一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法
【专利摘要】本发明提供了一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法，包括以下步骤：A)将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni源进行沉积，得到沉积有Ni源的衬底，所述Ni源包括具有式I所示结构的化合物；B)将气相还原剂以脉冲形式通入反应腔，对沉积在衬底上的Ni源进行还原，得到沉积有Ni薄膜的衬底。本发明采用了具有式I结构的Ni源，将其应用在单原子层沉积技术(ALD)中，使得能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的含Ni沉积层。并且，采用本发明中的方法制得的Ni膜电阻率更低，实验结果表明，本发明制得的Ni薄膜电阻率在13～24μΩ·cm。
【专利说明】
-种单原子层沉积技术生长含N i薄膜的方法
技术领域
[0001] 本发明属于半导体制备技术领域，尤其设及一种单原子层沉积技术生长含Μ薄膜 的方法。
【背景技术】
[0002] Μ金属娃化物作为接触材料在CMOS(互补金属氧化物半导体)器件源漏技术中获 得广泛应用。作为接触金属，Μ娃化物(Ni-silicide)具有电阻率低，连续、均匀等突出优 点。传统的Ni娃化物都是采用PVD(化ysical Vapor 0日9〇3；[1:;[0]1，物理气相沉积)技术淀积 一层Ni金属，再通过热退火使Ni与娃反应生成娃化物。
[0003] 由于微电子和深亚微米忍片技术的发展要求器件和材料的尺寸不断降低，而器件 中的高宽比不断增加，运样所使用材料的厚度降低至几个纳米数量级。当CMOS器件尺寸持 续微缩到16/14纳米及其W下技术节点，娃化物技术有了很大改进，将采用后娃化物接触技 术。具体地说，就是先形成接触孔或接触沟槽，再在孔或沟槽中淀积金属的办法，该技术只 在接触底部形成娃化物。在运种情况下，传统的PVD方法沉积Ni形成金属娃化物已不能满足 需求。特别是当源漏区的娃材料为Fin或纳米线的时候，PVD方法沉积形成的Μ娃化物沉积 层很难成型。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的在于提供一种单原子层沉积技术生长金属Ni的方法，本发明中的方 法能够在纳米级的半导体器件上沉积形成含Ni沉积层。
[0005] 本发明提供一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法，包括W下步骤：
[0006] A)将半导体衬底置于反应腔中，在真空条件下，W脉冲形式向反应腔中通入气相 Ni源进行沉积，得到沉积有Ni源的衬底，所述Ni源包括具有式I所示结构的化合物：
[0007]
[000引 B)将气相还原剂W脉冲形式通入反应腔，对沉积在衬底上的Μ源进行还原，得到 沉积有含Ni薄膜的衬底。
[0009]优选的，所述步骤A)中W脉冲形式向反应腔中通入气相Ni源的单个脉冲的持续时 间为0.05~20s。
[0010] 优选的，所述步骤A)中两个脉冲之间的间隔时间为0.5~30s。
[0011] 优选的，所述步骤A)中的沉积的溫度为125~400°C。
[0012] 优选的，所述气相Ni源在载气存在条件下W脉冲形式通入；
[0013] 所述载气的流量为10~200sccm。
[0014] 优选的，所述步骤B)中气相还原剂包括此、畑3、B2化、单烷基棚烧、氨基棚烧、醇类、 阱类、烷基侣、氨基侣烧类和烷基锋中的一种或几种。
[0015] 优选的，所述步骤B)中将气相还原剂W脉冲形式通入反应腔的单个脉冲的持续时 间为0.01~20s。
[0016] 优选的，所述步骤B)中两个脉冲之间的间隔时间为0.5~30s。
[0017] 优选的，所述步骤B)中气相还原剂在载气存在的条件下W气相脉冲形式通入；
[001引所述载气的流量为10~200sccm。
[0019]优选的，所述半导体衬底包括娃、氧化娃、氮化娃、Ta财P蓝宝石中的一种或几种。
