一种用于处理器件的处理设备,尤指其中包含有机材料的器件,及一种用于将蒸发源从处...的制作方法

文档序号:10698963阅读:501来源:国知局
一种用于处理器件的处理设备,尤指其中包含有机材料的器件,及一种用于将蒸发源从处 ...的制作方法
【专利摘要】一种用于处理器件(特别是在所述器件中包含有机材料的器件)的处理设备被描述。所述处理设备包含处理真空腔室;用于有机材料的至少一个蒸发源,其中所述至少一个蒸发源包含至少一个蒸发坩锅,其中所述至少一个蒸发坩锅经配置以蒸发所述有机材料,及具有一个或多个出口的至少一个分布管路,其中所述至少一个分布管路与所述至少一个蒸发坩锅流体连通;及与所述处理真空腔室连接的维护真空腔室,其中所述至少一个蒸发源可从所述处理真空腔室被传送至所述维护真空腔室,及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室。
【专利说明】
一种用于处理器件的处理设备,尤指其中包含有机材料的器件,及一种用于将蒸发源从处理真空腔室传送至维护真空腔室,或从维护真空腔室传送至处理真空腔室的方法
技术领域
本公开的实施例有关于用于处理器件的处理设备,特别是在其中包含有机材料的器件,且有关用于从处理真空腔室传送蒸发源至维护真空腔室,或从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室的方法。
先前技术
[0001]有机蒸发器是用于生产有机发光二极管(OLED)的工具。OLED是发光二极管,在发光二极管中,发光层包含特定有机化合物的薄膜。OLED用于电视屏幕、计算机显示器、移动电话、其他手持装置等的制造,以用于显示信息。OLED亦可用于一般空间照明。OLED显示器可能的颜色、亮度及视角的范围是大于传统LCD显示器,因为OLED像素直接发光且不需要背光源。OLED显示器的能量消耗显著少于传统LCD显示器。进一步而言,OLED可制造于可挠基板上,造成了进一步的应用。OLED显示器,举例而言,可包含介于两个电极之间的多层有机材料,所述电极以形成矩阵显示面板的方式而设置于基板上,所述矩阵显示面板具有独立可充电像素。所述OLED可摆设于两个玻璃面板之间,且所述玻璃面板的边缘被密封以在所述玻璃面板中包覆所述OLED。
[0002]在OLED显示设备的制造上遇到了挑战。一个范例中,需要多个劳力密集的步骤以将所述OLED包覆于所述两个玻璃面板之间,以防止所述器件的可能污染。另一个范例中,不同尺寸的显示屏幕及玻璃面板可能需要处理及处理硬件的大幅重配置,所述处理及处理硬件用于形成所述显示设备。大致而言,在大面积基板上制造OLED器件是所期望的。
[0003]OLED显示器或OLED照明应用包含多个有机材料的堆栈,所述有机材料举例而言在处理设备的真空腔室中蒸发。有机材料是以随后的方式透过使用蒸发源的阴影光罩而设置于基板上。所述基板、阴影光罩及蒸发源被设置于所述真空腔室内。所述蒸发源需要不时地被服务及再填充。为了服务及再填充蒸发源,所述处理设备需要被关闭,所述真空腔室需要被通风,且所述蒸发源需要从所述真空腔室被移除。有鉴于此,服务及再填充蒸发源造成了大量的工作量且是耗时的,导致所述处理设备增加的停工时间及减少的处理效率或产量。
[0004]因此,用于处理器件的处理设备是所需要的,特别是在其中包含有机材料的器件,及用于传送蒸发源的方法,所述方法促成蒸发源的服务及再填充,并减少所述处理设备的停工时间。

【发明内容】

[0005]鉴于上述,用于处理器件的处理设备,特别是在其中包含有机材料的器件,及将蒸发源从处理真空腔室传送至维护真空腔室或从所述护真空腔室至所述处理真空腔室的方法被提供。本公开的进一步方面、益处及特征将显见于权利要求、描述及附图。
[0006]依据本公开的一个方面,用于处理器件的处理设备,特别是在所述器件中包含有机材料的器件被提供。所述处理设备包含处理真空腔室;用于材料的至少一个蒸发源,其中所述至少一个蒸发源包含至少一个蒸发坩锅,其中所述至少一个蒸发坩锅经配置以蒸发所述材料,及具有一个或多个出口的至少一个分布管路,其中所述至少一个分布管路与所述至少一个蒸发坩锅流体连通;及与所述处理真空腔室连接的维护真空腔室,其中所述至少一个蒸发源可从所述处理真空腔室被传送至所述维护真空腔室,及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室。
[0007]依据本公开的另一个方面,用于处理器件的处理设备,特别是在所述器件中包含有机材料的器件被提供。所述处理设备包含处理真空腔室;用于材料的至少一个蒸发源,其中所述至少一个蒸发源包含至少一个蒸发坩锅,其中所述至少一个蒸发坩锅经配置以蒸发所述材料,及具有一个或多个出口的至少一个分布管路,其中所述至少一个分布管路与所述至少一个蒸发坩锅流体连通;及与所述处理真空腔室连接的维护真空腔室,其中所述至少一个蒸发源可从所述处理真空腔室被传送至所述维护真空腔室,及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室,其中所述维护真空腔室与所述处理真空腔室的所述连接包含开口,其中所述开口经配置以用于所述至少一个蒸发源从所述处理真空腔室至所述维护真空腔室,及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室的所述转移,其中所述处理设备进一步包含密封装置,所述密封装置经配置以用于封闭所述开口,且其中所述密封装置附接至所述至少一个蒸发源。
[0008]依据本公开的又另一个方面,用于将蒸发源从处理真空腔室传送至维护真空腔室或从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室的方法被提供。所述方法包含通过开口而将蒸发坩锅及所述蒸发源的分布管路从所述处理真空腔室移动至所述维护真空腔室或从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室,所述开口提供于所述处理真空腔室与所述维护真空腔室之间。
[0009]实施例亦针对用于实现所揭示的方法的设备,且包含用于行使每个所述方法方面的设备部件。所述方法方面可藉由硬件组件、由合适软件程序化的计算机、任何所述两者的组合或任何其他方式而执行。进一步而言,依据本公开的实施例亦针对用于运作所述设备的方法。所述方法包含用于实现所述设备的每个功能的方法方面。
图式简单说明
[0010]为了使本公开的上述特征能被详细地理解,以上简要总结的本公开更具体的描述可参考实施例。所述附图有关于本公开的实施例且在以下描述:
[0011]第IA至IC图依据在此描述的实施例显示用于处理器件的处理设备的示意顶视图,特别是在其中包含有机材料的器件;
[0012]第2图依据在此描述的进一步实施例显示用于处理器件的处理设备的示意顶视图,特别是在其中包含有机材料的器件;
