筒型成形体，将相对密度为99.7%以上且99.9%以下的多个圆筒型烧结体相邻地配置，其中，相邻的多个上述圆筒型烧结体之间的相对密度之差为0.1%以下。3.根据权利要求2所述的圆筒型溅射靶的制造方法，其特征在于，上述圆筒型成形体通过10MPa以上且200MPa以下的冷等静压加压来形成。4.一种圆筒型烧结体的制造方法，用于制造用于圆筒型溅射靶的氧化铟锡或氧化铟镓锌的圆筒型烧结体，其特征在于，通过烧结相对密度为54.5%以上且58.0%以下的圆筒型成形体，形成相对密度为99.7%以上且99.9%以下的上述圆筒型烧结体。5.根据权利要求4所述的圆筒型烧结体的制造方法，其特征在于，上述圆筒型成形体通过10MPa以上且200MPa以下的冷等静压加压来形成。6.—种圆筒型成形体，为氧化铟锡或氧化铟镓锌的圆筒型成形体，其相对密度为54.5%以上且58.0%以下，用于形成在圆筒型溅射靶中使用的圆筒型烧结体。7.一种圆筒型成形体的制造方法，其特征在于，通过10MPa以上且200MPa以下的冷等静压加压，形成相对密度为54.5%以上且58.0%以下的、在圆筒型溅射靶中使用的氧化铟锡或氧化铟镓锌的圆筒型烧结体。8.一种圆筒型溅射靶的制造方法，其特征在于， 通过10MPa以上且200MPa以下的冷等静压加压，形成氧化物圆筒型成形体， 通过烧结上述氧化物圆筒型成形体，形成氧化物圆筒型烧结体。9.根据权利要求8所述的圆筒型溅射靶的制造方法，其特征在于，上述氧化物圆筒型成形体包含氧化铟锡。10.根据权利要求8所述的圆筒型溅射靶的制造方法，其特征在于，上述氧化物圆筒型成形体包含氧化铟镓锌。11.根据权利要求8所述的圆筒型溅射靶的制造方法，其特征在于，借助于上述冷等静压加压来形成相对密度为54.5%以上且58.0%以下的上述氧化物圆筒型成形体。12.—种圆筒型成形体的制造方法，其特征在于，通过10MPa以上且200MPa以下的冷等静压加压来形成氧化物圆筒型成形体。13.根据权利要求12所述的圆筒型成形体的制造方法，其特征在于，上述氧化物圆筒型成形体包含氧化铟锡。14.根据权利要求12所述的圆筒型成形体的制造方法，其特征在于，上述氧化物圆筒型成形体包含氧化铟镓锌。
【文档编号】C23C14/34GK106011754SQ201610154405
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年3月17日
【发明人】山口洋平
【申请人】Ｊｘ金属株式会社