离子镀膜设备的制造方法

文档序号:8558022阅读:234来源:国知局
离子镀膜设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种镀膜装置,具体地说是一种离子镀膜设备。
【背景技术】
[0002]光学薄膜,就是在镜片上镶上一层或多层非常薄的特殊材料,使镜片能达到某种特定的光学效果。传统上镀膜的方式很多,有真空蒸镀方式,将蒸镀材料在真空蒸镀机内置于电阻丝或片上,在高真空的情况下,加热使材料成为蒸气,直接镀于镜片上;电子枪式,其方法是以高压电子束直接打击材料,还有溅射方式,是通过高压使惰性气体离子化,打击材料使之直接溅射至镜片,由此可见,传统的镀膜方式的确多种多样,但是传统的这些镀膜方式由于镀膜方法不科学或者镀膜装置结构设置不合理,设备成本高、镀膜效率低,所作薄膜的附着力不好,使其镀膜质量差。

【发明内容】

[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、设备成本低,镀膜质量好的尚子镀膜设备。
[0004]为了解决上述技术问题,本实用新型的离子镀膜设备,包括镀膜炉和设置在镀膜炉内的镀膜平台,镀膜炉的外围设置有加热保温炉,加热保温炉的顶部设置有由动力装置启闭的外开合顶窗,镀膜炉的顶部设置有由动力装置启闭的内开合顶窗,镀膜炉内设置有能够发射等离子体的离子源,玻璃片能够从外开合顶窗、内合顶窗送入到镀膜平台上,镀膜炉内还设置有位于镀膜平台四周的膜料,离子源能够膜料成为蒸汽镀在玻璃片上;所述加热保温炉内设置有加热盘管。
[0005]进一步地说,离子源与离子源电源连接。
[0006]进一步地说,外开合顶窗由位于加热保温炉顶部一侧的第一气缸驱动,内开合顶窗由位于镀膜炉顶部一侧的第二气缸驱动。
[0007]本实用新型的优点在于,一方面,通过离子源发射等离子体加热膜料,使膜料成为膜料蒸汽,均匀镀在玻璃片上,另外一方面,膜料位于镀膜平台四周加热后蒸发效果好,有利于增强膜层强度,设置的加热保温炉,一方面可以起到加温作用,进一步增强镀膜强度,更重要的是可以在镀完膜后出炉过程中使其具有过渡作用,有利于提高镀膜强度和镀膜质量。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型离子镀膜设备的结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]下面垫结合具体实施例对本实用新型的离子镀膜设备作详尽说明。
[0010]如图1所示,本实用新型的离子镀膜设备,离子镀膜设备,包括镀膜炉I和设置在镀膜炉内的镀膜平台2,镀膜炉I的外围设置有加热保温炉3,加热保温炉3的顶部设置有由动力装置启闭的外开合顶窗4,镀膜炉I的顶部设置有由动力装置启闭的内开合顶窗5,镀膜炉I内设置有能够发射等离子体的离子源6,待镀膜的玻璃片能够从外开合顶窗4、内合顶窗5送入到镀膜平台2上,镀膜炉I内还设置有位于镀膜平台四周的膜料7,离子源6能够膜料成为蒸汽镀在玻璃片上;所述加热保温炉3内设置有加热盘管8,离子源6与离子源电源连接,外开合顶窗4由位于加热保温炉3顶部一侧的第一气缸9驱动,内开合顶窗5由位于镀膜炉I顶部一侧的第二气缸10驱动。
【主权项】
1.一种离子镀膜设备,包括镀膜炉(I)和设置在镀膜炉内的镀膜平台(2),其特征在于:所述镀膜炉(I)的外围设置有加热保温炉(3),加热保温炉(3)的顶部设置有由动力装置启闭的外开合顶窗(4),镀膜炉(I)的顶部设置有由动力装置启闭的内开合顶窗(5),所述镀膜炉(I)内设置有能够发射等离子体的离子源(6),玻璃片能够从外开合顶窗(4)、内合顶窗(5)送入到镀膜平台(2)上,所述镀膜炉(I)内还设置有位于镀膜平台四周的膜料(7),所述离子源(6)能够膜料成为蒸汽镀在玻璃片上;所述加热保温炉(3)内设置有加热盘管(8)。
2.按照权利要求1所述的离子镀膜设备,其特征在于:所述离子源(6)与离子源电源连接。
3.按照权利要求1所述的离子镀膜设备,其特征在于:所述外开合顶窗(4)由位于加热保温炉(3)顶部一侧的第一气缸(9)驱动,所述内开合顶窗(5)由位于镀膜炉(I)顶部一侧的第二气缸(10)驱动。
【专利摘要】本实用新型是一种离子镀膜设备。包括镀膜炉和镀膜平台,镀膜炉的外围设置有加热保温炉,加热保温炉的顶部设置有外开合顶窗,镀膜炉的顶部设置有内开合顶窗,镀膜炉内设置有离子源,镀膜炉内还设置有位于镀膜平台四周的膜料,离子源能够膜料成为蒸汽镀在玻璃片上;加热保温炉内设置有加热盘管。其优点在于,一方面,通过离子源发射等离子体加热膜料,使膜料成为膜料蒸汽,均匀镀在玻璃片上,另外一方面,膜料位于镀膜平台四周加热后蒸发效果好,有利于增强膜层强度,设置的加热保温炉,一方面可以起到加温作用,进一步增强镀膜强度,更重要的是可以在镀完膜后出炉过程中使其具有过渡作用,有利于提高镀膜强度和镀膜质量。
【IPC分类】C23C14-28
【公开号】CN204265830
【申请号】CN201420729936
【发明人】石芳萍
【申请人】深圳市炬宇泰科技有限公司
【公开日】2015年4月15日
【申请日】2014年11月29日
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