一种真空蒸发镀膜装置的制造方法
【专利摘要】本发明属于金属镀膜技术领域，尤其涉及一种真空蒸发镀膜装置，包括镀膜装置、真空装置、蒸发装置，所述镀膜装置包括基板加热器、基板、薄膜，所述真空装置包括钟罩、真空腔、排气系统，所述蒸发装置包括蒸发源和膜材，本发明解决了附着力较小、不容易获得结晶结构、工艺重复性差的问题，具有提高装置的实用性、蒸发高熔点材料、提高了薄膜的纯度和质量、热效率高，热传导和热辐射损失小、适用于真空蒸发镀膜技术领域的有益技术效果。
【专利说明】
一种真空蒸发镀膜装置
技术领域
[0001]本发明属于金属镀膜技术领域，尤其涉及一种真空蒸发镀膜装置。
【背景技术】
[0002]—种由物理方法产生薄膜材料的技术，在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。此项技术最先用于生产光学镜片，如航海望远镜镜片等。后延伸到其他功能薄膜，唱片镀铝、装饰镀膜和材料表面改性等，如手表外壳镀仿金色，机械刀具镀膜，改变加工红硬性，现有技术存在附着力较小、不容易获得结晶结构、工艺重复性差的问题。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种真空蒸发镀膜装置，以解决上述【背景技术】中提出附着力较小、不容易获得结晶结构、工艺重复性差的问题。
[0004]本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:一种真空蒸发镀膜装置，包括镀膜装置、真空装置、蒸发装置，所述镀膜装置包括基板加热器、基板、薄膜，所述真空装置包括钟罩、真空腔、排气系统，所述蒸发装置包括蒸发源和膜材，所述蒸发源包括膜材容器和设置于膜材容器内的膜材加热器，所述真空装置内顶端设置的镀膜装置经真空装置连接于其底端设置蒸发装置，设置于钟罩内的真空腔的自顶端向下依次设置基板加热器、基板、薄膜，其底端设置膜材容器，所述基板加热器经基板连接于薄膜，所述钟罩经真空腔贯通于排气系统，所述膜材加热器经膜材容器连接于膜材，设置于膜材容器内的膜材经膜材加热器加热为膜材蒸气，所述膜材蒸气蒸发于基板下的薄膜。
[0005]进一步，所述膜材容器为水冷坩祸。
[0006]进一步，所述膜材加热器包括电子枪加热器。
[0007]进一步，所述电子枪加热器包括电磁线圈，所述电磁线圈正极连接于电子发射极，其负极分别连接于正离子收集极和散射电子接收极。
[0008]进一步，所述电子发射极和正离子收集极之间设置屏蔽板。
[0009]进一步，所述电子发射极发射电子于水冷坩祸内的膜材，所述散射电子接收极接收散射电子，所述正离子收集极接收水冷坩祸内的膜材的正离子。
[0010]进一步，所述水冷坩祸上方设置等离子体。
[0011]本发明的有益效果为:
1、本专利采用包括镀膜装置、真空装置、蒸发装置，所述镀膜装置包括基板加热器、基板、薄膜，所述真空装置包括钟罩、真空腔、排气系统，所述蒸发装置包括蒸发源和膜材，所述蒸发源包括膜材容器和设置于膜材容器内的膜材加热器，所述真空装置内顶端设置的镀膜装置经真空装置连接于其底端设置蒸发装置，设置于钟罩内的真空腔的自顶端向下依次设置基板加热器、基板、薄膜，其底端设置膜材容器，所述基板加热器经基板连接于薄膜，所述钟罩经真空腔贯通于排气系统，所述膜材加热器经膜材容器连接于膜材，设置于膜材容器内的膜材经膜材加热器加热为膜材蒸气，所述膜材蒸气蒸发于基板下的薄膜的技术手段，由于真空蒸发镀膜在真空室中，加热蒸发器中待形成薄膜的材料，使其原子或分子从表面汽化溢出，形成蒸汽流，入射到基板表面，凝固成固态薄膜，解决了附着力较小、不容易获得结晶结构、工艺重复性差的问题，提高装置的实用性。