[0020] 本发明提供了一种单原子层沉积技术生长含Μ薄膜的方法，包括W下步骤:A)将 衬底置于反应腔中，在真空条件下，W脉冲形式向反应腔中通入气相Ni源进行沉积，得到沉 积有Μ源的衬底，所述Ni源包括具有式I所示结构的化合物;B)将气相还原剂W脉冲形式通 入反应腔，对沉积在衬底上的Μ源进行还原，得到沉积有Μ薄膜的衬底。本发明采用了具有 式I结构的Μ源，将其应用在单原子层沉积技术(ALD)中，使得能够在纳米级的半导体器件 上沉积形成保型性较好的含Μ沉积层。该Μ源(Ni(acac)2(TMEDA))的挥发性好、热分解溫 度高、并且成本低，因此能够适用于较高溫度的单原子层沉积(ALD)过程，制得保型性较好 的含Μ沉积层。并且，采用本发明中的方法制得的Μ膜电阻率更低，实验结果表明，本发明 制得的Ni薄膜电阻率在13~2化Ω .cm。
【附图说明】
[0021] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可W根据 提供的附图获得其他的附图。
[0022] 图 1 为Ni(acac)2(TMEDA)、NiCp2 与 Ni(acac)2 的热分解图；
[0023] 图2为本发明实施例1中的Ni薄膜的SEM图片。
【具体实施方式】
[0024] 本发明提供了一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法，包括W下步骤：
[0025] A)将衬底置于反应腔中，在真空条件下，W脉冲形式向反应腔中通入气相Μ源进 行沉积，得到沉积有Ni源的衬底，所述Ni源包括具有式I所示结构的化合物：
[0026]
[0027] B)将气相还原剂W脉冲形式通入反应腔，对沉积在衬底上的Ni源进行还原，得到 沉积有含Ni薄膜的衬底。
[0028] 本发明将衬底置于反应腔中，在真空条件下，W脉冲形式向反应腔中通入气相Μ 源进行沉积，得到沉积有Ni源的衬底，本发明优选先将所述需要沉积含Ni薄膜的衬底进行 清洗，得到预处理的衬底。在本发明中，优选使用工业界标准清洗，如，使用SPM化2S化/出化） 溶液去除衬底表面的有机沾污，使用APM(NH40H/此〇2)溶液去除衬底表面的颗粒沾污，采用 稀释的HF溶液漂洗去除衬底表面的自然氧化层。在实际应用中，不限于此种清洗方法，也可 视实际应用使用其它清洗方法，如丙酬-异丙醇清洗等。
[0029] 得到预处理的衬底后，本发明优选将预处理的衬底放入原子层沉积设备的传片腔 并抽真空，实现沉积所需的真空环境，达到要求的真空度后，再传入反应腔，W避免空气中 的水氧扩散至反应腔影响金属膜的生长。为了进一步的保证原子层沉积设备中各管路及腔 体内无水氧残留，在放置衬底前，本发明优选对原子层沉积设备的管路及反应腔体进行抽 空或预长膜处理。
[0030] 在本发明中，衬底优选包括娃、氧化娃、氮化娃、TaN和蓝宝石中的一种或几种;所 述气相化源包括具有式1所示结构的化合物，该化合物化学式为:化（日。日(3)2巧1日04)，本发 明对具有式I所示结构的Μ源化合物的来源没有特殊的限制，可W按照参考文献化urnal of O;rganometailic Qiemistry,355( 1988)525-532.进行合成。
[0031] 本发明优选对所述Ni源进行加热，使之气化，得到气相Ni源，所述对Ni源加热的溫 度优选为25~200°C，更优选为50~180°C，具体的，可W是90°C、120°C、150°C或180°C。
[0032]
[0033] 化（acac)2(TMEDA)较常用Ni源如二茂儀NiCp2与乙酷丙酬儀Ni(acac)2,具有如下 优势：
[0034] (1)挥发性与NiCp2相仿但明显优于Ni (acac )2，且成本要远低于NiCp2;
[0035] (2)热分解溫度远高于Ni(acac)2,参见图1，图1为Ni(acac)2(TMEDA)、NiCp2与Ni (acac)2的热分解图。由图1可W看出，Ni(acac)2在120°C发生分解，NiCp2在172°C开始分解， 而本申请中的Ni (acac) 2 (TMEDA)热分解溫度大于300 °C (经测试，300 °C下Ni (acac) 2 (TMEDA) 未发生分解）；因此Ni(acacMTMEDA)能够适用于较高溫度的ALD过程。
[0036] (3)对空气湿度敏感程度低，易于存储及运输。
