一种cvd镀膜机的制作方法
【专利摘要】本发明属于镀膜机产品技术领域，具体涉及一种CVD镀膜机，包括一体化设计的真空镀膜室、真空泵组和带有控制电源的控制电柜，所述真空镀膜室内设有阳极电极组件，所述真空镀膜室上设有门体，所述门体内设有若干阴极电极元件和若干离化发生器，各阴极电极元件均能与阳极电极组件形成放电电极对。该镀膜机设备集成度高，能较好的实现设备一体化，真空镀膜室内部空间设计紧凑，维修布置合理，达到占地面积小，设备整体搬运转移方便的目的，此外，薄膜沉积均匀，性能稳定，极大提高其镀膜效率和效果。
【专利说明】
一种CVD镀膜机
技术领域
[0001 ]本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种CVD镀膜机。
【背景技术】
[0002]目前，化学气相沉积镀膜机主流的电极设计为阴极电极和阳极电极均放置于真空镀膜室内，镀膜激发源主要采用的是射频电源或者直流高压电源。
[0003]此类化学气相沉积镀膜机的配置工艺较为稳定成熟，但其在实际生产操作及维护中仍存在以下几点不足:
[0004]第一，镀膜机及附属用的电器电柜设备集成度不高，设备整体冗繁，占地面积大；
[0005]第二，阴极电极在镀膜过程中容易被镀层所污染，且所有阴极电极在镀膜室内部拆卸清洗不方便，安装及维修也不便；
[0006]第三，该种镀膜机的薄膜沉积速率仍然不够快，放电过程中容易受到干扰，造成放电不稳定，导致沉积薄膜不够均匀，性能不够稳定，严重影响镀膜机的生产效率等。
【发明内容】
[0007]本发明的目的是克服现有技术的不足，公开一种CVD镀膜机，该镀膜机设备集成度高，能较好的实现设备一体化，真空镀膜室内部空间设计紧凑，维修布置合理，达到占地面积小，设备整体搬运转移方便的目的，此外，薄膜沉积均匀，性能稳定，极大提高其镀膜效率和效果。
[0008]为了达到上述技术目的，本发明是按以下技术方案实现的:
[0009]本发明所述的一种CVD镀膜机，包括一体化设计的真空镀膜室、真空栗组和带有控制电源的控制电柜，所述真空镀膜室内设有阳极电极组件和若干离化发生器，所述真空镀膜室上设有门体，所述门体内设有若干阴极电极元件，所述阴极电极元件与阳极电极组件形成放电电极对。
[0010]作为上述技术的进一步改进，所述真空镀膜室的门体为双开门式门体，其包括铰接在所述真空镀膜室的左右两侧的左侧门体和右侧门体，所述左侧门体和右侧门体用于交换封闭真空镀膜室。
[0011]作为上述技术的更进一步改进，所述阴极电极元件为两个，其分别置于所述左侧门体和右侧门体的内侧面，该两个阴极电极元件均能与真空镀膜室内的阳极电极组件形成放电电极对。
[0012]在本发明中，所述离化发生器为两个，所述左侧门体和右侧门体内部各安装一离化发生器。
[0013]在本发明中，所述控制电源为能作为等离子体镀膜激发源的中频电源。
[0014]与现有技术相比，本发明的有益效果是:
[0015](I)本发明所述的CVD镀膜机，由于将真空镀膜室、真空栗组和外部电柜设备集成为一体化设计，实现整体设备一体化，使得外部线槽布线美观，镀膜室内部空间设计紧凑，维修布置合理，达到占地面积小，设备整体搬运转移方便的目的；
[0016](2)本发明所述的CVD镀膜机，由于将真空镀膜室的门体采用双开门方式，且各侧门体内分别设有一个独立的阴极电极元件，当其中一个阴极电极元件在镀膜后电极表面被镀层所污染后，可以替换为另一侧门体内的的阴极电极元件继续镀膜，确保镀膜过程能持续稳定的进行，大大提高镀膜效率；
[0017](3)本发明中，所述阴极电极元件是以插销式固定于对应侧门体的内侧，拆卸方便，便于表面清洗，而且安装后的阴极电极元件能够保证与被镀基材之间间距的一致性，从而实现镀膜膜层的均匀性；