[0013]第3A及3B图依据在此描述的更进一步实施例显示用于处理器件的处理设备的示意顶视图,特别是在其中包含有机材料的器件;
[0014]第4A至4C图依据在此描述的又更进一步实施例显示用于处理器件的处理设备的示意顶视图,特别是在其中包含有机材料的器件;
[0015]第5图依据在此描述的实施例显示用于处理器件的处理设备的示意透视图,特别是在其中包含有机材料的器件;
[0016]第6A至6C图依据在此描述的实施例显示处理设备的部分蒸发源的示意图;及
[0017]第7图依据在此描述的实施例显示方法的流程图,所述方法用于将蒸发源从处理真空腔室传送至维护真空腔室,或从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室。
实施方式
[0018]现将详细参考本公开的各种实施例,所述实施例的一个或多个范例绘示于图式中。在以下的图式描述中,相同的参考符号代表相同的组件。一般而言,仅有关于独立实施例的差异被描述。每个范例藉由解释本公开的方式而提供,且并非意于作为本公开的限制。进一步而言,绘示或描述作为一个实施例的部分的特征可被用于或连结其他实施例以产出又进一步的实施例。本描述意于包含这样的修改及变化。
[0019]第IA至IC图依据本文中描述的实施例显示用于处理器件的处理设备100的示意顶视图,特别是在其中包含有机材料的器件。
[0020]依据本公开的一个方面,用于处理器件(特别是在其中包含有机材料的器件)的处理设备100包含处理真空腔室110;用于有机材料的蒸发源1000,其中蒸发源1000包含蒸发坩锅1004,其中蒸发坩锅1004经配置以蒸发所述有机材料,及具有一个或多个出口的分布管路1006,其中分布管路1006与蒸发坩锅1004流体连通;及与处理真空腔室110连接的维护真空腔室150,其中蒸发源1000可从处理真空腔室110被传送至维护真空腔室150,及从维护真空腔室150至处理真空腔室110。某些实现中,分布管路1006可于蒸发期间绕轴旋转。
[0021]依据在此揭示的实施例的处理设备促成了蒸发源1000的服务及/或再填充,且可减少所述处理设备的停工时间。藉由将可独立于处理真空腔室110通风的维护真空腔室150附接至处理真空腔室110,则可能在例如所述蒸发源耗尽之后交换蒸发源1000,并在不将所述真空系统通风及/或不停止生产的情况下在维护真空腔室150中服务所述蒸发源。
[0022]第IA至IC图显示处理设备100,其中蒸发源1000在不同的位置。第IA及IB图中,蒸发源1000定位于处理真空腔室110中,且在第IC图中蒸发源1000定位于维护真空腔室150中,例如为了服务及/或再填充。虽然第IA至IC图绘示一个蒸发源1000,但在某些范例中两个或更多个蒸发源1000可提供于处理设备100中。作为范例,第一蒸发源可定位于处理真空腔室110中,且第二蒸发源可定位于维护真空腔室150中。第一蒸发源可为了制造器件(特别是在其中包含有机材料的器件)而运作,而定位于维护真空腔室150中的所述第二蒸发源可同时被服务及/或再填充,且所述处理设备的停工时间可进一步被减少或甚至避免。
[0023]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,处理设备100包含传送装置(未显示),所述传送装置经配置以用于将蒸发源1000从处理真空腔室110传送至维护真空腔室150,及从维护真空腔室150至处理真空腔室110。所述传送装置可包含位移装置,例如致动器、驱动器,或臂,所述位移装置可连接至蒸发源1000以执行所述传送。
[0024]蒸发源1000具有一个或多个蒸发坩锅1004且具有一个或多个分布管路1006,所述蒸发坩锅经适配以包含所述蒸发材料。依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,处理设备100,且特别是蒸发源1000,包含用于分布管路1006的支座1002。分布管路1006由支座1002所支撑。进一步而言,依据某些实施例,蒸发坩锅1004亦可由支座1002所支撑。某些实现中,蒸发源1000经配置以绕着轴旋转,特别是在蒸发期间。各种用于OLED器件制造的应用包含处理,在所述处理中两个或更多个有机材料被同时蒸发。某些实施例中,两个或更多个分布管路及对应的蒸发坩锅可彼此相邻而提供。这样的蒸发源亦可称为蒸发源阵列,例如,其中一种以上的有机材料被同时蒸发。蒸发源1000的一个范例参考第6A至6C图而描述。
[0025]某些实现中,分布管路1006为蒸气分布喷淋头,特别是线性蒸气分布喷淋头。分布管路1006可提供几乎垂直延伸的线源。依据可与在此描述的其他实施例组合的实施例,几乎垂直在特别指基板定向时,被理解为允许从垂直方向偏离20度或以下的角度,例如10度或以下。此偏离可提供作为范例,因为从垂直定向偏离一些的基板支座可能造成更稳固的基板位置。然而,于所述有机材料沉积时的所述基板定向被认定为几乎垂直的,所述定向被认定为不同于水平基板定向。
[0026]某些实施例中,基板121的表面被蒸发源1000涂层,所述蒸发源在对应至一个基板维度的一个方向中延伸且沿着对应至另一个基板维度的另一个方向平移运动。在蒸发坩锅1004中产生的蒸气可向上移动且离开分布管路1006的一个或多个出口(未显示)。分布管路1006的所述一个或多个出口可为一个或多个开口或一个或多个喷嘴,所述开口或喷嘴可例如提供于喷淋头中或另一个蒸气分布系统中。蒸发源1000可包含蒸气分布喷淋头,例如,具有多个喷嘴或开口的线性蒸气分布喷淋头。如在此理解的喷淋头可包含具有开口的封闭体,使得所述喷淋头中的压力高于所述喷淋头的外部,举例而言大至少一个数量级。
[0027]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,分布管路1006可设计为三角形状,使得所述开口或所述喷嘴阵列可尽可能接近彼此而定位。此举允许达成不同有机材料的改善混合,例如,对于两种、三种或甚至更多种不同有机材料的共同蒸发的情况。
[0028]依据可与在此描述的其他实施例组合的在此描述的实施例,分布管路1006的所述旋转可由蒸发器控制壳体的旋转而提供,至少分布管路1006被安装于所述蒸发器控制壳体上。额外地或替代地,分布管路1006的所述旋转可由将蒸发源1000沿着循环轨道的弯曲部分移动而提供。作为范例,蒸发坩锅1004安装于蒸发器控制壳体上,且蒸发源1000可包含分布管路1006及蒸发坩锅1004,所述分布管路与所述蒸发坩锅可两者,亦即一起,可旋转地安装。
[0029]某些实现中,用于遮蔽基板121上的所述层沉积的屏蔽132可提供于基板121与蒸发源1000之间。有机材料从分布管路1006蒸发并透过屏蔽132而沉积于基板121上。依据某些实施例,屏蔽132,亦即对应至显示于第IA至IC图中的两个基板121的第一基板的第一屏蔽,及对应至两个基板121的第二基板的第二屏蔽被提供于屏蔽框架131中以将屏蔽132维持在预定位置中。