[0037] 在本发明中，所述气相Μ源的单个脉冲的持续时间优选为0.05~20s，更优选为1 ~18s，最优选为3~15s，具体的，在本发明的实施例中，可W是13、53、83、123或163;所述气 相Ni源两个脉冲之间的间隔时间优选为0.5~30s，更优选为1~25s，最优选为5~20s，具体 的，在本发明的实施例中，可W是5s、10s、15s、20s或25s;所述沉积的溫度优选为125~400 °C，更优选为150~350°C，最优选为200~300°C，具体的，在本发明的实施例中，可W是150 °C、200°C、25(rC、30(rC或350°C;所述气相Ni源的的载气优选为高纯氮气或高纯氣气，所述 载气的流量优选为10~200sccm，更优选为20~leOsccm，最优选为60~120sccm，具体的，可 W是20sccm、90sccm、120sccm、160sccm或60sccm。
[0038] 完成一次Ni源的沉积后，本发明优选采用高纯氮气或高纯氣气对反应腔体进行吹 扫清洗，清洗的时间优选为5~50s，更优选为10~45s，最优选为15~40s。
[0039] 然后，本发明将气相还原剂W相脉冲形式通入反应腔内，对沉积在衬底上的Ni源 进行还原，得到沉积有含Ni薄膜的衬底，在本发明中，所述还原剂优选包括此、N曲、B抽6、单 烷基棚烧、氨基棚烧、醇类、阱类、烷基侣、氨基侣烧类和烷基锋中的一种或几种，更优选包 括此、畑3、B2此、单烷基棚烧（RiB此或R1R2BH)、氨基棚烧（R1R2HN · B曲或R1R2R3N · B曲）、醇类 (RiOH)、阱类（RiNHN出或化出）、烷基侣（AIR1R2R3)、氨基侣烧类（R1R2R3N · A1出）和烷基锋 (化RiR2)中的一种或几种其中化，R2，R3为C1~CIO控基，且S者可W相同也可W不同，不同物 质中的Ri可W相同也可W不同，如RiOH和RiNHN出中的Ri可W相同也可W不同。具体的，在本 发明的实施例中，还原剂可采用化Η4、Μθ2ΝΗ · B出、C出0Η、Α1Μθ3或Z址t2。本发明优选将所述 还原剂加热，使之气化，形成气态的还原剂。所述加热还原剂的溫度优选为25~150°C，更优 选为40~140°C，具体的，在本发明的实施例中，可W是60°C、90°C、25°C或85°C。
[0040] 在本发明中，所述通入还原剂的单个脉冲的持续时间优选为0.01~20s，更优选为 1~15s，更优选为5~10s，具体的，在本发明的实施例中，可W是10s、ls、20s、15s或5s;所述 通入还原剂两个脉冲之间的间隔时间优选为0.5~30s，更优选为1~25s，最优选为5~20s， 具体的，在本发明的实施例中，可W是153、53、1〇3、253或2〇3。所述气相还原剂的载气优选 为高纯氮气或高纯氣气，所述载气的流量优选为10~200sccm，更优选为20~leOsccm，最优 选为 60 ~120sccm。
[0041] 完成一次还原后，本发明优选采用高纯氮气或高纯氣气对反应腔体进行吹扫清 洗，所述清洗的时间优选为5~50s，更优选为10~45s，最优选为15~40s。
[0042] 本发明优选重复上述气相Ni源沉积-吹扫清洗-气相还原剂还原-吹扫清洗运一过 程，重复循环的次数视实际需求而定，在本发明中，所述循环的次数优选为300~4500次，更 优选为1000~3000次，具体的，在本发明的实施例中，可W是300次、1000次、1500次、3000次 或4500次。
[0043] 本发明中的方法，不仅适用于单独使用具有式I结构的化合物Ni(acac)2(TMEDA) 为Ni源前驱体原料制备金属Ni薄膜材料，还能够将其与其他物质搭配用于Ni的氧化物、Ni 的氮化物或者Ni合金薄膜的生长。
[0044] 本发明提供的单原子层沉积技术(ALD)生长含有Ni薄膜的方法具有W下优点：
[0045] (l)Ni源前驱体Ni(acac)2(TMEDA)的挥发性与NiCp2相仿但明显优于Ni(acac)2,且 成本要远低于NiCp2;热分解溫度远高于Ni(acac)2,因此Ni(acac)2(TMEDA)能够适用于较高 溫度的ALD过程;对空气湿度敏感程度低，易于存储及运输。
[0046] (2)Ni(acac)2(TMEDA)能够与多种液态还原剂进行成膜，相对于现有报道的出或者 N出更方便、更安全；
[0047] (3)所制备得到的Ni膜电阻率更低；