[0012]2、本专利采用所述电子枪加热器包括电磁线圈，所述电磁线圈正极连接于电子发射极，其负极分别连接于正离子收集极和散射电子接收极，所述电子发射极和正离子收集极之间设置屏蔽板，所述电子发射极发射电子于水冷坩祸内的膜材，所述散射电子接收极接收散射电子，所述正离子收集极接收水冷坩祸内的膜材的正离子，所述水冷坩祸上方设置等离子体的技术手段，由于本发明采用电子枪加热器，其电子束的束流密度高，能获得比电阻加热源更大的能量密度，因此能蒸发高熔点材料。
[0013]3、本专利采用所述电子发射极发射电子于水冷坩祸内的膜材，所述散射电子接收极接收散射电子，所述正离子收集极接收水冷坩祸内的膜材的正离子，由于被蒸发材料置于水冷坩祸内，避免了容器材料的挥发，以及容器材料与蒸发材料的反应，提高了薄膜的纯度和质量。
[0014]4、本专利由于采用电子束加热方式，热量直接加到蒸镀材料表面，具有热效率高，热传导和热辐射损失小的有益技术效果。
[0015]5、本专利应用范围广泛，适用于真空蒸发镀膜技术领域。
【附图说明】
[0016]图1是本发明一种真空蒸发镀膜装置结构示意图；
图2是本发明一种真空蒸发镀膜装置的电子枪加热器结构示意图。
【具体实施方式】
[0017]以下结合附图对本发明做进一步描述:
图中:1-镀膜装置，2-真空装置，3-蒸发装置，4-基板加热器，5-基板，6-薄膜，7-钟罩，8-真空腔，9-排气系统。10-蒸发源，11-膜材，12-膜材容器，13-膜材加热器，14-水冷坩祸，15-电子枪加热器，16-电磁线圈，17-电子发射极，18-正离子收集极，19-散射电子接收极，20-屏蔽板，21-等离子体；
实施例:
本实施例:如图1所示，一种真空蒸发镀膜装置，包括镀膜装置1、真空装置2、蒸发装置3，所述镀膜装置I包括基板加热器4、基板5、薄膜6，所述真空装置2包括钟罩7、真空腔8、排气系统9，所述蒸发装置3包括蒸发源10和膜材11，所述蒸发源10包括膜材容器12和设置于膜材容器12内的膜材加热器13，所述真空装置2内顶端设置的镀膜装置I经真空装置2连接于其底端设置蒸发装置3，设置于钟罩7内的真空腔8的自顶端向下依次设置基板加热器4、基板5、薄膜6，其底端设置膜材容器12，所述基板加热器4经基板5连接于薄膜6，所述钟罩7经真空腔8贯通于排气系统9，所述膜材加热器13经膜材容器12连接于膜材11，设置于膜材容器12内的膜材经膜材加热器13加热为膜材蒸气，所述膜材蒸气蒸发于基板5下的薄膜6。
[0018]所述膜材容器12为水冷坩祸14。
[0019]由于采用包括镀膜装置、真空装置、蒸发装置，所述镀膜装置包括基板加热器、基板、薄膜，所述真空装置包括钟罩、真空腔、排气系统，所述蒸发装置包括蒸发源和膜材，所述蒸发源包括膜材容器和设置于膜材容器内的膜材加热器，所述真空装置内顶端设置的镀膜装置经真空装置连接于其底端设置蒸发装置，设置于钟罩内的真空腔的自顶端向下依次设置基板加热器、基板、薄膜，其底端设置膜材容器，所述基板加热器经基板连接于薄膜，所述钟罩经真空腔贯通于排气系统，所述膜材加热器经膜材容器连接于膜材，设置于膜材容器内的膜材经膜材加热器加热为膜材蒸气，所述膜材蒸气蒸发于基板下的薄膜的技术手段，由于真空蒸发镀膜在真空室中，加热蒸发器中待形成薄膜的材料，使其原子或分子从表面汽化溢出，形成蒸汽流，入射到基板表面，凝固成固态薄膜，解决了附着力较小、不容易获得结晶结构、工艺重复性差的问题，提高装置的实用性。
[0020 ] 所述膜材加热器13包括电子枪加热器15。
[0021 ]由于采用电子束加热方式，热量直接加到蒸镀材料表面，具有热效率高，热传导和热辐射损失小的有益技术效果。
[0022]所述电子枪加热器15包括电磁线圈16，所述电磁线圈16正极连接于电子发射极17，其负极分别连接于正离子收集极18和散射电子接收极19。