[0030]依据可额外地或替代地实现的又进一步的实施例,在此描述的蒸发源1000允许在屏蔽132位置上的温度变化,所述温度变化可为,举例而言,低于5开尔文(Kelvin),或甚至低于1K。从蒸发源1000至屏蔽132的热传导的减少可由改善的冷却而提供。额外地或替代地,例如,当分布管路1006具有三角形状时,朝向屏蔽132放射的所述面积被减少。额外地,金属板材的堆栈,举例而言至多10个金属板材,可被提供以减少从蒸发源1000至屏蔽132的热传导。依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,热屏蔽或金属板材可与用于出口或喷嘴的孔口提供,且所述热屏蔽或金属板材可被附接至蒸发源1000的至少前侧,亦即面向基板121的侧面。
[0031]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,蒸发源1000经配置以用于平移运动,具体而言在处理真空腔室110内。作为范例,处理设备100包含第一驱动器,所述第一驱动器经配置以用于蒸发源1000的平移运动。某些实施例中,所述第一驱动器可连接至蒸发源1000或被包含于蒸发源1000中。依据某些实施例,支座1002可连接至所述第一驱动器或包含所述第一驱动器。所述第一驱动器可为马达或另一种合适的致动器。
[0032]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,处理设备100进一步包含蒸发源支撑系统,所述蒸发源支撑系统设置于处理真空腔室110中且具有至少两个轨道220,其中蒸发源支撑系统的至少两个轨道220经配置以用于至少在处理真空腔室110内的蒸发源1000的平移运动。作为范例,所述第一驱动器可经配置以沿着至少两个轨道220移动或传送蒸发源1000。
[0033]某些实现中,蒸发源1000在至少两个轨道220上提供于处理真空腔室110中,所述轨道例如循环轨道或线性导轨。至少两个轨道220经配置以用于蒸发源1000的平移运动,具体而言于例如沉积处理的操作期间。依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,用于蒸发源1000的所述平移运动的所述第一驱动器可提供于至少两个轨道220上、蒸发源1000中、处理真空腔室110内,或其组合。
[0034]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,处理设备100进一步包含另一个真空腔室106,所述真空腔室经由阀105连接至处理真空腔室110,其中另一个真空腔室106可举例而言经配置以用于将基板121传输至处理真空腔室110中及离开处理真空腔室110。第IA至IC图显示阀105,举例而言门阀。阀105允许处理真空腔室110与另一个真空腔室106之间的真空密封。阀105可被开启以用于将基板121及/或屏蔽132传输至处理真空腔室110中或离开处理真空腔室110。
[0035]某些实施例中,维护真空腔室150相邻于处理真空腔室110而提供,且维护真空腔室150与处理真空腔室110被连接。依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,维护真空腔室150与处理真空腔室110的所述连接包含开口 152,其中开口 152经配置以用于蒸发源1000从处理真空腔室110至维护真空腔室150,及从维护真空腔室150至处理真空腔室110的传送。某些实施例中,处理设备100进一步包含密封装置(未显示),所述密封装置经配置以用于封闭开口 152。具体而言,密封装置经配置以用于几乎真空密闭地密封开口 152。作为范例,密封装置附接至蒸发源1000,如将参考第4A至4C图及第5图而解释。当开口 152由密封装置封闭或密封时,维护真空腔室150可通风且开启以在不中断处理真空腔室110中的所述真空下而用于蒸发源1000的维护。
[0036]某些范例中,开口 152及所述密封装置可包含于阀中,所述阀连接处理真空腔室110与维护真空腔室150。所述阀可经配置以用于开启及关闭处理真空腔室110与维护真空腔室150之间的所述真空密封。蒸发源1000可在所述阀于开启状态时传送至维护真空腔室150。而后,所述阀可被关闭以提供处理真空腔室110与维护真空腔室150之间的所述真空密封。若所述阀为关闭的,则维护真空腔室150可通风且开启以在不中断处理真空腔室110中的所述真空下而用于蒸发源1000的维护。
[0037]某些实现中,进一步的轨道被提供以用于支撑屏蔽框架131及/或屏蔽132。依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,处理设备100可在处理真空腔室110中包含四个轨道。为了将屏蔽132中的一个移出处理真空腔室110,举例而言为了屏蔽132的清洗,屏蔽框架131及屏蔽132可移动至基板121的传输轨道上。分别的屏蔽框架131则可在用于基板121的传输轨道上离开或进入处理真空腔室110。虽然可能为了屏蔽框架131而提供进入及离开处理真空腔室110的分离传输轨道,但若只有两个轨道(亦即,用于基板121的传输轨道)延伸进出处理真空腔室110,则拥有处理设备200的支出可被减少,且额外地,屏蔽框架131可藉由合适的致动器或机器人而移动至用于基板121的所述传输轨道的分别一者上。
[0038]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,基板121可由基板支座126而支撑,所述基板支座连接至对准单元112。对准单元112可调整基板121相对于屏蔽132的位置。第IA至IC图绘示的实施例中,基板支座126连接至对准单元112。基板121可相对于屏蔽132而移动,以于所述有机材料沉积时提供用于基板121与屏蔽132之间的对准。依据可与在此描述的其他实施例组合的进一步实施例,替代地或额外地,屏蔽132及/或持定屏蔽132的屏蔽框架131可连接至对准单元112。屏蔽132可相对于基板121定位或者屏蔽132及基板121可两者相对于彼此而定位。对准单元112经配置以调整基板121与屏蔽132之间相对于彼此的位置,且允许于沉积处理时的屏蔽对准,此举有益于高质量或OLED显示器制造。
[0039]屏蔽132与基板121相对于彼此的对准的范例包含对准单元112,所述对准单元经配置以在定义平面的至少两个方向中用于相对对准,所述平面几乎平行于基板121的平面与屏蔽132的平面。举例而言,对准可至少在X方向及y方向中执行,亦即定义上述平行平面的两个笛卡尔方向。作为范例,屏蔽132与基板121可实质上平行于彼此。所述对准可进一步在几乎垂直于基板121的平面与屏蔽132的平面的方向中执行。对准单元112可经配置以至少用于屏蔽132与基板121相对于彼此的X-Y对准,且特别是X-Y-Z对准。作为范例,基板121可在X方向、y方向及z方向中对准至屏蔽132,且屏蔽132可在处理真空腔室110中维持固定。
