一种带真空升液管的铸造炉的制作方法

文档序号:9983539阅读:307来源:国知局
一种带真空升液管的铸造炉的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种铸造炉,属于铸造设备技术领域。
【背景技术】
[0002]目前,低压铸造法已广泛运用到铸造领域中,现有的铸造设备,包含炉体,炉体上设有炉口,炉口设置有升液管,炉体内有金属液。当进行铸造时,升液管上端连接铸造模具,从炉体内加压,将金属液通过升液管输到铸造模具中,然后进行冷却。在铸造过程中,升液管内金属液往往很快冷却,当铸造模具中的金属液凝固时会产生收缩,而当升液管内金属液的冷却速度过快时,就会发生无法良好地补缩,产生铸造不良。

【发明内容】

[0003]本实用新型的目的在于提供一种带真空升液管的铸造炉,以减缓升液管内金属液的冷却速度,防止产生铸造不良。
[0004]为实现上述目的,本实用新型采用了下述技术方案:一种带真空升液管的铸造炉,它包括炉体和真空升液管,炉体设有炉口,真空升液管自炉口插入炉膛内,所述真空升液管包括上部的金属管部分和下部的氮化硅陶瓷管部分,氮化硅陶瓷管部分的上端的氮化硅陶瓷管连接部是外凸的环形圈,金属管部分下端设有金属管连接部,金属管连接部包覆住氮化硅陶瓷管连接部,金属管连接部与氮化硅陶瓷管连接部凹凸咬合,所述金属管部分以不锈钢为主体,内设真空腔。
[0005]进一步优选,所述金属管部分的内壁上镀一层铂金层。
[0006]进一步优选,氮化硅陶瓷管部分的底部是封闭的,氮化硅陶瓷管部分下端的侧壁上均匀分布若干通孔。
[0007]本实用新型通过在升液管内设置真空腔来降低升液管内金属液的冷却速度,并且采用在凹凸咬合结构来连接金属管部分与氮化硅陶瓷管部分,防止因热膨胀率差异而产生连接不良。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型的结构示意图;
[0009]图中1.炉体;11.炉口 ;2.氮化硅陶瓷管部分;21.氮化硅陶瓷管连接部;22.通孔;3.金属管部分;31.真空腔;32.金属管连接部;33.铂金层。
【具体实施方式】
[0010]如图1所示,该铸造炉包括炉体I和真空升液管,炉体I设有炉口 11,真空升液管自炉口 11插入炉膛内,所述真空升液管包括上部的金属管部分3和下部的氮化硅陶瓷管部分2,氮化硅陶瓷管部分2的上端的氮化硅陶瓷管连接部21是外凸的环形圈,金属管部分3下端设有金属管连接部32,金属管连接部32包覆住氮化硅陶瓷管连接部21,金属管连接部32与氮化硅陶瓷管连接部21凹凸咬合,这样可以使得连接更为紧密,避免因而氮化硅陶瓷部部分2和金属管部分3的热膨胀率不一样而在冷热交替时脱落。金属管部分3的上端连通铸造模具。
[0011]所述金属管部分3以不锈钢为主体,内设真空腔31,真空腔31起到良好的隔热作用,减缓管内金属液的热量散失,降低金属液的冷却速率。
[0012]所述金属管部分3的内壁上镀一层铂金层33,以防止真空升液管在使用后的冷却过程中氧化,增加真空升液管的使用次数,延长使用寿命。
[0013]氮化硅陶瓷管部分2的底部是封闭的,氮化硅陶瓷管部分2下端的侧壁上均匀分布若干通孔22,铸造时,氮化娃陶瓷管部分2下端伸入金属液中,金属液自通孔流入管内。
[0014]为了防止金属管部分3氧化,金属管部分3位于炉体I夕卜。
【主权项】
1.一种带真空升液管的铸造炉,它包括炉体和真空升液管,炉体设有炉口,真空升液管自炉口插入炉膛内,所述真空升液管包括上部的金属管部分和下部的氮化硅陶瓷管部分,其特征在于,氮化硅陶瓷管部分的上端的氮化硅陶瓷管连接部是外凸的环形圈,金属管部分下端设有金属管连接部,金属管连接部包覆住氮化硅陶瓷管连接部,金属管连接部与氮化硅陶瓷管连接部凹凸咬合,所述金属管部分以不锈钢为主体,内设真空腔。2.根据权利要求1所述的一种带真空升液管的铸造炉,其特征在于,所述金属管部分的内壁上镀一层铂金层。3.根据权利要求1所述的一种带真空升液管的铸造炉,其特征在于,氮化硅陶瓷管部分的底部是封闭的,氮化硅陶瓷管部分下端的侧壁上均匀分布若干通孔。
【专利摘要】本实用新型提供了一种带真空升液管的铸造炉,它包括炉体和真空升液管,炉体设有炉口,真空升液管自炉口插入炉膛内,所述真空升液管包括上部的金属管部分和下部的氮化硅陶瓷管部分,氮化硅陶瓷管部分的上端的氮化硅陶瓷管连接部是外凸的环形圈,金属管部分下端设有金属管连接部,金属管连接部包覆住氮化硅陶瓷管连接部,金属管连接部与氮化硅陶瓷管连接部凹凸咬合,所述金属管部分以不锈钢为主体,内设真空腔。通过设置真空腔来降低升液管内金属液的冷却速度,并且采用在凹凸咬合结构来连接金属管部分与氮化硅陶瓷管部分,防止因热膨胀率差异而产生连接不良。
【IPC分类】B22D18/04
【公开号】CN204892913
【申请号】CN201520257599
【发明人】李庆富, 黄召政, 赵世军
【申请人】杭州新永丰钢业有限公司
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2015年4月27日
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