[0023]由于采用所述电子枪加热器包括电磁线圈，所述电磁线圈正极连接于电子发射极，其负极分别连接于正离子收集极和散射电子接收极，所述电子发射极和正离子收集极之间设置屏蔽板，所述电子发射极发射电子于水冷坩祸内的膜材，所述散射电子接收极接收散射电子，所述正离子收集极接收水冷坩祸内的膜材的正离子，所述水冷坩祸上方设置等离子体的技术手段，由于本发明采用电子枪加热器，其电子束的束流密度高，能获得比电阻加热源更大的能量密度，因此能蒸发高熔点材料。
[0024]所述电子发射极17和正尚子收集极18之间设置屏蔽板20。
[0025]所述电子发射极17发射电子于水冷坩祸14内的膜材11，所述散射电子接收极19接收散射电子，所述正离子收集极18接收水冷坩祸14内的膜材11的正离子。
[0026]由于采用所述电子发射极发射电子于水冷坩祸内的膜材，所述散射电子接收极接收散射电子，所述正离子收集极接收水冷坩祸内的膜材的正离子，由于被蒸发材料置于水冷坩祸内，避免了容器材料的挥发，以及容器材料与蒸发材料的反应，提高了薄膜的纯度和质量。
[0027]所述水冷坩祸14上方设置等离子体21。
[0028]工作原理:真空蒸发镀膜在真空室中，加热蒸发器中待形成薄膜的材料，使其原子或分子从表面汽化溢出，形成蒸汽流，入射到基板表面，凝固成固态薄膜，电子发射极发射电子于水冷坩祸内的膜材，所述散射电子接收极接收散射电子，所述正离子收集极接收水冷坩祸内的膜材的正离子，实现了膜材内分子的热运动，本发明解决了附着力较小、不容易获得结晶结构、工艺重复性差的问题，具有提高装置的实用性、蒸发高熔点材料、提高了薄膜的纯度和质量、热效率高，热传导和热辐射损失小、适用于真空蒸发镀膜技术领域的有益技术效果。
[0029]利用本发明的技术方案，或本领域的技术人员在本发明技术方案的启发下，设计出类似的技术方案，而达到上述技术效果的，均是落入本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种真空蒸发镀膜装置，其特征在于，包括镀膜装置、真空装置、蒸发装置，所述镀膜装置包括基板加热器、基板、薄膜，所述真空装置包括钟罩、真空腔、排气系统，所述蒸发装置包括蒸发源和膜材，所述蒸发源包括膜材容器和设置于膜材容器内的膜材加热器，所述真空装置内顶端设置的镀膜装置经真空装置连接于其底端设置蒸发装置，设置于钟罩内的真空腔的自顶端向下依次设置基板加热器、基板、薄膜，其底端设置膜材容器，所述基板加热器经基板连接于薄膜，所述钟罩经真空腔贯通于排气系统，所述膜材加热器经膜材容器连接于膜材，设置于膜材容器内的膜材经膜材加热器加热为膜材蒸气，所述膜材蒸气蒸发于基板下的薄膜。2.根据权利要求1所述的一种真空蒸发镀膜装置，其特征在于，所述膜材容器为水冷坩祸。3.根据权利要求1所述的一种真空蒸发镀膜装置，其特征在于，所述膜材加热器包括电子枪加热器。4.根据权利要求3所述的一种真空蒸发镀膜装置，其特征在于，所述电子枪加热器包括电磁线圈，所述电磁线圈正极连接于电子发射极，其负极分别连接于正离子收集极和散射电子接收极。5.根据权利要求4所述的一种真空蒸发镀膜装置，其特征在于，所述电子发射极和正离子收集极之间设置屏蔽板。6.根据权利要求4所述的一种真空蒸发镀膜装置，其特征在于，所述电子发射极发射电子于水冷坩祸内的膜材，所述散射电子接收极接收散射电子，所述正离子收集极接收水冷坩祸内的膜材的正离子。7.根据权利要求5所述的一种真空蒸发镀膜装置，其特征在于，所述水冷坩祸上方设置等离子体。
【文档编号】C23C14/30GK106032567SQ201610189702
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2016年3月30日
【发明人】同建辉, 李卫东, 孙婧
【申请人】天津众伟科技有限公司