[0040]如第IA至IC图中所显示,至少两个轨道220,例如线性导轨,在处理真空腔室110内提供蒸发源1000的平移运动的方向。在蒸发源1000的两个侧边上,分别的屏蔽132被提供。屏蔽132可实质上平行于所述平移运动的所述方向而延伸。进一步而言,在蒸发源1000的相对侧边上的基板121亦可实质上平行于所述平移运动的所述方向而延伸。依据某些实施例,基板121可透过阀105而移动至处理真空腔室110中及离开处理真空腔室110。处理设备100可包含分别的传输轨道以用于每个基板121的输送。举例而言,传输轨道可平行于第IA至IC图中显示的基板位置而延伸且进出处理真空腔室110。
[0041]处理设备100促成了蒸气源1000的服务及/或再填充,且可减少所述处理设备的停工时间。藉由将维护真空腔室150附接至处理真空腔室110并将蒸发源1000从处理真空腔室110传送至维护真空腔室150,维护真空腔室150可独立于处理真空腔室110而通风。蒸发源1000可在例如所述蒸发源耗尽之后被交换或服务,在不将处理设备100的所述真空系统通风及/或不停止生产的情况下。
[0042]第2图依据在此描述的进一步实施例显示用于处理器件(特别是在其中包含有机材料的器件)的处理设备200的示意顶视图。
[0043]第2图的处理设备200类似于上述参考第IA至IC图的处理设备100,且以下仅描述差异。
[0044]处理设备200中,蒸发源1000的蒸发坩锅1004及分布管路1006从处理真空腔室110传送至维护真空腔室150且从维护真空腔室150至处理真空腔室110,其中用于分布管路1006的支座1002没有从处理真空腔室110传送至维护真空腔室150且从维护真空腔室150至处理真空腔室110。换言之,用于分布管路1006的支座1002维持在处理真空腔室110中,而蒸发源1000的蒸发坩锅1004及分布管路1006被传送。
[0045]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,处理设备200包含传送装置(未显示),所述传送装置经配置以用于将蒸发源1000从处理真空腔室110传送至维护真空腔室150,及从维护真空腔室150至处理真空腔室110。所述传送装置可包含位移装置,例如致动器、驱动器、线性驱动器,或臂,所述位移装置可连接至蒸发源1000以用于执行所述传送。所述传送装置可额外地或替代地由机器人所提供,所述机器人例如具有至少两个移动方向且可位于所述维护模块中。
[0046]藉由将支座1002留在处理真空腔室110中,将被服务及/或交换的蒸发源1000的部分可被传送至维护真空腔室150,其中不被服务及/或交换的蒸发源1000的部分维持在处理真空腔室110中。此举允许执行所述传送的工作量最小化。
[0047]第3A及3B图依据在此描述的更进一步实施例显示用于处理器件(特别是在其中包含有机材料的器件)的处理设备300的示意顶视图。
[0048]第3A及3B图的处理设备300类似于上述参考第IA至IC图及第2图的处理设备,且以下仅描述差异。
[0049]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,处理设备300包含蒸发源支撑系统,所述蒸发源支撑系统设置于处理真空腔室110中且具有至少两个轨道220,其中所述蒸发源支撑系统的至少两个轨道220经配置以用于蒸发源1000至少在处理真空腔室110内的平移运动。
[0050]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,至少两个轨道220的每一个包含第一轨道区段221及第二轨道区段222,且其中第一轨道区段221及第二轨道区段222可分离。某些实现中,第一轨道区段221经配置可从处理真空腔室110被传送至维护真空腔室150,及从维护真空腔室150至处理真空腔室110,例如,与蒸发源1000—起。
[0051 ]某些实现中,蒸发坩锅1004与分布管路1006连同第一轨道区段221—起传送。其他实现中,蒸发坩锅1004、分布管路1006及用于分布管路1006的支座1002与第一轨道区段221一起传送。
[0052]蒸发源1000在至少两个轨道220上(例如循环轨道或线性导轨)提供于处理真空腔室110中。至少两个轨道220经配置以用于蒸发源1000的所述平移运动,具体而言在例如沉积处理的操作期间。依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,用于蒸发源1000的所述平移运动的所述第一驱动器可提供于至少两个轨道220上,具体而言在第一轨道区段221上、蒸发源1000中、处理真空腔室110内,或其组合。
[0053]依据某些实施例,经配置以用于所述蒸发源的所述平移运动的所述第一驱动器可与蒸发源1000—起从处理真空腔室110传送至维护真空腔室150,及从维护真空腔室150至处理真空腔室110。作为范例,所述第一驱动器可经配置以用于移动或驱动蒸发源1000及第一轨道区段221从处理真空腔室110至维护真空腔室150,及从维护真空腔室150至处理真空腔室110。某些范例中,当用于所述平移运动的所述第一驱动器亦用于所述传送时,不需要为了所述蒸发源的传送而提供额外装置。
[0054]当第一轨道区段221与蒸发源1000—起传送时,蒸发源1000在从处理真空腔室110至维护真空腔室150的所述传送发生之前不需要从所述蒸发源支撑系统去耦合。进一步而言,蒸发源1000在维护真空腔室150至处理真空腔室110的所述传送行使后不需要耦合至所述蒸发源支撑系统,节省了时间及工作量。
[0055]第4A至4C图依据在此描述的又更进一步实施例显示用于处理器件(特别是在其中包含有机材料的器件)的处理设备400的示意顶视图。
[0056]第4A至4C图的处理设备400类似于上述的所述等处理设备且以下仅描述差异。
[0057]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,维护真空腔室150与处理真空腔室110的所述连接包含开口(指示于第I至3图中的参考符号152),其中所述开口经配置以用于蒸发源1000从处理真空腔室110至维护真空腔室150,及从维护真空腔室150至处理真空腔室110的传送。
[0058]某些实施例中,处理设备400进一步包含用于封闭所述开口的密封装置410。具体而言,密封装置410经配置以用于几乎真空密闭地密封所述开口。当所述开口关闭或由密封装置410密封时,维护真空腔室150可被通风及开启以在不中断处理真空腔室110中的所述真空下而用于蒸发源1000的维护。
