真空镀膜设备用离子源系统的制作方法

文档序号:8692524
真空镀膜设备用离子源系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种离子源系统,具体的说是应用于真空镀膜设备用离子源系统。
【背景技术】
[0002]随着镀膜技术的不断发展,目前真空镀膜机都是课实现多靶材同时镀膜功能。为使工件表面的镀膜性能更优异,就必须保证靶材表面最先被蒸发出来的材料不被任何污染或者氧化。所以,在真正镀膜之前都要对靶材进行清洗或者叫做预溅射,专利CN 103343320A提供了一种避免开启闭合卡死、传动轴漏气,并能正确对准靶位的简单、可靠、高效的多工位源挡板系统。
[0003]专利CN 203530420 U提供了一种挡板及磁控溅射设备,能够减少薄膜光伏组件镀背电极过程中的绕镀现象,提高薄膜光伏组件的光电转换效率,为镀背电极的后道工序提供良好的基础。
[0004]在等离子体表面处理工艺方面,目前使用的阳极离子源、霍尔离子源等离子源系统都是需要独立的装置系统:阳极、磁极、气管等,这样的独立系统都会由于布气通道等造成离子源腔体内的气体分布不均匀,影响离子源工作的稳定性等问题。

【发明内容】

[0005]本实用新型旨在克服现有技术的缺陷,提供一种真空镀膜设备用离子源系统,可以对基片进行清洁和辅助沉积镀膜。
[0006]为了解决上述技术问题,本实用新型是这样实现的:
[0007]一种真空镀膜设备用离子源系统,包括真空室,其特征在于:还包括转盘、基片、挡板、转轴、若干靶源、通气孔和电源;转盘位于真空室中心位置,其外部装有基片,挡板设于真空室内并通过转轴将其与转盘中心连接;靶源包括靶座和靶材,靶材设于靶座上部,靶材和通气孔间隔设于真空室的内壁四周;每个靶源通过单独的电源连接控制。
[0008]本实用新型的有益效果是:结构简单,有效果改善膜层与基片的结合力,并提高了镀膜效率。
【附图说明】
[0009]下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步的详细说明:
[0010]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]如图1所示:一种真空镀膜设备用离子源系统,包括真空室60、转盘51、基片、挡板70、转轴71、若干革E源、通气孔40和电源;转盘位于真空室中心位置,其外部装有基片,挡板设于真空室内并通过转轴将其与转盘中心52连接;革巴源包括革El座10和革El材11,革El材设于靶座上部,靶材和通气孔间隔设于真空室的内壁四周;每个靶源通过单独的电源8连接控制。
[0012]在预溅射时,在转动轴的带动下转到不同靶源的位置,通过挡板来阻隔靶材蒸发出来的材料沉积在基片表面,完成各个靶源的表面清洁工作;
[0013]在镀膜过程中,将挡板固定在另外一个作为离子发生器的靶材前面,氩气从通气孔进入真空室,通过静电吸引的原理,将电子41吸引到正在使用的镀膜靶材方向,使得运动的电子将氩气电离化,得到带正电的氩离子Ar+被吸引到带负电的基片上,从而完成对基片的清洁和镀膜时的辅助镀膜。
【主权项】
1.一种真空镀膜设备用离子源系统,包括真空室,其特征在于:还包括转盘、基片、挡板、转轴、若干靶源、通气孔和电源;转盘位于真空室中心位置,其外部装有基片,挡板设于真空室内并通过转轴将其与转盘中心连接;靶源包括靶座和靶材,靶材设于靶座上部,靶材和通气孔间隔设于真空室的内壁四周;每个靶源通过单独的电源连接控制。
【专利摘要】本实用新型涉及一种真空镀膜设备用离子源系统,包括真空室、转盘、基片、挡板、转轴、若干靶源、通气孔和电源;转盘位于真空室中心位置,其外部装有基片,挡板设于真空室内并通过转轴将其与转盘中心连接;靶源包括靶座和靶材,靶材设于靶座上部,靶材和通气孔间隔设于真空室的内壁四周;每个靶源通过单独的电源连接控制。本实用新型结构简单,有效果改善膜层与基片的结合力,并提高了镀膜效率。
【IPC分类】C23C14-22
【公开号】CN204401096
【申请号】CN201420741584
【发明人】单永贤
【申请人】上海金科纳米涂层技术有限公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2014年12月2日
再多了解一些
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