[0018](4)本发明中，由于采用中频电源作为等离子体镀膜激发源，并在镀膜室两侧安装有离化发生器，有效地扩大了电场的作用范围，增加了等离子体离化镀膜区，同时完善了外部电源屏蔽效果，将强弱电和高低压线分开，保证中频电源工作不受外部干扰，提高电源工作的稳定性，中频电源的使用和屏蔽效果，能有效的提高等离子体增强化学气相沉积过程中薄膜的沉积速率和薄膜质量。
【附图说明】
[0019]下面结合附图和具体实施例对本发明做详细的说明:
[0020]图1是本发明所述的CVD镀膜机结构示意图；
[0021]图2是本发明中真空镀膜室与门体结构示意图；
[0022]图3是本发明中真空镀膜室内部结构示意图。
【具体实施方式】
[0023]如图1至图3所示，本发明所述的一种CVD镀膜机，包括一体化设计的真空镀膜室1、真空栗组2和带有控制电源的控制电柜3，所述真空镀膜室I内设有阳极电极组件4，所述真空镀膜室I上设有双开式门体，该双开式门体包括铰接在所述真空镀膜室I的左右两侧的左侧门体5和右侧门体6，所述左侧门体5和右侧门体6用于交换封闭真空镀膜室I，所述左侧门体5和右侧门体6的内侧面均对应设有能与真空镀膜室I内的阳极电极组件4形成放电电极对的阴极电极元件7，所述左侧门体5和右侧门体6的内侧各对应安装有离化发生器8。
[0024]如图2、图3所示，所述左侧门体5和右侧门体6内的阴极电极元件7均是通过插销式的方式固定于对应的左侧门体5右侧门体6的内侧，方便拆装的同时也较好的保证了所述阴极电极元件7与被镀基材10之间间距的一致性。
[0025]在本发明中，所述控制电源为能作为离子体镀膜激发源的中频电源，由于采用中频电源作为等离子体镀膜激发源，并在真空镀膜室I的左侧门体5和右侧门体6内安装有离化发生器8，有效地扩大了电场的作用范围，增加等离子离化镀膜区，同时完善外部电源屏蔽效果，将强弱电和高低压线分开，保证中频电源工作不受外部干扰，提高电源工作的稳定性，中频电源的使用和屏蔽效果，能有效的提高等离子体增强化学气相沉积过程中薄膜的沉积速率和薄膜质量。
[0026]本发明并不局限于上述实施方式，凡是对本发明的各种改动或变型不脱离本发明的精神和范围，倘若这些改动和变型属于本发明的权利要求和等同技术范围之内，则本发明也意味着包含这些改动和变型。
【主权项】
1.一种CVD镀膜机，其特征在于:包括一体化设计的真空镀膜室、真空栗组和带有控制电源的控制电柜，所述真空镀膜室内设有阳极电极组件，所述真空镀膜室上设有门体，所述门体内设有若干阴极电极元件和若干离化发生器，所述阴极电极元件与阳极电极组件形成放电电极对。2.根据权利要求1所述的CVD镀膜机，其特征在于:所述真空镀膜室的门体为双开门式门体，其包括铰接在所述真空镀膜室的左右两侧的左侧门体和右侧门体，所述左侧门体和右侧门体用于交换封闭真空镀膜室。3.根据权利要求2所述的CVD镀膜机，其特征在于:所述阴极电极元件为两个，其分别置于所述左侧门体和右侧门体的内侧面，该两个阴极电极元件均能与真空镀膜室内的阳极电极组件形成放电电极对。4.根据权利要求3所述的CVD镀膜机，其特征在于:所述左侧门体和右侧门体内的阴极电极元件通过插销式的方式固定于对应门体的内侧。5.根据权利要求1至3任一项所述的CVD镀膜机，其特征在于:所述离化发生器为两个，所述左侧门体和右侧门体内部各安装一离化发生器。6.根据权利要求1所述的CVD镀膜机，其特征在于:所述控制电源为能作为离子体镀膜激发源的中频电源。
【文档编号】C23C16/44GK106086816SQ201610530406
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年7月6日
【发明人】潘振强, 朱惠钦
【申请人】广东振华科技股份有限公司