[0059]某些实现中,密封装置410附接至,或包含于蒸发源1000。作为范例,密封装置410可在几乎垂直定向中安装至蒸发源1000的侧边,例如在支座1002上。某些实施例中,密封装置410可为板材,所述板材经配置以用于密封或封闭处理真空腔室110与维护真空腔室150之间的所述开口。将密封装置410与蒸发源1000整合允许节省处理真空腔室110及/或维护真空腔室150内的空间。
[0060]依据某些实施例,蒸发源1000可相对于密封装置410移动。作为范例,至少分布管路1006及蒸发坩锅1004可相对于密封装置410移动。某些实现中,处理设备400可包含连接装置420,所述连接装置连接蒸发源1000及密封装置410。连接装置420可经配置以提供蒸发源1000与密封装置410之间的可移动连接。作为范例,密封装置410可包含两个或更多个由铰链连接的臂部分,以提供所述可移动连接。
[0061]某些实现中,连接装置420可为平移装置,所述平移装置经配置以用于将密封装置410相对于蒸发源1000,且具体而言相对于分布管路1006及蒸发坩锅1004而移动。为了关闭所述开口,蒸发源1000可合适地定位于处理真空腔室110或维护真空腔室150内,且所述平移装置可将密封装置410相对于蒸发源1000朝向所述开口移动,以几乎真空密闭地封闭或密封所述开口。密封装置410于从维护真空腔室150传送至处理真空腔室110时是相对于蒸发源1000而固定,且反之亦然。
[0062]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,处理设备400包含提供于维护真空腔室150中的可旋转装置430。可旋转装置430可经配置以用于接收蒸发源1000及/或第一轨道区段(指示于第3A及3B图中的参考符号221)。作为范例,可旋转装置430可为可旋转平台。
[0063]参考第4A图,显示了两个蒸发源1000。两个蒸发源的第一蒸发源定位于处理真空腔室110中,且所述两个蒸发源的第二蒸发源定位于维护真空腔室150中。作为范例,所述两个蒸发源的所述第二蒸发源可定位于可旋转装置430上。
[0064]如第4B图中所显示,例如将被服务或交换的所述第一蒸发源可从处理真空腔室110传送至维护真空腔室150,且具体而言至可旋转装置430上。作为范例,所述第一蒸发源及所述第二蒸发源可背对背定位于可旋转装置430上,例如,所述第一蒸发源及所述第二蒸发源的密封装置可朝向彼此定向。换言的,两个密封装置可定位或夹在所述第一蒸发源及所述第二蒸发源之间。
[0065]当两个蒸发源(亦即所述第一蒸发源及所述第二蒸发源)定位于可旋转装置430上时,可旋转装置430被旋转,例如大约180度,使得所述第一蒸发源及所述第二蒸发源交换位置。第4B图中,所述旋转以箭头指示。接着,所述第二蒸发源可传送至处理真空腔室110且连接处理真空腔室110与维护真空腔室150的所述开口可被密封,例如,藉由所述第二蒸发源的密封装置410。维护真空腔室150可通风以用于所述第一蒸发源的服务或移除。此举允许在不需要中断处理真空腔室110中的所述真空下而交换蒸发源。
[0066]第5图依据在此描述的实施例显示用于处理器件(特别是在其中包含有机材料的器件)的处理设备500的示意顶视图。
[0067]第5图的处理设备500类似于上述参考第4A至4C图的所述处理设备,且以下仅描述差异。
[0068]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,处理设备500包含蒸发源支撑系统,所述蒸发源支撑系统设置于处理真空腔室110中且具有至少两个轨道220,其中所述蒸发源支撑系统的至少两个轨道220经配置以用于至少在处理真空腔室110内的蒸发源1000的移动。至少两个轨道220的每一个包含第一轨道区段221及第二轨道区段222,其中第一轨道区段221及第二轨道区段222可分离。某些实现中,第一轨道区段221经配置与蒸发源1000—起从处理真空腔室110传送至维护真空腔室150,及从维护真空腔室150至处理真空腔室110。
[0069]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,维护真空腔室150与处理真空腔室110的所述连接包含开口,所述开口经配置以用于蒸发源1000从处理真空腔室110至维护真空腔室150,及从维护真空腔室150至处理真空腔室110的传送。
[0070]某些实施例中,处理设备500进一步包含密封装置510,所述密封装置经配置以用于封闭所述开口。某些实现中,密封装置510附接至蒸发源1000。密封装置510可为板材,所述板材经配置以用于密封处理真空腔室110与维护真空腔室150之间的所述开口。
[0071]依据某些实施例,蒸发源1000可相对于密封装置510移动。作为范例,处理设备500可包含连接装置520,所述连接装置连接蒸发源1000与密封装置510。作为范例,连接装置520经配置以用于导引密封装置510相对于蒸发源1000的所述平移运动。额外地或替代地,连接装置520可提供或容纳用于蒸发源1000的媒介供应。作为范例,连接装置520可为臂,具体而言为被动臂。某些实施例中,至少部分的连接装置520提供大气环境以防止任何所述媒介供应上的粒子撞击。作为范例,所述大气环境可提供于连接装置520内,且可具体而言提供于所述臂内。
[0072]某些实现中,所述臂可包含两个或更多个臂部分,所述等臂部分藉由分别的铰链连接以允许蒸发源1000与密封装置510之间的所述相对移动。作为范例,连接装置520包含第一臂532及第二臂534。第一臂532具有连接至蒸发源1000的第一端点部分及第二端点部分,所述第二端点部分透过铰链536连接至第二臂534的第三端点部分。第二臂534具有连接至处理真空腔室110及/或维护真空腔室150的第四端点部分。
[0073]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,处理设备500包含提供于维护真空腔室150内的可旋转装置530。可旋转装置530可经配置以用于接收蒸发源1000及/或第一轨道区段221。作为范例,可旋转装置530可为可旋转平台。某些实施例中,处理设备500包含驱动器,所述驱动器经配置以用于驱动或旋转可旋转装置530。所述驱动器可透过轴杆(例如中空轴杆)而连接至可旋转装置530。
[0074]依据某些实施例,可旋转装置530经配置以支撑两个或更多个蒸发源。作为范例,例如将被服务或交换的第一蒸发源可从处理真空腔室110被传送至维护真空腔室150,且具体而言至可旋转装置530上。第二蒸发源,例如已被服务或新的蒸发源,亦可被提供于可旋转装置530上。当两个蒸发源,亦即所述第一蒸发源及所述第二蒸发源,被定位于可旋转装置530上时,可旋转装置530旋转例如大约180度,使得所述第一蒸发源及所述第二蒸发源交换位置。接着,所述第二蒸发源可传送至处理真空腔室110中,且连接处理真空腔室110与维护真空腔室150的所述开口可被密封,例如,藉由所述第二蒸发源的密封装置510。维护真空腔室150可被通风以用于所述第一蒸发源的服务或移除,例如藉由开启维护真空腔室150的门154。此举允许在不中断处理真空腔室110中的所述真空下而交换蒸发源。