[004引（4)对多种衬底如娃、氧化娃、氮化娃、TaN、蓝宝石等均表现出兼容性。
[0049]为了进一步说明本发明，W下结合实施例对本发明提供的一种单原子层沉积技术 生长含Ni薄膜的方法进行详细描述，但不能将其理解为对本发明保护范围的限定。
[(K)加]实施例1
[0051 ] 一种WNi(acac)2(TMEDA)为Ni源，W化此为还原剂的Ni薄膜原子层沉积方法，包括 W下过程：
[00对 1) WSi为衬底，沉积溫度为250C，Ni源Ni (acac)2(TM抓A)的加热溫度为90C，使 之气化，W高纯氮气为载气，通入气相Ni源Ni(acacMTMEDA)，载气流量为20sccm。脉冲时 间为12s，等待时间为10s;
[0053] 2)完成一个脉冲后使用高纯氮气进行清洗，清洗时间为25s;
[0054] 3)还原剂化此加热溫度为60°C，使之气化，W高纯氮气为载气，载气流量为eOsccm， W脉冲形式通入N2H4。脉冲时间为5s，等待时间为15s;
[0055] 4)完成一个还原剂脉冲后采用高纯氮气进行清洗，清洗时间为15s。
[0056] 将上述1)~4)步骤重复循环300次，所得Ni薄膜厚度为9皿，采用四探针法测试电 阻率为2化Ω · cm。
[0057] 本发明对本实施例得到的Ni薄膜进行扫描电镜测试，结果如图2所示，图2为本发 明实施例1中的Ni薄膜的SEM图片，由图2可W看出，本实施例得到的Ni薄膜的保型性较好。 [0化引实施例2
[0059] 一种WNi(acac)2(TMEDA)为Ni源，WMesNH · B曲为还原剂的Ni薄膜原子层沉积方 法，包括W下过程：
[0060] 1似Si〇2为衬底，沉积溫度为300°C，Ni源Ni(acacMTMEDA)的加热溫度为150°C， 使之气化，W高纯氣气为载气，通入气相Ni源Ni(acac)2(TMEDA)，载气流量为90sccm。脉冲 时间为5s，等待时间为20s;
[0061] 2)完成一个脉冲后使用高纯氣气进行清洗，清洗时间为45s;
[0062] 3)还原剂MesNH · B出加热溫度为90°C，使之气化，W高纯氣气为载气，载气流量为 lOsccm，W脉冲形式通入MesNH · B出。脉冲时间为15s，等待时间为5s;
[0063] 4)完成一个还原剂脉冲后采用高纯氮气进行清洗，清洗时间为35s。
[0064] 将上述1)~4)步骤重复循环1000次，所得Ni薄膜厚度为17nm，采用四探针法测试 电阻率为1化Ω · cm。
[00化]实施例3
[0066] 一种WNi(acac)2(TMEDA)为Ni源，WC曲OH为还原剂的Ni薄膜原子层沉积方法，包 括W下过程：
[0067] 1似氮化娃为衬底，沉积溫度为350°C，化源Ni(acacMTMEDA)的加热溫度为120 °C，使之气化，W高纯氣气为载气，通入气相Μ源Ni(acac)2(TMEDA)，载气流量为120sccm。 脉冲时间为8s，等待时间为5s;
[0068] 2)完成一个脉冲后使用高纯氣气进行清洗，清洗时间为15s;
[0069] 3)还原剂CH3OH加热溫度为25 °C，使之气化，W高纯氣气为载气，载气流量为 160SCcm，W脉冲形式通入C出0H。脉冲时间为20S，等待时间为10S;
[0070] 4)完成一个还原剂脉冲后采用高纯氮气进行清洗，清洗时间为5s。
[0071] 将上述1)~4)步骤重复循环3000次，所得Ni薄膜厚度为19nm，采用四探针法测试 电阻率为1化Ω · cm。
[0072] 实施例4
[007；3] -种WNi(acac)2(TMEDA)为Ni源，WAlMes为还原剂的Ni薄膜原子层沉积方法，包 括W下过程：
[0074] 1)W蓝宝石为衬底，沉积溫度为150°C，Ni源Ni(acac)2(TM抓A)的加热溫度为60 °C，使之气化，W高纯氮气为载气，通入气相Μ源Ni(acac)2(TMEDA)，载气流量为leOsccm。 脉冲时间为16s，等待时间为25s;
[0075] 2)完成一个脉冲后使用高纯氮气进行清洗，清洗时间为10s;
[0076] 3)还原剂Α1Μθ3加热溫度为60°C，使之气化，W高纯氮气为载气，载气流量为 120sccm，W脉冲形式通入Α1ΜΘ3。脉冲时间为Is,等待时间为化S;
[0077] 4)完成一个还原剂脉冲后采用高纯氮气进行清洗，清洗时间为45s。
