一种匀强磁场沉积台的制作方法

文档序号:8992257阅读:220来源:国知局
一种匀强磁场沉积台的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电磁装置,具体涉及一种匀强磁场沉积台,应用在磁控溅射设备中。
【背景技术】
[0002]磁控溅射或者其它离子束溅射沉积方法,在金属表面生长中有广泛的应用。实验样品基底通常放在沉积台表面,溅射离子在基底上成长,最后成为表面膜层。针对磁性材料成膜,特别是铁、钴、镍等磁性材料,在外加匀强磁场作用下,成膜效果要好。
[0003]物理学中平面增加匀强磁场的方法有三种,分别是亥姆霍兹线圈中心位置;通电直导线周围磁场;磁体NS极之间区域。常规方法采用磁体获得的匀强磁场,磁场强度低,特别是在暴露的真空溅射装置作用下,磁体表面很快沉积一层金属薄膜,从而影响磁场强度。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型为了解决的上述技术问题,提出一种工作装置。
[0005]一种匀强磁场沉积台,包括沉积台、支架和底座,其特征在于:沉积台与底座中间位置设置平行直导线。
[0006]所述沉积台为非磁化材料。
[0007]本实用新型有益效果:在沉积台表面获得匀强磁场,磁场强度由电流强弱来控制。并且,该装置的工作不受沉积材料的影响。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型结构图。
【具体实施方式】
[0009]样品置于沉积台I的上表面,开启磁控溅射装置,磁性材料粒子溅射到样品表面。匀强磁场沉积台工作时如图1所示,平行直导线4通电流,在沉积台I的上表面产生匀强磁场,匀强磁场的方向是平行于沉积台I的上表面。沉积台I通过支架2与底座3相连,构成完整的中空结构,因此避免了溅射离子在平行直导线4上的沉积。为了避免沉积台的磁化,所述沉积台I为非磁化材料,一般选用合金材料。
【主权项】
1.一种匀强磁场沉积台,包括沉积台(I)、支架(2)和底座(3),其特征在于:沉积台(I)与底座(3)中间位置设置平行直导线(4)。2.根据权利要求1所述一种匀强磁场沉积台,其特征在于:沉积台(I)为非磁化材料。
【专利摘要】本实用新型涉及电磁装置,具体涉及一种匀强磁场沉积台,应用在磁控溅射设备中。所述沉积台与底座中间位置设置平行直导线。本实用新型有益效果:在沉积台表面获得匀强磁场,磁场强度由电流强弱来控制。并且,该装置的工作不受沉积材料的影响。
【IPC分类】C23C14/35
【公开号】CN204644458
【申请号】CN201520327761
【发明人】乔宪武, 吴昊
【申请人】中国计量学院
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年5月19日
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