[0075]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,蒸发源1000包含致动器,举例而言扭矩马达、电动转子或气动转子。所述致动器可透过真空旋转馈通(feed-through)而提供扭矩,举例而言铁磁流体密封的旋转馈通。所述致动器经配置以绕轴旋转至少分布管路1006,所述轴实质上为垂直的。蒸发源1000包含支座1002,所述支座可举例而言收容所述致动器与所述馈通。依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,蒸发源1000进一步包含蒸发器控制壳体。所述蒸发器控制壳体可为大气盒,亦即经配置以在其中维持大气压力的盒子,即使于处理真空腔室110抽空至技术上真空时。举例而言,从包括开关、阀、控制器、冷却单元及冷却控制单元的群组所选择的至少一个组件可提供于所述蒸发器控制壳体中。支座1002进一步支撑蒸发坩锅1004及分布管路1006。
[0076]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,处理设备500可包含供应通道,例如,供应线路。所述供应信道可经配置以用于供应蒸发源1000,例如经由电子连接及/或如流体(例如水)及/或气体的媒介。所述供应信道可经配置以用于导引一个或多个线路及/或缆线通过其中,例如水供应线路、气体供应线路及/或电缆。某些实现中,所述供应通道具有大气环境,亦即所述供应信道可经配置以在其中维持大气压力,即使例如处理真空腔室110及/或维护真空腔室150的环境是抽空至技术上真空。作为范例,所述供应信道可包含连接装置520的至少一部分。
[0077]某些实现中,所述供应通道从蒸发源1000延伸至馈通,所述馈通提供于处理真空腔室110与维护真空腔室150之间。作为范例,所述馈通可提供于密封装置510或壁部分之中或之上,所述壁部分分离处理真空腔室110与维护真空腔室150。依据某些实施例,所述供应通道透过蒸发器控制壳体(可为大气盒)与连接装置520的其中至少一者而从蒸发源1000延伸至所述馈通。
[0078]某些实施例中,所述供应通道从维护真空腔室150的外侧延伸至所述维护真空腔室中,例如透过可旋转装置530的所述驱动器的中空轴杆,且进入可旋转装置530的中间空间或底部。所述供应信道可进一步从可旋转装置530的所述中间空间或底部延伸,例如透过如波状软管的线路,至提供于密封装置510之中或之上的大气盒。所述大气盒可包含于附接至密封装置510的“背包”中。上述的馈通可提供于所述大气盒之中或之上,所述大气盒提供于密封装置510之中或之上。作为范例,提供于密封装置510之中或之上的所述大气盒可经配置成为所述馈通。所述供应通道可进一步从提供于密封装置510之中或之上的所述大气盒透过连接装置520而延伸至所述蒸发器控制壳体。所述供应通道接着可从所述蒸发器控制壳体延伸至蒸发源1000,例如通过所述致动器的中空轴杆至蒸发源1000的大气盒,所述致动器经配置以至少旋转分布管路1006。
[0079]依据一个实施例,用于处理器件(特别是在其中包含有机材料的器件)的处理设备被提供。所述处理设备包含处理真空腔室及至少一个用于材料的蒸发源,其中所述至少一个蒸发源包含至少一个蒸发坩锅及具有一个或多个出口的至少一个分布管路,其中所述至少一个蒸发坩锅经配置以蒸发所述材料,且其中所述至少一个分布管路与所述至少一个蒸发坩锅流体连通。所述处理设备具有在所述蒸发源之中或之上的大气盒,所述大气盒经配置以用于至所述蒸发源的媒介供应。所述处理设备进一步包含连接装置,所述连接装置经配置以用于从所述大气盒至所述处理设备外侧的大气的媒介供应。举例而言,所述处理设备进一步包含与所述处理真空腔室连接的维护真空腔室。所述连接装置可提供从所述处理真空腔室中的大气盒至所述维护真空腔室的大气路径,例如,至所述维护真空腔室中的进一步的大气盒。依据更进一步的选择修改,从所述进一步的大气盒至所述维护真空腔室的外侧(亦即所述处理设备的外侧)的进一步的大气路径可被提供。依据某些实施例,在此揭示中描述的进一步的变化、特征、方面及细节可与包含所述大气盒的所述处理设备结合。
[0080]依据本公开的一个方面,所述处理设备包含处理真空腔室;用于有机材料或非有机材料(例如Ag、Mg或类者)的至少一个蒸发源,其中所述至少一个蒸发源包含至少一个蒸发坩锅,其中所述蒸发坩锅经配置以蒸发所述有机材料或非有机材料(例如Ag、Mg或类者),及具有一个或多个出口的至少一个分布管路,其中所述至少一个分布管路与所述至少一个蒸发坩锅流体连通;及与所述处理真空腔室连接的维护真空腔室,其中所述至少一个蒸发源可从所述处理真空腔室传送至所述维护真空腔室,及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室,其中所述维护真空腔室与所述处理真空腔室的所述连接包含开口,其中所述开口经配置以用于所述至少一个蒸发源从所述处理真空腔室至所述维护真空腔室的所述传送,及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室的所述传送,其中所述处理设备进一步包含密封装置,所述密封装置经配置以用于封闭所述开口,且其中所述密封装置附接至所述至少一个蒸发源。
[0081]第6A至6C图依据在此描述的实施例显示部分的蒸发源1000。蒸发源1000可包含分布管路1006及蒸发坩锅1004,如第6A图中所显示。举例而言,分布管路1006可为具有第一加热单元615的延长方体。蒸发坩锅1004可为用于将被第二加热单元625蒸发的所述有机材料的储存器。依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,分布管路1006提供接线源。举例而言,多个开口及/或出口,例如喷嘴,是沿着至少一个接线安排。依据替代实施例,沿着所述至少一个接线延伸的一个延长开口可被提供。举例而言,所述延长开口可为狭缝。依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,所述接线实质上垂直延伸。举例而言,分布管路1006的长度至少对应至将储放于本实施例的所述处理设备中的所述基板的所述高度。某些案例中,分布管路1006的长度可比将储放的所述基板的所述高度更长至少10%或甚至20%。在基板的所述上端点及/或所述基板的所述下端点的均匀沉积可被提供。
[0082]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,分布管路1006的所述长度可为1.3m或更长,举例而言2.5m或更长。依据一个配置,如第2A图中所显示,蒸发坩锅1004提供于分布管路1006的所述下端点。所述有机材料在蒸发坩锅1004中蒸发。有机材料的蒸气从分布管路1006的底部进入分布管路1006且实质上侧向导引通过分布管路1006中的所述多个开口,例如,朝向实质上垂直的基板。
