镀膜装置及其载具的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及太阳能电池领域，特别是涉及一种载具及具有该载具的镀膜装置。
【背景技术】
[0002]在现代工业化生产中，往往需要对各类工件进行表面镀膜处理，例如，光伏行业、半导体行业等。在光伏行业中，晶硅太阳能电池在生产过程中的一个重要环节为镀减反射膜。一般地，采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposit1n，PECVD)的方法进行镀减反射膜。
[0003]在镀膜过程中，将硅片放置在载具中进行镀膜。一般地，所采用的载具上分布着呈网络状分布的方形通孔，通孔的尺寸要大于硅片的尺寸，例如，普遍使用的硅片的尺寸为156_X 156_，而通孔的尺寸为158_X158mm。为了使得娃片能在通孔中固定住而对其进行镀膜，在通孔的底部设置有挂钩来承载硅片，防止硅片掉落。但是，通孔和硅片之间留有1-2_左右的间隙，会引起绕镀的现象，绕镀指的是在对硅片进行镀膜时，由于硅片和载板之间有空隙，导致各种反应气体穿过空隙在硅片的另一表面发生反应，在硅片的另一表面上也形成镀膜。
【实用新型内容】
[0004]基于此，有必要针对镀膜过程中存在的绕镀的问题，提供一种载具及镀膜装置。
[0005]—种载具，用于工件镀膜，其中，所述载具包括:
[0006]本体，所述本体上开设有第一开口、第二开口以及第一空腔，所述第一开口和所述第二开口分别与所述第一空腔连通，且所述第一开口和所述第二开口相对；
[0007]容纳结构，所述容纳结构设置在所述第一空腔内，所述容纳结构包括第三开口、第四开口以及第二空腔，所述第三开口和所述第四开口分别与所述第二空腔连通，所述第三开口和所述第四开口相对，所述第二空腔的横截面的形状与所述工件的形状相适配；从所述第三开口到所述第四开口的方向上，所述第二空腔的横截面的面积逐渐减少，且所述第四开口的面积小于所述工件的最大横截面的面积。
[0008]在其中一个实施例中，多个所述容纳结构位于所述第一空腔内，且所述多个容纳结构呈网格状分布。
[0009]在其中一个实施例中，所述多个容纳结构之间可拆卸连接。
[0010]在其中一个实施例中，所述本体和所述多个容纳结构一体成型。
[0011]在其中一个实施例中，所述第二空腔的内壁上开设有多个凹槽，所述多个凹槽位于同一水平面上，且所述多个凹槽相互连通。
[0012]在其中一个实施例中，所述凹槽所在的水平面和所述第四开口所在的水平面之间的垂直距离小于等于2毫米。
[0013]在其中一个实施例中，在从所述第三开口到所述第四开口的方向上，所述第二空腔的形状为倒梯形状。
[0014]在其中一个实施例中，所述第二空腔的垂直高度为5-10毫米。
[0015]在其中一个实施例中，所述第二空腔的内壁的四周设有多个凸起，所述多个凸起位于同一水平面上，且所述多个凸起依次连接。
[0016]—种镀膜装置，包括上述载具。
[0017]上述镀膜装置及其载具，该载具包括本体和容纳结构，本体上开设有具有两端开口的第一空腔，从而容纳结构设置在第一空腔中，且该容纳结构包括第三开口、第四开口以及第二空腔，第三开口和第四开口分别与第二空腔连通，第三开口和第四开口相对，在第三开口到第四开口的方向上，第二空腔的横截面的面积逐渐减少，第四开口的面积小于工件的面积，从而使得工件放置在第二空腔中时，工件不会掉落，又第二空腔的横截面的形状与工件的形状相适配，从而工件能和第二空腔的内壁很好地贴合，从而保证工件和第二空腔之间没有间隙，进而使得在对工件进行镀膜过程中，反应气体通过第二开口和第四开口后，对工件的一面进行镀膜，不会影响工件的不需要镀膜的另一面，不会引起绕镀的现象。
【附图说明】
[0018]图1为一实施例的载具的结构示意图；
[0019]图2为图1中所示A的局部放大图；
[0020]图3为图1中所示的本体的剖视图；
[0021]图4为图1中所示的容纳结构的剖视图。
【具体实施方式】
[0022]如图1所示，载具100包括本体110和多个容纳结构120。载具100用于工件镀膜。在本实施例中，以硅片镀膜为例，载具100用于硅片镀膜。
[0023]具体地，如图3所示，本体110上开设有第一开口 111、第二开口 112以及第一空腔113，第一开口 111和第二开口 112分别与第一空腔113连通，且第一开口 111和第二开口112相对。本体110所采用的材料可以为石墨、碳纤维板、金属、塑料等。
[0024]又见图1，多个容纳结构120设置在第一空腔113中，且多个容纳结构120呈网络状分布。在本实施例中，第一空腔113中设置有25个容纳结构120，25个容纳结构120呈5行5列网格状排布。需要说明的是，容纳结构120的个数可以根据实际生产的需要进行选择。
[0025]如图4所示，容纳结构120包括第三开口 121、第四开口 122以及第二空腔123，第三开口 121和第四开口 122分别与第二空腔123连通，第三开口 121和第四开口 122相对，且从第三开口 121到第四开口 122的方向上，第二空腔123的横截面的面积逐渐减少，且第二空腔123的横截面的形状和硅片的形状相适配。在本实施例中，如图2所示，第二空腔123呈倒梯形状。在另一实施例中，第二空腔123的形状也可以为倒圆台状等，第二空腔123的形状随着工件的形状的改变而改变，第二空腔123的横截面的形状和工件的形状相似。
[0026]此外，第四开口 122的面积小于娃片的面积，例如，娃片的尺寸为156mmX 156mm时，第四开口 122的尺寸为155mmX155mm，而第三开口 121的尺寸为160mmX 160mm，从而使得硅片可以通过第三开口 121防止在第二空腔123中，用于承载硅片，从而在对硅片进行镀膜时，反应气体通过第四开口 122对硅片的底面进行镀膜，硅片的底面为与第四开口 122相对的表面，也为待镀膜的表面。由于硅片的形状和第二空腔123的横截面的形状一样，从而使得硅片能和第二空腔120的内部无缝隙的贴合，进而防止反应气体绕到硅片的另一面，有效地防止绕镀现象，进而可以