[0078] 将上述1)~4)步骤重复循环4500次，所得Ni薄膜厚度为20nm，采用四探针法测试 电阻率为1化Ω · cm。
[0079] 实施例5
[0080] 一种WNi(acac)2(TMEDA)为Ni源，WZ址t2为还原剂的Ni薄膜原子层沉积方法，包 括W下过程：
[0081 ] 1似TaN为衬底，沉积溫度为200°C，Ni源Ni(acac)2(TMEDA)的加热溫度为180°C， 使之气化，W高纯氮气为载气，通入气相Ni源Ni(acac)2(TMEDA)，载气流量为eOsccm。脉冲 时间为Is,等待时间为15s;
[0082] 2)完成一个脉冲后使用高纯氮气进行清洗，清洗时间为35s;
[0083] 3)还原剂ZnEt2加热溫度为85 °C，使之气化，W高纯氮气为载气，载气流量为 90sccm，W脉冲形式通入化化2。脉冲时间为10S，等待时间为20S;
[0084] 4)完成一个还原剂脉冲后采用高纯氮气进行清洗，清洗时间为25s。
[0085] 将上述1)~4)步骤重复循环1500次，所得Ni薄膜厚度为16nm，采用四探针法测试 电阻率为1化Ω · cm。
[0086] W上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人 员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可W做出若干改进和润饰，运些改进和润饰也应 视为本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法，包括以下步骤： A) 将半导体衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni源 进行沉积，得到沉积有Ni源的衬底，所述Ni源包括具有式I所示结构的化合物：B) 将气相还原剂以脉冲形式通入反应腔，对沉积在衬底上的Ni源进行还原，得到沉积 有含Ni薄膜的衬底。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A)中以脉冲形式向反应腔中通入 气相Ni源的单个脉冲的持续时间为0.05~20s。3. 根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤A)中两个脉冲之间的间隔时间为 0.5~30s〇4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A)中的沉积的温度为125~400 cC。5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气相Ni源在载气存在条件下以脉冲形 式通入； 所述载气的流量为10~200sccm。6. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤B)中气相还原剂包括H2、NH3、B 2H6、 单烷基硼烷、氨基硼烷、醇类、肼类、烷基铝、氨基铝烷类和烷基锌中的一种或几种。7. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤B)中将气相还原剂以脉冲形式通 入反应腔的单个脉冲的持续时间为〇. 01~20s。8. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤B)中两个脉冲之间的间隔时间为 0.5~30s〇9. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤B)中气相还原剂在载气存在的条 件下以气相脉冲形式通入； 所述载气的流量为10~200sccm。10. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底包括硅、氧化硅、氮化硅、 TaN和蓝宝石中的一种或几种。
【文档编号】C23C16/455GK106011778SQ201610424181
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年6月15日
【发明人】丁玉强, 杜立永, 张羽翔, 赵超, 项金娟
【申请人】中国科学院微电子研究所, 江南大学