[0083]依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,出口(例如喷嘴)经安排而具有水平+-20°的主要蒸发方向。依据某些特定实施例,所述蒸发方向可稍微向上定向,例如从水平至15°向上的范围中,例如3°至7°向上。所述基板可稍微倾斜以几乎垂直于所述蒸发方向且不期望的粒子产生可被减少。为了例示目的,蒸发坩锅1004及分布管路1006在第6A图中显示为不具有热屏蔽。作为范例,第一加热单元615及第二加热单元625可在第6A图中所显示的所述示意透视图中所见。
[0084]第6B图显示部分蒸发源1000的放大示意图,其中分布管路1006连接至蒸发坩锅1004。凸缘单元603被提供,所述凸缘单元经配置以提供蒸发坩锅1004与分布管路1006之间的连接。作为范例,蒸发坩锅1004及分布管路1006是提供为分离单元,所述等分离单元可在凸缘单元603处被分离及连接或组合,例如为了所述蒸发源的运作。
[0085]分布管路1006具有内部中空空间610。第一加热单元615被提供以加热分布管路1006。作为范例,分布管路1006可加热至一温度,使得蒸发坩锅1004提供的所述有机材料的所述蒸气不在分布管路1006的所述壁的内部部分上冷凝。两个或更多个热屏蔽617提供于分布管路1006的所述管路周围。所述热屏蔽经配置以将第一加热单元615的热能量朝向中空空间610反射回。有鉴于此,加热分布管路1006所需要的能量,亦即提供至第一加热单元615的能量可被减少,因为热屏蔽617减少了热损失。进一步而言,至其他分布管路及/或至所述屏蔽或基板的热传送可减少。依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,所述两个或更多个热屏蔽617可包含两个或更多个热屏蔽层,例如,五个或更多个热屏蔽层,例如十个热屏蔽层。
[0086]例如第6B图中显示的某些范例中,两个或更多个热屏蔽617包含定位于分布管路1006中的所述开口或出口612的开口。第6B图中显示的所述蒸发源的放大视图显示了四个开口或出口 612。开口或出口 612可沿着一个或多个接线而提供,所述接线实质上平行于分布管路1006的轴。如在此所述,分布管路1006可提供为线性分布喷淋头,举例而言,具有设置于其中的多个开口。如在此理解的喷淋头具有封闭体、中空空间或管路,其中所述材料可被提供或导引,举例而言从蒸发坩锅1004。所述喷淋头可具有多个开口(或延长狭缝)使得所述喷淋头内的所述压力是高于所述喷淋头的外侧。举例而言,所述喷淋头内的所述压力可比所述喷淋头外侧的压力高至少一个数量级。
[0087]于操作期间,分布管路1006于凸缘单元603处连接至蒸发坩锅1004。蒸发坩锅1004经配置以接收将被蒸发的有机材料并蒸发所述有机材料。第6B图显示通过蒸发坩锅1004的壳体的剖面。再填充开口被提供,举例而言在蒸发坩锅1004的上部分,所述再填充开口可利用插座622、盖子、屏蔽或类者而封闭,以用于封闭蒸发坩锅1004的封闭体。
[0088]第二加热单元625,例如外部加热单元,可提供于蒸发坩锅1004的所述封闭体中。第二加热单元625可至少沿着蒸发坩锅1004的壁的一部分而延伸。依据可与在此描述的其他实施例组合的某些实施例,一个或多个中央加热组件626可被提供。第6B图显示两个中央加热组件626 ο中央加热组件626可包含导体629以用于提供电力给中央加热组件626。依据某些实现,蒸发坩锅1004可进一步包含屏蔽627。屏蔽627可经配置以将第二加热单元625及中央加热组件626(若存在的话)提供的热能量反射回蒸发坩锅1004的所述封闭体中。蒸发坩锅1004内的所述有机材料的有效加热可被提供。
[0089]依据某些实施例,如关于第6A至6B图范例显示,蒸发坩锅1004提供于分布管路1006的下侧。依据可与在此描述的其他实施例组合的更进一步的实施例,蒸气导管632可在分布管路1006的中央部分或分布管路1006的下端点与分布管路1006的上端点之间的另一个位置而提供至分布管路1006。第6C图绘示蒸发源的范例,所述蒸发源具有分布管路1006与蒸气导管632提供于分布管路1006的所述中央部分。有机材料的蒸气产生于蒸发坩锅1004中且导引通过蒸气导管632至分布管路1006的所述中央部分。所述蒸气通过多个开口或出口 612而离开分布管路1006。分布管路1006由支座1002所支撑,如关于在此描述的其他实施例所述。依据可与在此描述的其他实施例组合的更进一步的实施例,两个或更多个蒸气导管632可提供于沿着分布管路1006的长度的不同位置。作为范例,蒸气导管632可为连接至一个蒸发坩锅1004或连接至多个蒸发坩锅1004。作为范例,每个蒸气导管632可具有对应的蒸发坩锅1004。替代地,蒸发坩锅1004可与两个或更多个蒸气导管632流体连接,所述蒸气导管与分布管路1006连接。
[0090]在此描述的实施例可利用于大面积基板上的蒸发。依据某些实施例,大面积基板可具有至少0.671112的尺寸。通常,所述尺寸可为大约0.671112(0.731 0.92m-Gen 4.5)至大约8m2,更通常为大约2m2至大约9m2或甚至高达12m2。例如,大面积基板或载体可为对应至大约
0.67m2基板(0.73m x 0.92m)的GEN 4.5、对应至大约1.4m2基板(1.1m x 1.3m)的GEN 5、对应至大约4.29m2基板(1.95m x 2.2m)的GEN 7.5、对应至大约5.7m2基板(2.2m x 2.5m)的GEN 8.5,或甚至对应至大约8.7m2基板(2.85m x 3.05m)的GEN 10。如GEN 11及GEN 12的甚至更大的世代及对应的基板面积可类似地被实现。
[0091]第7图依据在此描述的实施例显示方法700的流程图,所述方法用于将蒸发源从处理真空腔室传送至维护真空腔室或从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室。
[0092]依据本公开的一个方面,方法700包含方块710,方块710通过提供于所述处理真空腔室与所述维护真空腔室之间的开口,将所述蒸发源的蒸发坩锅及分布管路从所述处理真空腔室移动至所述维护真空腔室,及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室。
[0093]依据某些实现,方法700进一步包含,在方块720中,透过所述开口,将设置于所述处理真空腔室中的蒸发源支撑系统的轨道的两个轨道区段的第一轨道区段连同所述蒸发源的所述蒸发坩锅及所述分布管路一起从所述处理真空腔室移动至所述维护真空腔室,或从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室;及/或藉由附接至所述蒸发源的密封装置而密封所述开口。
[0094]依据在此描述的实施例,用于将蒸发源从处理真空腔室传送至维护真空腔室,或从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室的方法可藉由计算机程序、软件、计算机软件产品及相关控制器的构件而执行,所述相关控制器可具有CPU、内存、用户接口及输入及输出构件,所述输入及输出构件与用于处理大面积基板的相应组件沟通。
[0095]虽然前述是针对本公开的实施例,本公开其他及进一步的实施例可在不背离本公开基本范畴的情况下设计,且本公开的范畴是取决于所附权利要求。
【主权项】
1.一种用于处理器件一一特别是在所述器件包含有机材料的器件一一的处理设备,所述处理设备包括: 处理真空腔室; 用于材料的至少一个蒸发源,其中所述至少一个蒸发源包括: 至少一个蒸发坩锅,其中所述至少一个蒸发坩锅经配置以蒸发所述材料;及 具有一个或多个出口的至少一个分布管路,其中所述至少一个分布管路与所述至少一个蒸发坩锅流体连通; 所述处理设备进一步包括: 与所述处理真空腔室连接的维护真空腔室,其中所述至少一个蒸发源可从所述处理真空腔室传送至所述维护真空腔室及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室。2.如权利要求1所述的处理设备,其中所述至少一个蒸发源包含用于所述分布管路的支座。3.如权利要求2所述的处理设备,其中所述支座能连接至第一驱动器或包含所述第一驱动器,其中所述第一驱动器经配置以用于所述蒸发源一一特别是在所述处理真空腔室内--的平移运动。4.如权利要求2或3中的一项所述的处理设备,其中所述蒸发源的所述蒸发坩锅与所述分布管路可从所述处理真空腔室传送至所述维护真空腔室及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室,且其中用于所述分布管路的所述支座不从所述处理真空腔室传送至所述维护真空腔室及不从所述维护真空腔室传送至所述处理真空腔室。5.如权利要求1至4中的一项所述的处理设备,其中所述维护真空腔室与所述处理真空腔室的所述连接包含开口,其中所述开口经配置以用于所述蒸发源从所述处理真空腔室至所述维护真空腔室的所述传送,及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室的所述传送。6.如权利要求5所述的处理设备,进一步包含密封装置,所述密封装置经配置以用于封闭所述开口,特别是其中所述密封装置经配置以用于几乎真空密闭地密封所述开口。7.如权利要求6所述的处理设备,其中所述密封装置附接至所述至少一个蒸发源。8.如权利要求6至7中的一项所述的处理设备,其中至少所述分布管路及所述蒸发坩锅能相对于所述密封装置而移动。9.如权利要求1至8中的一项所述的处理设备,进一步包含蒸发源支撑系统,所述蒸发源支撑系统设置于所述处理真空腔室中且具有至少两个轨道,其中所述蒸发源支撑系统的所述至少两个轨道经配置以用于至少在所述处理真空腔室内的所述蒸发源的平移运动。10.如权利要求9所述的处理设备,其中所述至少两个轨道的每一者包含第一轨道区段及第二轨道区段,且其中所述第一轨道区段及所述第二轨道区段可分离。11.如权利要求10所述的处理设备,其中所述第一轨道区段经配置以可与所述蒸发源一起从所述处理真空腔室传送至所述维护真空腔室,及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室。12.如权利要求1至11中的一项所述的处理设备,进一步包含另一个真空腔室,所述真空腔室经由阀连接至所述处理真空腔室,其中所述进一步的真空腔室经配置以用于基板进入所述处理真空腔室及离开所述处理真空腔室的传送。13.—种用于处理器件一一特别是在所述器件中包含有机材料的器件一一的处理设备,所述处理设备包括: 处理真空腔室; 用于材料的至少一个蒸发源,其中所述至少一个蒸发源包括: 至少一个蒸发坩锅,其中所述至少一个蒸发坩锅经配置以蒸发所述材料;及 具有一个或多个出口的至少一个分布管路,其中所述至少一个分布管路与所述至少一个蒸发坩锅流体连通; 所述处理设备进一步包括: 与所述处理真空腔室连接的一维护真空腔室,其中所述至少一个蒸发源可从所述处理真空腔室传送至所述维护真空腔室及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室; 其中所述维护真空腔室与所述处理真空腔室的所述连接包含开口,其中所述开口经配置以用于所述至少一个蒸发源从所述处理真空腔室至所述维护真空腔室的所述传送,及从所述维护真空腔室至所述处理真空腔室的所述传送,其中所述开口可由密封装置封闭,且其中所述密封装置附接至所述至少一个蒸发源。14.一种用于将蒸发源从处理真空腔室传送至维护真空腔室,或从所述维护真空腔室传送至所述处理真空腔室的方法,包括: 通过提供于所述处理真空腔室与所述维护真空腔室之间的开口,将所述蒸发源的蒸发坩锅及分布管路从所述处理真空腔室传送至所述维护真空腔室,或从所述维护真空腔室传送至所述处理真空腔室。15.如权利要求14所述的方法,进一步包含: 通过所述开口,将设置于所述处理真空腔室中的蒸发源支撑系统的轨道的两个轨道区段中的第一轨道区段连同所述蒸发源的所述蒸发坩锅及所述分布管路一起从所述处理真空腔室移动至所述维护真空腔室,或从所述维护真空腔室移动至所述处理真空腔室;和/或 利用附接至所述蒸发源的密封装置而密封所述开口。
【文档编号】B05D3/04GK106068334SQ201480066877
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2014年8月19日 公开号201480066877.9, CN 106068334 A, CN 106068334A, CN 201480066877, CN-A-106068334, CN106068334 A, CN106068334A, CN201480066877, CN201480066877.9, PCT/2014/67673, PCT/EP/14/067673, PCT/EP/14/67673, PCT/EP/2014/067673, PCT/EP/2014/67673, PCT/EP14/067673, PCT/EP14/67673, PCT/EP14067673, PCT/EP1467673, PCT/EP2014/067673, PCT/EP2014/67673, PCT/EP2014067673, PCT/EP201467673
【发明人】J·M·迭戈兹-坎波, S·邦格特, U·舒斯勒, D·哈斯
【申请人】应用材料公司
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